單選題 每題2分

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1. 如圖所示為理想運算放大器之電路，R₁＝2kΩ、R₂＝10kΩ、R₃＝2kΩ，試求其輸入阻抗R_i為多少？
　(107年度初等考題)　

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2. 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之g_m＝0.5mA/V，V_A＝∞，R_D＝5kΩ，則此放大器的輸入電阻R_i為：
　(108年度初等考題)　

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3. 理想CMOS反相器（Inverter）的靜態功率損耗為何？　(109年度初等考題)　

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4. 如圖所示之電路，其輸入電源為正弦波，假設二極體之壓降皆為0.7V，而此電路之輸出電壓v_out之峰值為12V，則此輸入電源之電壓均方根值（rms）約為多少？
　(108年度初等考題)　

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5. 如圖所示為一NMOS構成的放大器。V_DD＝3V，電晶體之小信號μ_nC_ox＝200μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。電流源非完全理想，有一值為20kΩ的內阻。求小信號增益v_o/v_i：
　(111年度初等考題)　

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6. 在整流電容濾波器中，若負載不變時，濾波電容量愈大，則輸出端的漣波電壓為下列何者？　(107年度初等考題)　

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7. 如圖所示之電路，假如A_o＝∞，求此電路之閉迴路增益為何？
　(110年度初等考題)　

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8. 如圖所示電路，若V_CC＝12V，V_CE＝12V，則此電晶體的工作區為何？
　(107年度初等考題)　

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9. 圖示MOS電路，v_i為輸入電壓，v_o為輸出電壓，本電路主要作用為何？
　(111年度初等考題)　

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10. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，求其輸出電壓v_out之漣波電壓（ripple voltage）值為何？
　(107年度初等考題)　

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11. 對於一個PN接面二極體在逆偏（reverse bias）的條件下，下列何者正確？　(111年度初等考題)　

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12. 如圖電路，已知R＝10kΩ和C＝0.01μF，輸入為±5V對稱方波，試求輸出三角波電壓在t＝0到t＝t₁的斜率為多少V/sec？
　(109年度初等考題)　

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13. 有一放大器電路如圖所示，放大器U1為理想的運算放大器，二極體D1順向壓降V_D0＝0.7V。若R1＝1kΩ，輸入電壓V_I＝5V，試問輸出電壓V_o應落在下列何範圍內？
　(108年度初等考題)　

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14. 60Hz的交流小訊號經全波整流後，輸出訊號之頻率應為：　(109年度初等考題)　

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15. 二極體順向導通時，下列何者正確？　(107年度初等考題)　

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16. 下圖電路中輸入信號為弦波v_i(t)＝0.5sin 10t伏特，二極體D₁與D₂之導通電壓皆為0.7V，導通電阻為100Ω。則電壓v_o(t)最大值為多少伏特？
　(110年度初等考題)　

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17. 某一RC主動式濾波器（active filter）電路如圖所示，已知放大器U1為理想運算放大器，且R1＝R2＝R3，試問該電路為何種濾波器？
　(108年度初等考題)　

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18. 如果將電容濾波全波整流器的負載阻抗降低，則漣波電壓會如何變化？　(110年度初等考題)　

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19. 某β＝100之npn雙極性接面電晶體，若I_B＝10μA，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？　(111年度初等考題)　

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20. 若PNP型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區I_B＝0.05mA，I_E＝5mA，則電流增益為：　(110年度初等考題)　

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21. 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓v_I的波形如下所示，V_DD＝5V，假設兩個電晶體Q_P、Q_N的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為| V_th |＝0.5V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即。試研判下列波形何者最接近輸出電壓v_O的波形？
　(107年度初等考題)　

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22. 電容器C₁～C₃配合變壓器T及二極體D₁～D₃所構成之倍壓電路如圖，輸入信號v_i(t)＝100sin（377t）伏特、N₁：N₂＝10：1且變壓器與所有二極體均視為理想時，在電路穩態條件下電容器C₁～C₃所跨電壓V_C1～V_C3之敘述何者正確？
　(109年度初等考題)　

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23. 用於中間抽頭變壓器型及橋式全波整流電路的變壓器，初級／次級線圈匝數比均為N₁：N₂且輸入信號同為v_i(t)＝100sin（377t）伏特，變壓器與二極體均為理想，中間抽頭型及橋式全波整流電路中二極體之峰值逆向電壓為PIV1與PIV2、輸出信號有效值電壓為V_o1(rms)及V_o2(rms)間關聯性何者正確？　(109年度初等考題)　

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24. 如圖電路，設二極體均為理想二極體，R＝10kΩ，R₁＝R₂＝5kΩ，V₁＝V₂＝5V。當v_I＝8V時，v_O為多大？
　(111年度初等考題)　

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25. 如圖所示為一文氏電橋振盪器。R₂＝100kΩ，R₁＝20kΩ，R＝10kΩ，C＝0.1μF。求振盪器的振盪頻率？
　(109年度初等考題)　

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26. 如圖所示之非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF，試問振盪頻率f_o為多少？
　　(107年度初等考題)　

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27. 若輸入信號v_i如圖所示，二極體之導通電壓為0V，導通電阻為0Ω，電容C1兩端之初始電壓差為0V，關於輸出信號v_o的敘述，下列何者錯誤？
　(108年度初等考題)　

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28. 如圖所示之共射極放大器，I_C＝1mA且V_BE＝0.8V。假設電晶體於飽和時之V_CE(sat)＝0.3V，請問在保持放大器的正常操作下，R_L最大的可允許值為何？
　(107年度初等考題)　

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29. 全波整流電路的漣波頻率是輸入頻率的幾倍？　(108年度初等考題)　

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30. 下列何種矽電晶體具有常閉型通道？　(111年度初等考題)　

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31. 下列那一個電路是精確半波整流器（precision half-wave rectifier）電路？　(108年度初等考題)　

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32. 分析運算放大器電路時，兩輸入端常視為虛擬短路，其意為何？　(108年度初等考題)　

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33. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₁的集極電流比較低的時間點：
　(107年度初等考題)　

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34. 有一運算放大器（OPA），已知其直流增益為100dB和單一增益頻率f_T為5MHz，試求其－3dB的頻寬f_B為多少？　(109年度初等考題)　

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35. 若某空乏型NMOS場效電晶體之臨界電壓為V_t，其參數電流I_DSS是電晶體：
　(108年度初等考題)　

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36. 下列為一主動式濾波器（Active filter）。設U1為理想運算放大器，試問此電路轉移函數（Transfer function）T(s)≡V_o/V_i的數學形式為何？
　(108年度初等考題)　

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37. 如圖非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF；試問v^－在什麼電壓時，輸出電壓v_o會轉態？
　(108年度初等考題)　

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38. 如圖為MOSFET差動式放大器，已知電晶體Q₁和Q₂的臨界電壓V_TH、轉導g_m、輸出阻抗r_o等參數均相同，試求差動增益A_d＝v_od/v_id之值？
　(109年度初等考題)　

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39. 下圖中二極體D1與D2之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，輸入信號為弦波，v_i(t)＝4sin10t伏特，R1、R2、R3皆為10Ω，則電流| i |之最大值為何？
　(111年度初等考題)　

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40. 圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±12V，R₁＝10kΩ、R₂＝40kΩ，輸出電壓v_O原為－12V，輸入電壓v_I為下列何電位時，輸出v_O將為＋12V？
　(111年度初等考題)　

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41. 圖示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±10V，二極體導通時兩端電壓為0.7V，輸入電壓v_I為＋1V，則v_O為若干V？
　(109年度初等考題)　

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42. 圖示為理想運算放大器電路，若R₁＝1kΩ、R₂＝3kΩ、R_a＝1kΩ、R_b＝3kΩ，v₁＝4V，v₂＝－2V，則輸出電壓v_O為若干V？
　(109年度初等考題)　

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43. 共源極放大器的頻寬主要由下列那個寄生電容決定？　(110年度初等考題)　

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44. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₂在時間點T最可能的工作模式：
　(109年度初等考題)　

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45. 矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為：　(111年度初等考題)　

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46. 已知一正弦波經半波整流後之電壓波形v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特(V)？
　(110年度初等考題)　

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47. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V，已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V、R＝2kΩ。試問輸出電壓v_O的波形為何？
　(110年度初等考題)　

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48. 如圖所示為史密特觸發電路及其輸入－輸出轉移特性曲線，其中OPA為理想，若R₂為3kΩ，則R₁的電阻值約為多少？
　(107年度初等考題)　

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49. 如圖之RC串級放大電路中，第2級放大電路（未顯示）的輸入電阻R_i2＝1.5kΩ，電晶體之β₁＝81、V_BE,on＝0.6V，求第1級放大電路的電壓增益大小（v_o1/v_i）最接近值為：
　(109年度初等考題)　

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50. 如圖所示之電路，假定β＝100且V_BE(on)＝0.7V，若電晶體之直流工作點V_CEQ＝5V且I_CQ＝10mA，求R_B之值為何？
　(107年度初等考題)　

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