單選題 每題2分

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1. 有N級放大器，其中每一級的增益A_oN和頻寬ω_HN都完全相同，若該N級放大器串接在一起且N為有限值；試問其總頻寬ω_H相較於單一級放大器的頻寬ω_HN，下列敘述何者正確？　(110年度初等考題)　

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2. 圖示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±10V，二極體導通時兩端電壓為0.7V，輸入電壓v_I為＋1V，則v_O為若干V？
　(109年度初等考題)　

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3. 對於一個PN接面二極體在逆偏（reverse bias）的條件下，下列何者正確？　(111年度初等考題)　

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4. 圖示理想運算放大器電路中，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V，輸入電壓v_I為－2V，則v_O為若干？
　(110年度初等考題)　

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5. 已知一運算放大器（OPA）的開路直流增益A_o為100dB和單一增益頻率f_T為10MHz，若此OPA接成非反相輸入（non-inverting input）放大器，其增益A_v為60dB；試問該非反相輸入放大器的頻寬f_H約為多少？　(109年度初等考題)　

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6. 在整流電容濾波器中，若負載不變時，濾波電容量愈大，則輸出端的漣波電壓為下列何者？　(107年度初等考題)　

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7. 假設電晶體操作於飽和區，如圖所示共閘極放大器之增益（v_o/v_i）為何？電晶體之μ_nC_ox＝500μA/V²，W/L＝100，V_TH＝0.6V，V_GS＝0.8V。
　(111年度初等考題)　

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8. 如圖所示的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，R₁＝R＝5kΩ、R₂＝2R、C₁＝2C₂，當該電路處於等幅振盪時，R_f的電阻值應約為多少？
　(108年度初等考題)　

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9. 下列何種矽電晶體具有常閉型通道？　(111年度初等考題)　

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10. 電路上某npn雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region），已知電路之電源電壓為8V，下列何者正確？
　(111年度初等考題)　

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11. 下列有關操作於主動區的BJT小訊號等效模型敘述，何者錯誤？　(108年度初等考題)　

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12. 如圖為共源極放大電路及其MOS電晶體的轉換特性與輸出負載線關係，假設R_G>>2kΩ，該放大電路的小信號電壓增益絕對值為何？
　(108年度初等考題)　

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13. 如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中，在集極端直接耦接有一3.5kΩ的負載，電晶體基－射極的導通定電壓為0.8V下，求該電晶體於集極端的電壓約為多少？
　(111年度初等考題)　

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14. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，求其輸出電壓v_out之漣波電壓（ripple voltage）值為何？
　(107年度初等考題)　

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15. 如圖所示之電路，v_in為輸入電壓波形，假設二極體為理想，則其輸出電壓v_out之波形最有可能為下列何者？
　(110年度初等考題)　

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16. 有一增益為A＝10000，單極頻率（single pole frequency）為10⁵ rad/s之放大器，將其置入回饋因素（feedback factor）f＝0.01的回饋迴路，設回饋過程不影響此放大器的開迴路增益（open loop gain），則此放大器之開迴路單一增益頻率（unit gain frequency）為：　(111年度初等考題)　

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17. 對於半波整流電路，若AC電源頻率為60Hz，則其經整流後之漣波頻率為下列何者？　(107年度初等考題)　

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18. 下列關於中心抽頭變壓器全波整流電路的敘述，何者錯誤？　(108年度初等考題)　

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19. 有一個電壓訊號v對時間t的函數為v(t)＝6sin（2πf₁t）＋12sin（2πf₂t）伏特，f₁＝5kHz，f₂＝8kHz。將此電壓訊號加到一個1Ω的電阻之上。問此電阻承受的訊號功率為何？　(109年度初等考題)　

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20. 如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1為理想運算放大器，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知V＝15V、R1＝40kΩ、Rf＝60kΩ、R2＝9kΩ、R3＝3kΩ、R4＝3kΩ、R5＝9kΩ。若v_I＝2V，試求輸出電壓v_O約為多少？
　(108年度初等考題)　

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21. 下列何種電路適合應用於輸出緩衝級？　(108年度初等考題)　

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22. 下列那一個電路是精確半波整流器（precision half-wave rectifier）電路？　(108年度初等考題)　

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23. 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為| V_th |＝0.5V。V_D1＝2V，V_D2＝－2V，V_D＝2V，V_E＝－2V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層？
　(107年度初等考題)　

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24. 若某空乏型NMOS場效電晶體之臨界電壓為V_t，其參數電流I_DSS是電晶體：
　(108年度初等考題)　

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25. 圖示的理想箝位電路中，已知輸入信號v_i (t)及輸出信號v_o (t)的最大值分別為10及6伏特，則偏壓電源V_R為多少？
　(108年度初等考題)　

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26. 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0Ω，若Vi＝＋5V，關於下列電路之敘述，何者正確？　(111年度初等考題)　

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27. 如圖所示之運算放大器電路，其中A_o＝∞，求此電路之電壓增益為何？　(108年度初等考題)　

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28. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_o/v_id：
　(110年度初等考題)　

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29. 漣波因素（ripple factor）或漣波百分比（r%）用以評比整流－濾波電路之優劣，已知各種整流濾波電路所提供之相關資訊如輸出信號之有效值電壓V_o(rms)＝A、平均值電壓V_o(dc)＝B伏特、漣波電壓有效值V_r(rms)＝C伏特，那一選項中電路的濾波效果最佳？　(109年度初等考題)　

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30. 如圖電路，已知R＝10kΩ和C＝0.01μF，輸入為±5V對稱方波，試求輸出三角波電壓在t＝0到t＝t₁的斜率為多少V/sec？
　(109年度初等考題)　

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31. 如圖所示為一NMOS構成的放大器。V_DD＝3V，電晶體之小信號μ_nC_ox＝200μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。電流源非完全理想，有一值為20kΩ的內阻。求小信號增益v_o/v_i：
　(111年度初等考題)　

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32. 如圖所示之電路，二極體為理想，若V_in為一DC值為零且振幅為5V的正弦波，求最高及最低的V_out為何？
　(110年度初等考題)　

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33. 如圖所示之非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF，試問振盪頻率f_o為多少？
　　(107年度初等考題)　

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34. 如圖所示之共射極放大器，I_C＝1mA且V_BE＝0.8V。假設電晶體於飽和時之V_CE(sat)＝0.3V，請問在保持放大器的正常操作下，R_L最大的可允許值為何？
　(107年度初等考題)　

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35. 如圖電路中，將訊號源連接在輸入端V₁和V₂之間，所看到的輸入電阻為R_in1；將訊號源同時連接在輸入端V₁和V₂上，所看到的輸入電阻為R_in2，其值分別為何？
　(110年度初等考題)　

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36. 如圖所示為一考畢子振盪器（Colpitts Oscillator）電路，其偏壓電路並沒有畫出來。電晶體Q之g_m＝10mA/V，R_E＝1kΩ，L＝20μH，C₁＝25pF，C₂＝100pF。假若電晶體由基極視入的阻抗大到可以忽略。求電路的振盪頻率？
　(109年度初等考題)　

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37. 如圖示截波電路，其中輸入信號v_i(t)為振幅12伏特的弦波且D為理想二極體，如果要得到峰對峰電壓值為16伏特的輸出信號，則偏壓電源V_R應為多少？
　(110年度初等考題)　

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38. 雙極性電晶體（BJT）若工作在截止區時：　(111年度初等考題)　

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39. 如圖所示為一CMOS反相器，電晶體之μ_nC_ox＝μ_pC_ox；兩電晶體之W/L相同；V_tn＝| V_tp |。反相器之負載為電容C_L。若輸入的信號v_i為方波，其高電位為V_DD、低電位為0，週期為T。問流過電晶體Q_P的平均電流？
　(109年度初等考題)　

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40. 如圖所示之射極隨耦器之v_o/v_i最接近值為何？假設電流源為理想且1kT/q＝1V_T＝26mV。
　(109年度初等考題)　

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41. 圖示為某V_t＝1V之NMOS場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓V_D之敘述，何者正確？
　(110年度初等考題)　

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42. 如圖為一共閘（CG）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o→∞，則此放大器的電壓增益為何？
　(108年度初等考題)　

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43. 若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時，飽和電流（saturation current）為I_o，已知溫度每變化1°C，飽和電流變化約7%，試問溫度增加10°C，飽和電流如何變化？　(108年度初等考題)　

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44. 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓v_I的波形如下所示，V_DD＝5V，假設兩個電晶體Q_P、Q_N的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為| V_th |＝0.5V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即。試研判下列波形何者最接近輸出電壓v_O的波形？
　(107年度初等考題)　

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45. 圖示MOS場效電晶體電路，電晶體之V_t＝1V、μ_nC_ox(W/L)＝1mA/V²，若要使電晶體在飽和區工作，電壓V_D最小值應為多少？
　(108年度初等考題)　

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46. 圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±10V，R₁＝10kΩ、R₂＝30kΩ，輸出電壓v_O原為＋10V，輸入電壓v_I為下列何電位時，輸出v_O將為－10V？
　(108年度初等考題)　

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47. 圖示截波電路中，齊納（Zener）二極體D₁與D₂於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為V_Z1＝5V與V_Z2＝7V，當輸入信號v_i(t)＝10sin (ωt)伏特時，求輸出信號v_o(t)的峰對峰電壓值為多少伏特？
　(109年度初等考題)　

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48. 如圖為MOSFET差動式放大器，已知電晶體Q₁和Q₂的臨界電壓V_TH、轉導g_m、輸出阻抗r_o等參數均相同，試求差動增益A_d＝v_od/v_id之值？
　(109年度初等考題)　

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49. 雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗r_o，是下列何種效應所造成？　(110年度初等考題)　

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50. 下圖所示之電路中，若變壓器二次側v_S＝V_m sinωt，則輸出電阻R之v_R波形為何？
　(108年度初等考題)　

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