單選題 每題2分

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1. MOSFET的小訊號模型中，汲極的等效輸出電阻r_o與下列何者成正比？　(109年度初等考題)　

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2. 有一p通道接面場效電晶體的V_GS(off)＝＋4V，I_DSS＝6mA，則當V_GS＝＋6V時，此電晶體的I_D為多少？　(110年度初等考題)　

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3. 若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β＝50，爾利電壓（Early voltage, V_A）＝10V，g_m＝10mA/V，熱電壓（thermal voltage）＝25mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？
　(110年度初等考題)　

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4. 振幅為8伏特的三角形週期波信號輸入如圖所示之截波電路（D為理想二極體），決定輸出信號v_o(t)的平均值電壓為多少伏特？
　(109年度初等考題)　

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5. 如圖所示之電路，其輸入電源為正弦波，假設二極體之壓降皆為0.7V，而此電路之輸出電壓v_out之峰值為12V，則此輸入電源之電壓均方根值（rms）約為多少？
　(108年度初等考題)　

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6. 圖示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±10V，二極體導通時兩端電壓為0.7V，輸入電壓v_I為＋1V，則v_O為若干V？
　(109年度初等考題)　

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7. 下列關於中心抽頭變壓器全波整流電路的敘述，何者錯誤？　(108年度初等考題)　

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8. 如圖所示為一考畢子振盪器（Colpitts Oscillator）電路，其偏壓電路並沒有畫出來。電晶體Q之g_m＝10mA/V，R_E＝1kΩ，L＝20μH，C₁＝25pF，C₂＝100pF。假若電晶體由基極視入的阻抗大到可以忽略。求電路的振盪頻率？
　(109年度初等考題)　

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9. 下列那一個電路是精確半波整流器（precision half-wave rectifier）電路？　(108年度初等考題)　

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10. 如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1為理想運算放大器，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知V＝15V、R1＝40kΩ、Rf＝60kΩ、R2＝9kΩ、R3＝3kΩ、R4＝3kΩ、R5＝9kΩ。若v_I＝2V，試求輸出電壓v_O約為多少？
　(108年度初等考題)　

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11. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_o/v_id：
　(110年度初等考題)　

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12. 如圖所示為史密特觸發電路及其輸入－輸出轉移特性曲線，其中OPA為理想，若R₂為3kΩ，則R₁的電阻值約為多少？
　(107年度初等考題)　

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13. 如圖所示之電路，假定β＝100且V_BE(on)＝0.7V，若電晶體之直流工作點V_CEQ＝5V且I_CQ＝10mA，求R_B之值為何？
　(107年度初等考題)　

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14. 下列何種矽電晶體具有常閉型通道？　(111年度初等考題)　

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15. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₂在時間點T最可能的工作模式：
　(109年度初等考題)　

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16. 如圖所示之電路，已知V_T＝26mV，其中電晶體之參數為：β＝150，V_BE(on)＝0.7V，且爾利（Early）電壓V_A為∞，求此電路之小信號電壓增益值約為何？
　(108年度初等考題)　

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17. 圖中二極體D₁之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，電容C兩端之初始電壓為0V，下列何者正確？
　(110年度初等考題)　

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18. 如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出電壓的影響，試求電路上的電阻R＝？
　(110年度初等考題)　

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19. v_i(t)＝8sin(ωt)伏特通過圖示的理想箝位電路，輸出信號的最大值與最小值分別為A與B，則A＋B之值為多少？
　(107年度初等考題)　

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20. 圖示為某V_t＝1V之NMOS場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓V_D之敘述，何者正確？
　(110年度初等考題)　

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21. 一個雙極性接面電晶體，其單一增益（unity-gain）頻率f_T＝20GHz，在I_c＝1mA下，電晶體增益β＝120，則電晶體的頻寬約為多少？　(108年度初等考題)　

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22. 如圖所示之電路，v_in為輸入電壓波形，假設二極體為理想，則其輸出電壓v_out之波形最有可能為下列何者？
　(110年度初等考題)　

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23. 如圖所示之電路，假設電晶體M之參數如下：μ_nC_ox＝200μA/V²，V_TH＝0.4V且λ＝0；若跨在電阻R_S上之電壓為300mV，欲使M維持在飽和區之最小可容許之W/L值為何？
　(109年度初等考題)　

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24. 在雙極接面電晶體的共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）三種組態中，何者之電流增益小於1？　(110年度初等考題)　

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25. 於積體電路設計中使用主動負載的放大器，相對於使用被動負載，其好處不包含下列何者？　(111年度初等考題)　

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26. 如圖所示為一CMOS反相器，電晶體之μ_nC_ox＝μ_pC_ox；兩電晶體之W/L相同；V_tn＝| V_tp |。反相器之負載為電容C_L。若輸入的信號v_i為方波，其高電位為V_DD、低電位為0，週期為T。問流過電晶體Q_P的平均電流？
　(109年度初等考題)　

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27. 如圖雙穩態電路，其R₁＝10kΩ且R₂＝16kΩ，若在t＝0時輸出電壓V_o飽和在－13V；當在t＞0時，輸入電壓v_I＜－5V，輸出電壓V_o會在什麼狀態？
　(110年度初等考題)　

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28. 分析運算放大器電路時，兩輸入端常視為虛擬短路，其意為何？　(108年度初等考題)　

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29. 已知一運算放大器（OPA）的開路直流增益A_o為100dB和單一增益頻率f_T為10MHz，若此OPA接成非反相輸入（non-inverting input）放大器，其增益A_v為60dB；試問該非反相輸入放大器的頻寬f_H約為多少？　(109年度初等考題)　

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30. 某電路之轉移函數：T(s)＝，當角頻率為10rad/sec時，相角為何？　(111年度初等考題)　

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31. 有一個電壓訊號v對時間t的函數為v(t)＝6sin（2πf₁t）＋12sin（2πf₂t）伏特，f₁＝5kHz，f₂＝8kHz。將此電壓訊號加到一個1Ω的電阻之上。問此電阻承受的訊號功率為何？　(109年度初等考題)　

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32. 如圖電路，已知輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝1MΩ；若在電容器C旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為0.7V，則輸出電壓v_o會在什麼狀態？
　(111年度初等考題)　

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33. 有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為V₃＝1002×V₂－998×V₁，請問其差動電壓增益（differential gain）約為多少？
　(107年度初等考題)　

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34. 有一放大器電路如圖所示，放大器U1為理想的運算放大器，二極體D1順向壓降V_D0＝0.7V。若R1＝1kΩ，輸入電壓V_I＝5V，試問輸出電壓V_o應落在下列何範圍內？
　(108年度初等考題)　

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35. 已知一正弦波經半波整流後之電壓波形v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特(V)？
　(110年度初等考題)　

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36. 如圖所示之放大器電路，電晶體M₁之參數如下：V_th1＝0.4V，μ_n1C_ox＝200μA/V²，且λ₁＝0，假設此電路之小信號輸入阻抗為50Ω，直流偏壓電流I_D＝1mA，求電晶體M₁之W/L值為何？
　(107年度初等考題)　

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37. 圖示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中m表斜率）
　(111年度初等考題)　

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38. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝120，V_T＝26mV，V_BE(on)＝0.7V且爾利（Early）電壓V_A＝∞，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(107年度初等考題)　

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39. 圖示截波電路中，齊納（Zener）二極體D₁與D₂於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為V_Z1＝5V與V_Z2＝7V，當輸入信號v_i(t)＝10sin (ωt)伏特時，求輸出信號v_o(t)的峰對峰電壓值為多少伏特？
　(109年度初等考題)　

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40. 某β＝100之npn雙極性接面電晶體，若I_B＝10μA，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？　(111年度初等考題)　

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41. 一個由理想變壓器及理想二極體等所構成之半波整流器，輸入弦波信號後測得輸出信號之有效值電壓V_o(rms)＝14.14伏特，則流過負載R_L＝2kΩ之峰值電流I_o(p)約為多少？　(107年度初等考題)　

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42. 有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述，下列何者正確？
　(111年度初等考題)　

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43. 有N級放大器，其中每一級的增益A_oN和頻寬ω_HN都完全相同，若該N級放大器串接在一起且N為有限值；試問其總頻寬ω_H相較於單一級放大器的頻寬ω_HN，下列敘述何者正確？　(110年度初等考題)　

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44. 如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為β_npn＝100，1kT/q＝1V_T＝26mV且爾利（Early）電壓V_A＝∞，假定此電路之直流偏壓電流I_C＝4mA，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(109年度初等考題)　

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45. 有一運算放大器（OPA），已知其直流增益為100dB和單一增益頻率f_T為5MHz，試求其－3dB的頻寬f_B為多少？　(109年度初等考題)　

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46. 如圖所示為一NMOS構成的放大器。V_DD＝3V，電晶體之小信號μ_nC_ox＝200μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。電流源非完全理想，有一值為20kΩ的內阻。求小信號增益v_o/v_i：
　(111年度初等考題)　

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47. 如圖放大器電路，試問C₁和C₂耦合（coupling）電容會衰減放大器頻率響應的那一頻段？
　(108年度初等考題)　

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48. 電容器C₁～C₃配合變壓器T及二極體D₁～D₃所構成之倍壓電路如圖，輸入信號v_i(t)＝100sin（377t）伏特、N₁：N₂＝10：1且變壓器與所有二極體均視為理想時，在電路穩態條件下電容器C₁～C₃所跨電壓V_C1～V_C3之敘述何者正確？
　(109年度初等考題)　

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49. 如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為0.6V，β及R₁、R₂均變成原來的1.5倍，電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放大器工作在不失真放大範圍。
　(110年度初等考題)　

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50. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_id/i：
　(111年度初等考題)　

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