單選題 每題2分

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1. 圖中電晶體M1之μ_nC_ox(W/L)＝0.5mA/V²，臨界電壓V_T＝0.8V，若忽略通道調變效應且M1維持操作在飽和區（saturation region），則V_B的最大值為何？
　(107年度考題)　

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2. 下圖中，v_a(t)＝5sin(10t)伏特，v_b(t)＝6sin(10t)伏特，v_c(t)＝7sin(10t)伏特，各二極體之導通電壓皆為0.7V，導通電阻為0Ω，則電阻R之最大電流為何？
　(109年度考題)　

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3. 積體電路中需要製作隔離區，這是因為：　(107年度考題)　

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4. 在高頻電路上若需要獲得最大的頻寬與電壓增益，應選擇下列那一種放大器組態？　(106年度考題)　

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5. 如圖電路，設電晶體之β＝100，R_B＝50kΩ，I＝1mA，V_CC＝3V。若要使電晶體維持工作在主動模式（Active-mode）而不進入飽和模式（Saturation-mode），則R_C可容許之最大值約為：
　(110年度考題)　

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6. 一個NMOS電晶體，其臨界電壓V_t＝0.5V。當輸入端電壓V_GS＝1.5V時之汲極飽和電流I_D＝1mA，則當V_GS增為2.5V時其汲極飽和電流I_D約為多大？　(110年度考題)　

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7. 如圖所示之電路，若二極體之壓降為0.7V且RC時間常數很大，則其穩態輸出電壓之最低電壓值為何？
　(106年度考題)　

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8. 如圖所示為一振盪器。電路中OP AMP輸出的上下限為±10V。v_O1可輸出三角波（triangle wave），求三角波的峰對峰值（peak to peak value）？
　(109年度考題)　

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9. 圖中電晶體之μ_nC_ox(W/L)₁＝μ_nC_ox(W/L)₂＝0.5mA/V²，臨界電壓V_T＝0.8V，若忽略通道調變效應，則V_o＝？
　(108年度考題)　

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10. 有一操作於主動模式（active-mode）的雙極接面電晶體，當集極電流I_C＝2mA，其輸出電阻r_o＝20kΩ，則當I_C＝4mA時，其r_o值為何？　(109年度考題)　

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11. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝100，V_T＝26mV且V_BE(on)＝0.7V，求其小信號輸入電阻R_i之值為何？
　(106年度考題)　

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12. 雙極性電晶體內部電容因米勒效應（Miller Effect）會影響放大器的何種特性？　(106年度考題)　

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13. CMOS場效電晶體是採用何種場效電晶體製作成的？　(106年度考題)　

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14. 變壓器型半波整流電路及中間抽頭變壓器型全波整流電路，當輸入不同弦波信號時，測得兩種電路中二極體所承受之峰值逆向電壓（PIV）剛好均相同時，設半波及全波之輸出信號峰值電壓為V_o1(p)及V_o2(p)，則V_o1(p)：V_o2(p)之比值為何？　(110年度考題)　

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15. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_S(t)＝12sin（120πt）V、R＝10kΩ、C＝47μF。試求輸出電壓v_O的漣波電壓（ripple voltage）值約為多少？
　(108年度考題)　

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16. 圖示電路中，A₁及A₂為理想運算放大器，v_I＝5sinωt (V)，問v_O的平均電壓約為若干？
　(108年度考題)　

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17. 如圖所示之OP AMP為理想。求v_O/v_I。
　(107年度考題)　

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18. 電晶體的射－基極導通電壓視為定值且等於0.7V，如圖之電晶體放大電路中嘗試讓電晶體的輸出直流電壓V_ECQ工作在2.5V時，電阻R約為多少？
　(109年度考題)　

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19. 增強型MOSFET放大器中μ_nC_ox(W/L)＝4mA/V²，已知的電阻值分別為R₁＝600kΩ、R₂＝300kΩ、R₃＝2kΩ及R₄＝1kΩ，且測得流經電阻R₃的直流偏壓電流為2mA，當R₃變為原來的2倍時，該放大器小信號之電壓增益變為原來者約多少倍？放大器之偏壓電路可提供該MOSFET正確的工作區。
　(109年度考題)　

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20. 圖中信號源阻抗R_S＝1kΩ，轉導放大器輸入阻抗R_i＝1kΩ，轉導增益G_ms＝1mA/V，輸出阻抗R_o＝10kΩ，負載阻抗R_L＝10kΩ，則v_o/v_s＝？
　(107年度考題)　

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21. 將一個n-通道增強型MOSFET操作在飽和區，源極接地，以理想電流源注入100μA的汲極電流。此電晶體μ_nC_ox＝20μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。若電晶體的爾利電壓（Early voltage）V_A＝20V，問小信號增益大小的絕對值為多少？　(108年度考題)　

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22. 假設一MOSFET的汲極電流固定，關於其轉導（g_m）的敘述下列何者正確？　(109年度考題)　

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23. 一個正脈波（窄幅波）中，高、低電位各為6伏特與1伏特，對應之工作週期分別為20%與80%。問此正脈波的平均電壓為多少？　(106年度考題)　

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24. 某二階濾波器其轉移函數為T(s)＝，其極點為何？　(109年度考題)　

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25. 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為| V_th |＝0.5V。V_D1＝2V，V_D2＝－2V，V_D＝2V，V_E＝－2V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？
　(106年度考題)　

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26. 下列那一種耦合串級放大器有最佳的低頻響應？　(110年度考題)　

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27. 如圖所示為一箝位電路，若P_D(max)為稽納二極體可承受的最大消耗功率值，則稽納二極體最大容許電流I_Z(max)為何？
　(106年度考題)　

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28. 如圖是由β₁＝5及β₂＝10的兩電晶體構成之達靈頓對電晶體，決定該達靈頓對電路的等效電晶體之電流增益大小約為多少？
　(107年度考題)　

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29. 如圖所示之橋式整流電路，已知V_S＝40sinωt V，若所有二極體皆為理想二極體，則一個二極體之峰值逆向電壓（PIV）為何？
　(107年度考題)　

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30. 如圖所示電路，U₁為理想運算放大器。已知電阻R₁＝1kΩ、R₂＝3kΩ、R₃＝1kΩ、R₄＝3kΩ。求在輸入端v_I2的等效輸入電阻R_in2約為多少？
　(108年度考題)　

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31. 如圖所示為一方波產生電路，如果此電路中所有的電阻值都變成原來的2倍，則輸出訊號的週期將變成原先的多少倍？
　(109年度考題)　

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32. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，則v_o之電壓為何？
　(107年度考題)　

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33. 如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的β＝100，V_BEactive＝0.7V，C_π＝20pF，C_μ＝5pF，忽略爾利效應。V_T＝25mV，求高頻3dB頻率（選最接近之值）？
　(109年度考題)　

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34. 若只需考慮負載電阻R_L與負載電容C_L，如圖所示之放大器的頻寬約為何？
　(110年度考題)　

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35. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝100，V_A＝∞，V_T＝26mV且V_BE(on)＝0.7V，求其小信號電壓增益值為何？
　(108年度考題)　

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36. 圖示為變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路中部分電路，如果想要得到最大功率轉移，則圖式電路中電晶體的集極偏壓電流I_C應約為多少？其中R₁＝50Ω、β＝100、熱電壓V_T＝25mV。
　(107年度考題)　

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37. 設場效電晶體之動態電阻定義為r_d＝△v_DS/△i_D（at △v_GS＝0），今有兩個完全相同的場效電晶體，其動態電阻原皆為r_d，今將其並聯連接後之動態電阻變成：　(106年度考題)　

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38. 圖為理想運算放大器電路，其電壓增益Av＝v_O/v_I為多少？
　(110年度考題)　

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39. 若運算放大器之迴轉率（slew rate）為4π V/μs，當輸入為弦波時其輸出弦波之峰值為5V，求最大不失真頻率為何？　(107年度考題)　

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40. 圖為使用理想運算放大器之電路，若電壓增益A_v＝v_O/v_I＝－100，R₂＝R₄＝100kΩ，R₃＝200kΩ，則R₁為多少？
　(108年度考題)　

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41. 如圖所示之電路，假設二極體皆為理想，v_in＝V_msin (ωt)，且V_m＞3V，則其輸出電壓v_out之波形最有可能為下列何者？
　(110年度考題)　

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42. 圖中電晶體Q1之β＝100，V_BE(on)＝0.7V，試求V_o＝？
　(109年度考題)　

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43. 電晶體放大電路藉由如圖所示的分壓偏壓電路，使得該電晶體的輸出直流電壓工作在V_ECQ＝6V，射－基極的導通定電壓固定為0.8V，求電阻R約為多少？
　(110年度考題)　

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44. 如圖所示為兩個理想OPA構成的三角波產生電路，該兩OPA所施加的直流電源電壓值相同，測得v_O1及v_O2輸出波形的峰到峰值分別為20及16伏特，則R₁的電阻值應約為何？
　(107年度考題)　

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45. 下列表示法，何者是p通道的接面場效電晶體（JFET）？　(109年度考題)　

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46. 如圖所示之電路，設電晶體主動區之電流增益β為40，則使此電晶體進入飽和區之最小I_B值應為多少？
　(109年度考題)　

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47. 如圖所示之電晶體放大器電路中增強型MOSFET的相關參數為μ_nC_ox(W/L)＝2mA/V²和臨界電壓V_th＝1V，測得輸出直流偏壓電壓V_o＝V_DSQ＝6V，該偏壓下電晶體的小信號互導g_m約為多少？
　(106年度考題)　

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48. 如圖所示之電路，當V_IN為5V時，V_OUT為何？假設二極體的開啟電壓（turn-on voltage）為0.8V。
　(107年度考題)　

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49. 在某個瞬間測得流過如圖所示波形產生電路中電容器C＝0.2μF的電流i(t)＝2mA，決定輸出v_O的頻率約為多少Hz？其中兩個理想放大器的直流電源電壓值均為±10伏特。
　(110年度考題)　

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50. 下列有關利用理想運算放大器構成的電壓隨耦器（voltage follower）之特性，何者錯誤？　(110年度考題)　

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