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鐵路特考 » ☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性 » 試題 » 電子學大意 » (收錄106年~110年歷屆試題,每次隨機抽取50題)
單選題
每題2分
1. 如圖所示之電路,假設二極體之壓降為0.7V,則此電路之輸入電壓v
in
-輸出電壓v
out
之特性曲線最有可能為下列何者?
(106年度考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
2. 如圖所示之電路,假設二極體皆為理想,v
in
=V
m
sin (ωt),且V
m
>3V,則其輸出電壓v
out
之波形最有可能為下列何者?
(110年度考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
3. 如圖電路,若輸入v
i
(t)為三角波電壓,則輸出v
o
(t)是什麼波形?
(110年度考題)
(A)正弦波
(B)三角波
(C)脈波
(D)方波。
4. 如圖所示電路,若圖中輸入電壓為V
i
=5V,假設二極體皆為理想二極體,則輸出電壓V
o
為多少?
(108年度考題)
(A)5V
(B)2.5V
(C)-2.5V
(D)-5V。
5. 有一增益為A=100的放大器,將其置入一回饋迴路,設此迴路之回饋因素(feedback factor)為f=0.1,則此系統之封閉迴路增益(closed loop gain)約為多少? (109年度考題)
(A)99
(B)9
(C)0.9
(D)0.09。
6. 有一操作於主動模式(active-mode)的雙極接面電晶體,當集極電流I
C
=2mA,其輸出電阻r
o
=20kΩ,則當I
C
=4mA時,其r
o
值為何? (109年度考題)
(A)約降為10kΩ
(B)約降為14kΩ
(C)仍為20kΩ
(D)約增為40kΩ。
7. 某增強型NMOS場效電晶體的V
t
=0.7V、μ
n
C
ox
(W/L)=50μA/V
2
,今若其源極(Source)電壓0.5V,閘極(Gate)電壓2.5V,汲極(Drain)電壓1.0V,則此電晶體工作在那一區? (110年度考題)
(A)飽和區(Saturation Region)
(B)截止區(Cutoff Region)
(C)三極體區(Triode Region)
(D)主動區(Active Region)。
8. 一個NMOS電晶體,其臨界電壓V
t
=0.5V。當輸入端電壓V
GS
=1.5V時之汲極飽和電流I
D
=1mA,則當V
GS
增為2.5V時其汲極飽和電流I
D
約為多大? (110年度考題)
(A)1mA
(B)2mA
(C)3mA
(D)4mA。
9. 如圖所示二極體電路,假設二極體導通電壓V
D0
=0.7V。已知電壓v
s
(t)=12sin(120πt)V、R
1
=10kΩ、V
DC
=5V。若R
2
=20kΩ,當輸入電壓v
S
為10V時,試求流經二極體D的電流值i
D
約為多少?
(107年度考題)
(A)0mA
(B)0.145mA
(C)0.285mA
(D)0.43mA。
10. 如圖之差動對電路,電晶體之β=100,r
o
→∞,R
C
=4kΩ,I=2mA,V
CC
=-V
EE
=10V,取V
BE(on)
=0.7V,V
CE(sat)
=0.3V,V
T
=25mV,此差動對的差動電壓增益| Ad |約為多大?
(106年度考題)
(A)0
(B)80V/V
(C)160V/V
(D)200V/V。
11. 如圖所示電路,U1為理想運算放大器。假設二極體導通電壓V
D0
=0.7V。已知電阻R1=1kΩ、R2=2kΩ。對於輸出與輸入電壓之間的轉移特性,下列何者正確?
(106年度考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
12. 如圖所示之電晶體工作在主動區,其輸出直流偏壓電流為I
CQ
=3mA,基極端之等效輸入電阻約為多少?(R
1
=2kΩ、R
2
=30kΩ且熱電壓=25mV)。
(107年度考題)
(A)30kΩ
(B)15kΩ
(C)2kΩ
(D)0.5kΩ。
13. 下列何者不是二極體應用上的功能? (110年度考題)
(A)整流
(B)截波
(C)放大
(D)電壓箝位。
14. 下列MOSFET放大器的組態中,何者所需的電源電壓最大? (110年度考題)
(A)共源極(CS)組態
(B)共閘極(CG)組態
(C)共汲極(CD)組態
(D)疊接(cascode)組態。
15. 如圖所示電路,U
1
為理想運算放大器。已知電阻R
1
=1kΩ、R
2
=3kΩ、R
3
=1kΩ、R
4
=3kΩ。求在輸入端v
I2
的等效輸入電阻R
in2
約為多少?
(108年度考題)
(A)1kΩ
(B)3kΩ
(C)4kΩ
(D)8kΩ。
16. 有一N通道空乏型MOSFET的I
DSS
=12mA,夾止電壓V
GS(off)
=-4V,當V
GS
=-3V時,I
D
之值應為多少? (109年度考題)
(A)1mA
(B)0.75mA
(C)0.5mA
(D)0mA。
17. 如圖所示為操作於主動模式(active mode)的雙極接面電晶體的π型小訊號等效電路,若g
m
值增為兩倍,則r
π
值會如何?
(108年度考題)
(A)增為
倍
(B)增為2倍
(C)減為一半
(D)不變。
18. 如圖所示為一施密特(Schmitt)觸發器。OP AMP輸出的上下限為±12V。若要使輸出由正轉負時,v
in
應到達何值?
(106年度考題)
(A)-2.4V
(B)0V
(C)1.2V
(D)2.4V。
19. 圖中二極體D1之導通電壓為0.7V,導通電阻為0Ω,若輸入電壓v
i
(t)=3sin(10t)伏特,則| i |的最大值為何?
(109年度考題)
(A)7mA
(B)10mA
(C)33mA
(D)40mA。
20. 某場效電晶體工作在飽和區,其i
D
-v
GS
關係如圖所示,則此電晶體為:
(109年度考題)
(A)增強型NMOS
(B)增強型PMOS
(C)空乏型NMOS
(D)空乏型PMOS。
21. 在高頻電路上若需要獲得最大的頻寬與電壓增益,應選擇下列那一種放大器組態? (106年度考題)
(A)共閘極組態
(B)共源極組態
(C)共汲極組態
(D)都可以。
22. 半波整流電路以及半波整流-電容濾波電路中二極體所承受之峰值逆向電壓(PIV)分別為A伏特與B伏特,所有二極體的順向特性及濾波效果均視為理想且相同的輸入信號為弦波時,A/B之比值約為何? (109年度考題)
(A)0.5
(B)1
(C)2
(D)4。
23. 如圖所示之電路,運算放大器為理想,求此電路之輸出電壓值為何?
(106年度考題)
(A)8V
(B)10V
(C)12V
(D)14V。
24. CMOS場效電晶體的輸出端通常會連接由MOSFET所組成的邏輯電路,其中可能造成CMOS輸出響應的傳輸延遲(propagation delay)主要受到MOSFET內部那個因素影響? (106年度考題)
(A)輸出電阻
(B)輸入電阻
(C)輸出電容
(D)輸入電容。
25. 雙極性電晶體(BJT)若工作在主動作用區時: (107年度考題)
(A)基極-射極接面、基極-集極接面都順偏
(B)基極-射極接面順偏、基極-集極接面逆偏
(C)基極-射極接面逆偏、基極-集極接面順偏
(D)基極-射極接面、基極-集極接面都逆偏。
26. 如圖所示二極體電路,假設二極體導通電壓V
D0
=0.7V。已知電壓v
s
(t)=12sin(120πt)V,在穩態時輸出電壓v
O
的電壓值約為多少?
(110年度考題)
(A)-22.6V
(B)-10.6V
(C)10.6V
(D)22.6V。
27. 設圖中所示電晶體的射極電壓為1V,又設| V
BE
|=0.7V,則其α為?
(110年度考題)
(A)1.52
(B)0.98
(C)0.54
(D)0.11。
28. CB-CE串級放大電路中電晶體之β
1
=β
2
=100,各級放大電路中的射極直流偏壓電流均為2.5mA,且第2級放大電路的輸入電阻R
i2
=20kΩ,決定該串級放大電路的總電壓增益大小約為多少?熱電壓V
T
=25mV。
(106年度考題)
(A)80
(B)200
(C)240
(D)360。
29. 如圖所示具有反交聯電容器C
1
的增強型MOSFET放大器中μ
n
C
ox
(W/L)=4mA/V
2
,流經3kΩ的直流偏壓電流為2mA,輸入交流弦波信號v
i
的振幅為0.2V,輸出交流信號的振幅為多少?
(107年度考題)
(A)0.8V
(B)2V
(C)4V
(D)8V。
30. 如圖是由β
1
=5及β
2
=10的兩電晶體構成之達靈頓對電晶體,決定該達靈頓對電路的等效電晶體之電流增益大小約為多少?
(107年度考題)
(A)5
(B)15
(C)50
(D)65。
31. 積體電路中需要製作隔離區,這是因為: (107年度考題)
(A)方便作電路測試
(B)避免元件受機械損害
(C)避免元件受熱損害
(D)減少電路中各元件間之電性相互作用。
32. 如圖所示之電路,如A
o
=∞,電容器初始壓降V
C
(0)=0,輸入訊號為一弦波,假使輸出振幅為輸入訊號振幅的5倍且RC=0.8μs,則輸入訊號之頻率值為何?
(109年度考題)
(A)1MHz
(B)2MHz
(C)3MHz
(D)4MHz。
33. 假設一MOSFET的汲極電流固定,關於其轉導(g
m
)的敘述下列何者正確? (109年度考題)
(A)g
m
正比於
(B)g
m
正比於
(C)g
m
正比於MOSFET的過驅電壓(V
GS
-V
TH
)
(D)g
m
正比於W/L。
34. 增強型MOSFET放大器中μ
n
C
ox
(W/L)=4mA/V
2
,已知的電阻值分別為R
1
=600kΩ、R
2
=300kΩ、R
3
=2kΩ及R
4
=1kΩ,且測得流經電阻R
3
的直流偏壓電流為2mA,當R
3
變為原來的2倍時,該放大器小信號之電壓增益變為原來者約多少倍?放大器之偏壓電路可提供該MOSFET正確的工作區。
(109年度考題)
(A)0.5倍
(B)1倍
(C)2倍
(D)4倍。
35. 有一理想二極體,在順向偏壓0.7V時導通電流為10mA。今取10個完全相同的二極體串聯之,並施以0.7V的偏壓,則此電路的導通電流約為: (109年度考題)
(A)∞
(B)100mA
(C)1mA
(D)非常小,近於0mA。
36. 若運算放大器之迴轉率(slew rate)為4π V/μs,當輸入為弦波時其輸出弦波之峰值為5V,求最大不失真頻率為何? (107年度考題)
(A)300kHz
(B)400kHz
(C)500kHz
(D)600kHz。
37. 一個N通道MOSFET元件,其源/汲極結構會是金屬與何種半導體接觸形成? (110年度考題)
(A)N
-
井區
(B)P
-
井區
(C)N
+
區
(D)P
+
區。
38. 如圖所示電路,U
1
為理想運算放大器。假設二極體導通電壓V
D0
=0.7V,已知電阻R
1
=1kΩ、R
2
=2kΩ、R
3
=1kΩ、V
CC
=-5V。當v
I
=3V時,對於節點B的電壓v
B
,下列敘述何者正確?
(110年度考題)
(A)v
B
>2.5V
(B)0V<v
B
≤ 2.5V
(C)-2.5V<v
B
≤ 0V
(D)v
B
≤-2.5V。
39. 有一積體電路晶片的腳位布局圖(pin layout)如下所示,請問第10隻腳為下列何者?
(110年度考題)
(A)OUT1
(B)IN2B
(C)IN3A
(D)IN4B。
40. 圖示RC耦合串級放大電路的總電壓增益為60dB,將第1級放大電路的偏壓電阻值R
1
與R
2
均變為原來的2倍後,假設各級放大電路仍正常工作,總電壓增益約為多少?
(108年度考題)
(A)200
(B)400
(C)500
(D)1000。
41. 如圖所示為一共射極放大電路及其電晶體的部分輸出特性,基-射極接面(BEJ)於導通時因壓降變化不大而視為常數=0.7V,R
B
=40kΩ時,欲得到6V的輸出直流工作點,R
C
約多少?
(110年度考題)
(A)1.5kΩ
(B)2kΩ
(C)2.4kΩ
(D)3.2kΩ。
42. 如圖所示之電路,二極體導通之壓降為0.7V,RC≫v
i
之週期,求電路穩態時之V
3
為何?
(108年度考題)
(A)4.3V
(B)5.7V
(C)9.3V
(D)12.7V。
43. 如圖電路若電晶體操作於飽和區,下列何種方式可使電晶體進入主動區?
(110年度考題)
(A)減低R
B
(B)提高V
CC
(C)增加R
E
(D)減低I
C
。
44. 使用有中心抽頭變壓器作為全波整流電路時,最少需搭配使用幾個二極體? (109年度考題)
(A)1個
(B)2個
(C)3個
(D)4個。
45. 在積體電路中,有關二氧化矽(SiO
2
)的角色,下列敘述何者正確? (108年度考題)
(A)它讓擴散物質通過
(B)它的熱傳導性高
(C)它可保護且使矽表面絕緣
(D)它可控制擴散物質的濃度。
46. 下列有關利用理想運算放大器構成的電壓隨耦器(voltage follower)之特性,何者錯誤? (110年度考題)
(A)回授電阻值為零
(B)反相端接地
(C)電壓增益為1
(D)在訊號源與負載間插入電壓隨耦器,可消除負載效應。
47. 如圖變壓器交連電晶體放大器,若電晶體Q的電流增益為β=100,Is=10mA,熱電壓(thermal voltage)V
T
=25mV,圈數比n=10;試求由負載端R
L
側看入的輸出阻抗R
o
約為多少?
(106年度考題)
(A)250mΩ
(B)25mΩ
(C)2.5mΩ
(D)0.25mΩ。
48. 下列何者不是共基極放大器的特性? (110年度考題)
(A)輸入阻抗低
(B)輸出阻抗高
(C)輸入與輸出訊號同相
(D)頻寬受到米勒效應的限制。
49. 有一差動放大器的共模增益A
C
=20,差模增益A
d
=180,則其共模拒斥比(CMRR)=? (107年度考題)
(A)180
(B)20
(C)9
(D)1/9。
50. 如圖電路為具有電阻r
b
=500Ω的混合π等效電路。如果電晶體偏壓在集極電流I
CQ
=2mA時,其相關參數為β=100、C
1
=2nF,且熱電壓V
T
=0.026V。則此電路之-3dB頻率約為多少?
(107年度考題)
(A)201 kHz
(B)211 kHz
(C)221 kHz
(D)231 kHz。