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鐵路特考 » ☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性 » 試題 » 電子學大意 » (收錄106年~110年歷屆試題,每次隨機抽取50題)
單選題
每題2分
1. 當一npn電晶體工作在飽和模式(Saturation-Mode)時,下列敘述何者最有可能是錯誤的? (107年度考題)
(A)V
BE
約為0.7V
(B)V
BC
約為0.5V
(C)V
CE
約為0.2V
(D)I
C
飽和在I
sat
的定值。
2. 設場效電晶體之動態電阻定義為r
d
=△v
DS
/△i
D
(at △v
GS
=0),今有兩個完全相同的場效電晶體,其動態電阻原皆為r
d
,今將其並聯連接後之動態電阻變成: (106年度考題)
(A)∞
(B)2r
d
(C)r
d
(D)0.5r
d
。
3. 如圖所示之電路,假設二極體為理想,試求輸出電壓之最大負值為何?
(110年度考題)
(A)-2V
(B)-4V
(C)-6V
(D)-8V。
4. 如圖所示電路,U1為理想運算放大器。假設二極體導通電壓V
D0
=0.7V。已知電阻R1=1kΩ、R2=2kΩ。對於輸出與輸入電壓之間的轉移特性,下列何者正確?
(106年度考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
5. 圖中電晶體M1操作在飽和區(saturation region),輸出阻抗r
o
=10kΩ,轉導值g
m
=10mA/V。電流源I的內阻為10kΩ,且負載電阻R
L
亦為10kΩ。則| v
o
/v
s
|=?
(106年度考題)
(A)100/103
(B)1
(C)9/10
(D)100/3。
6. 如圖為一齊納二極體電路,此齊納二極體流過的電流必須大於0.2mA才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略,問負載電阻R
L
最少應為多少?
(110年度考題)
(A)0.5kΩ
(B)1.1kΩ
(C)1.5kΩ
(D)34kΩ。
7. 半波整流電路以及半波整流-電容濾波電路中二極體所承受之峰值逆向電壓(PIV)分別為A伏特與B伏特,所有二極體的順向特性及濾波效果均視為理想且相同的輸入信號為弦波時,A/B之比值約為何? (109年度考題)
(A)0.5
(B)1
(C)2
(D)4。
8. 如圖所示為一箝位電路,若P
D(max)
為稽納二極體可承受的最大消耗功率值,則稽納二極體最大容許電流I
Z(max)
為何?
(106年度考題)
(A)10mA
(B)25mA
(C)50mA
(D)500mA。
9. 如圖所示之電路,二極體導通之壓降為0.7V,RC≫v
i
之週期,求電路穩態時之V
3
為何?
(108年度考題)
(A)4.3V
(B)5.7V
(C)9.3V
(D)12.7V。
10. 如圖所示之電路,二極體皆為理想,有關此電路之敘述,下列何者正確?
(108年度考題)
(A)C
1
的耐壓為2V
m
(B)D
1
的峰值反向電壓為V
m
(C)V
O
之值為2V
m
(D)D
2
的峰值反向電壓為2V
m
。
11. 一個3級直接耦合串級放大電路的輸入端與輸出端電阻分別為R
i
=2kΩ與R
o
=1kΩ,各單級放大器的電壓增益分別為-50、-3dB、及20,決定該串級放大電路的功率增益為多少dB? (110年度考題)
(A)-20dB
(B)-3dB
(C)60dB
(D)127dB。
12. 分析如圖之電路,若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g
m
為1mA/V,忽略元件之輸出阻抗r
o
,試求其共模增益V
o
/V
icm
=?
(108年度考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
。
13. 在電晶體的小訊號π模型中,訊號的放大機制如何表示? (107年度考題)
(A)電流控制電壓源
(B)電流控制電流源
(C)電壓控制電壓源
(D)電壓控制電流源。
14. 圖電路中雙極性接面電晶體之增益β=100,小訊號參數r
π
=1.44kΩ,則此電路之轉角頻率(corner frequency)約為多少?
(108年度考題)
(A)23.2Hz
(B)30.2Hz
(C)37.2Hz
(D)44.2Hz。
15. 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為| V
th
|=0.5V。V
D1
=2V,V
D2
=-2V,V
D
=2V,V
E
=-2V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者?
(106年度考題)
(A)N-channel MOSFET(N通道金氧半場效電晶體)
(B)P-channel MOSFET(P通道金氧半場效電晶體)
(C)CMOSFET(互補式金氧半場效電晶體)
(D)FIN FET(鰭式場效電晶體)。
16. 轉導(G
m
)放大器之輸入與輸出阻抗特性之敘述,下列何者正確? (108年度考題)
(A)輸入應為低阻抗
(B)輸出應為高阻抗
(C)輸入阻抗與電流放大器之輸入特性相似
(D)輸出阻抗與電壓放大器之輸出特性相似。
17. 某二階帶通濾波器的中心頻率為10
6
rad/s,中心頻率的增益為10,3dB的頻寬為10
3
rad/s,求其品質因素值(Q-factor)為何? (106年度考題)
(A)10
2
(B)10
3
(C)10
4
(D)10
5
。
18. 如圖所示為操作於主動模式(active mode)的雙極接面電晶體的π型小訊號等效電路,若g
m
值增為兩倍,則r
π
值會如何?
(108年度考題)
(A)增為
倍
(B)增為2倍
(C)減為一半
(D)不變。
19. 如圖電路若電晶體操作於飽和區,下列何種方式可使電晶體進入主動區?
(110年度考題)
(A)減低R
B
(B)提高V
CC
(C)增加R
E
(D)減低I
C
。
20. CMOS場效電晶體的輸出端通常會連接由MOSFET所組成的邏輯電路,其中可能造成CMOS輸出響應的傳輸延遲(propagation delay)主要受到MOSFET內部那個因素影響? (106年度考題)
(A)輸出電阻
(B)輸入電阻
(C)輸出電容
(D)輸入電容。
21. 如圖所示之電路,假設二極體之壓降為0.7V,則此電路之輸入電壓v
in
-輸出電壓v
out
之特性曲線最有可能為下列何者?
(106年度考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
22. 電晶體的射-基極導通電壓視為定值且等於0.7V,如圖之電晶體放大電路中嘗試讓電晶體的輸出直流電壓V
ECQ
工作在2.5V時,電阻R約為多少?
(109年度考題)
(A)0.5kΩ
(B)1.5kΩ
(C)2.5kΩ
(D)3.5kΩ。
23. 圖示放大器電路中的電容C
S
主要功用為何?
(106年度考題)
(A)提升輸入阻抗
(B)提升電壓增益
(C)提升高頻3dB截止頻率
(D)頻率補償。
24. 有一理想二極體,在順向偏壓0.7V時導通電流為10mA。今取10個完全相同的二極體串聯之,並施以0.7V的偏壓,則此電路的導通電流約為: (109年度考題)
(A)∞
(B)100mA
(C)1mA
(D)非常小,近於0mA。
25. 圖中電晶體之μ
n
C
ox
(W/L)
1
=μ
n
C
ox
(W/L)
2
=0.5mA/V
2
,臨界電壓V
T
=0.8V,若忽略通道調變效應,則V
o
=?
(108年度考題)
(A)0.54V
(B)0.84V
(C)1.24V
(D)2.24V。
26. 有一雙極接面電晶體,其I
S
=10
-
15
A,爾利電壓(Early voltage)V
A
=50V且V
CEsat
=0.4V,若室溫時其轉導值(transconductance)為1/26 S,則此電路之偏壓電流I
C
應為多少? (109年度考題)
(A)10mA
(B)1mA
(C)100μA
(D)10μA。
27. 圖示電路,若電流源I為1mA、R
C
=1kΩ,電晶體電流放大率β=100,則電壓增益v
o
/v
i
約為若干?
(107年度考題)
(A)-100
(B)-40
(C)20
(D)40。
28. 如圖所示之電路,其為何種濾波器?
(108年度考題)
(A)低通
(B)帶通
(C)高通
(D)全通。
29. 如圖所示之電路,假設電容器初始壓降V
C
(0)=0,則輸出電壓振幅為輸入電壓振幅V
P
之幾倍?
(107年度考題)
(A)26.5
(B)30.5
(C)36.5
(D)39.5。
30. 有一JFET,其I
DSS
=12mA,V
GS(off)
=-4V,則在偏壓點V
GS
=-1.5V時,此JFET的g
m
值為何? (106年度考題)
(A)7.5毫姆歐
(B)7.5毫歐姆
(C)3.75毫姆歐
(D)3.75毫歐姆。
31. 一個n通道MOSFET,若其閘極-汲極電容C
gd
=10fF,閘極-源極電容C
gs
=50fF,轉導g
m
=1.2mA/V,則此MOSFET之單一增益頻率(unity-gain frequency)約為多少?(f=10
-
15
) (108年度考題)
(A)1.18GHz
(B)2.18GHz
(C)3.18GHz
(D)4.18GHz。
32. 圖示為部分的電晶體共射極放大電路,與電容器C有關功能的敘述,下列何者正確?
(110年度考題)
(A)用於隔離直流信號但耦接交流信號
(B)用於同時耦接直流、交流信號
(C)用於耦接直流信號但隔離交流信號
(D)用於同時隔離直流、交流信號。
33. 一個正脈波(窄幅波)中,高、低電位各為6伏特與1伏特,對應之工作週期分別為20%與80%。問此正脈波的平均電壓為多少? (106年度考題)
(A)1伏特
(B)2伏特
(C)5伏特
(D)6伏特。
34. 如圖電路,若輸入v
i
(t)為三角波電壓,則輸出v
o
(t)是什麼波形?
(110年度考題)
(A)正弦波
(B)三角波
(C)脈波
(D)方波。
35. 當理想運算放大器接成電壓隨耦器(voltage follower)應用時,下列敘述何者錯誤? (106年度考題)
(A)電壓增益為1
(B)輸入阻抗為無窮大
(C)輸出端接至運算放大器的同相輸入端
(D)輸出阻抗為零。
36. 有一放大器電路如圖所示,放大器U1為理想運算放大器,其輸出電壓範圍侷限在+10V與-10V之間,二極體D1順向電壓V
D0
=0.7V。若電阻R1=1kΩ,電源V
I
=-5V,試問節點B的電壓V
B
應落在下列何範圍內?
(106年度考題)
(A)V
B
≧-4.0V
(B)-4.0V>V
B
≧-4.5V
(C)-4.5V>V
B
≧-5.0V
(D)-5.0V>V
B
。
37. 圖中之電路若二極體之導通電壓與導通電阻皆為0,電容C
1
與C
2
之初始電壓皆為0V,v
i
(t)=10sin(10t)伏特,於穩態時,下列敘述何者正確?
(110年度考題)
(A)v
o
(t)=5sin(10t)伏特
(B)v
o
(t)=10sin(10t)伏特
(C)v
o
(t)=20sin(10t)伏特
(D)v
o
(t)=20伏特。
38. 如圖所示之OP AMP為理想。求v
O
/v
I
。
(107年度考題)
(A)-2k
(B)-3k
(C)-(2+k)k
(D)-3(1+k)k。
39. 圖示威爾遜電流鏡(Wilson current mirror)電路,各電晶體特性完全相同,I
O
為輸出電流,R
O
為輸出阻抗,相較於一般的基本電流鏡電路,有關威爾遜電流鏡電路的敘述,下列何者錯誤?
(109年度考題)
(A)降低I
O
/I
REF
之比例
(B)降低電晶體之β效應
(C)提高輸出阻抗R
O
(D)穩定輸出電流I
O
。
40. 一個NPN雙極性電晶體,β=100且操作在主動區(active region)。若集極對射極的電壓為5V,集極電流為1mA。熱電壓V
T
=0.025V。求由基極視入的基射極小信號電阻r
π
? (108年度考題)
(A)25Ω
(B)50Ω
(C)2.5kΩ
(D)5kΩ。
41. 雙極性電晶體(BJT)若工作在主動作用區時: (107年度考題)
(A)基極-射極接面、基極-集極接面都順偏
(B)基極-射極接面順偏、基極-集極接面逆偏
(C)基極-射極接面逆偏、基極-集極接面順偏
(D)基極-射極接面、基極-集極接面都逆偏。
42. 有一增益為A=100的放大器,將其置入一回饋迴路,設此迴路之回饋因素(feedback factor)為f=0.1,則此系統之封閉迴路增益(closed loop gain)約為多少? (109年度考題)
(A)99
(B)9
(C)0.9
(D)0.09。
43. 如圖所示電路,U
1
為理想運算放大器。假設二極體導通電壓V
D0
=0.7V,已知電阻R
1
=1kΩ、R
2
=2kΩ、R
3
=1kΩ、V
CC
=-5V。當v
I
=3V時,對於節點B的電壓v
B
,下列敘述何者正確?
(110年度考題)
(A)v
B
>2.5V
(B)0V<v
B
≤ 2.5V
(C)-2.5V<v
B
≤ 0V
(D)v
B
≤-2.5V。
44. 如圖所示為兩個理想OPA構成的三角波產生電路,該兩OPA所施加的直流電源電壓值相同,測得v
O1
及v
O2
輸出波形的峰到峰值分別為20及16伏特,則R
1
的電阻值應約為何?
(107年度考題)
(A)5kΩ
(B)4kΩ
(C)3kΩ
(D)2kΩ。
45. 如圖所示為一振盪器。電路中OP AMP輸出的上下限為±10V。v
O1
可輸出三角波(triangle wave),求三角波的峰對峰值(peak to peak value)?
(109年度考題)
(A)1V
(B)2V
(C)10V
(D)20V。
46. 下列有關FET與BJT特性比較的敘述,何者最為正確? (106年度考題)
(A)BJT雜訊較低
(B)FET輸入阻抗較高
(C)BJT高頻響應較差
(D)FET增益頻寬的乘積較BJT為大。
47. 如圖電路為具有電阻r
b
=500Ω的混合π等效電路。如果電晶體偏壓在集極電流I
CQ
=2mA時,其相關參數為β=100、C
1
=2nF,且熱電壓V
T
=0.026V。則此電路之-3dB頻率約為多少?
(107年度考題)
(A)201 kHz
(B)211 kHz
(C)221 kHz
(D)231 kHz。
48. 下列有關利用理想運算放大器構成的電壓隨耦器(voltage follower)之特性,何者錯誤? (110年度考題)
(A)回授電阻值為零
(B)反相端接地
(C)電壓增益為1
(D)在訊號源與負載間插入電壓隨耦器,可消除負載效應。
49. 關於金氧半場效電晶體(MOSFET)的小信號模型,下列敘述何者錯誤?
(108年度考題)
(A)在特定(W/L)的條件下,r
o
與偏壓電流成正比
(B)在特定(W/L)的條件下,偏壓電流越大則g
m
越大
(C)在特定(W/L)的條件下,元件的直流偏壓V
GS
越大則g
m
越大
(D)對共源級(common source)放大器而言,輸入阻抗為無窮大。
50. 下列電晶體組態中,何者兼具大於1之電流增益以及電壓增益? (110年度考題)
(A)共射(CE)
(B)共基(CB)
(C)共集(CC)
(D)共閘(CG)。