單選題 每題2分

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1. 如圖所示電路，U₁為理想運算放大器。已知電阻R₁＝1kΩ、R₂＝3kΩ、R₃＝1kΩ、R₄＝3kΩ。求在輸入端v_I2的等效輸入電阻R_in2約為多少？
　(108年度考題)　

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2. 如圖為哈特來振盪器（Hartley Oscillator），已知L₁＝0.05mH和L₂＝0.01mH和C＝60nF，試求振盪頻率f_o約為多少？
　(108年度考題)　

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3. 如圖所示之OP AMP為理想。求v_O/v_I。
　(107年度考題)　

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4. 如圖所示為雙極性電晶體Q接成共射極組態，已知電晶體之電流增益為β且集－基極接面的逆向飽和電流為I_CBO，若i_B＝0且V_CE＞0時，則電晶體Q的i_E＝？
　(110年度考題)　

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5. 設圖中所示電晶體的射極電壓為1V，又設| V_BE |＝0.7V，則其α為？
　(110年度考題)　

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6. 圖為理想運算放大器電路，其電壓增益Av＝v_O/v_I為多少？
　(110年度考題)　

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7. 某pn接面二極體在固定電流順偏導通下，下列敘述何者正確？　(108年度考題)　

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8. 下列有關FET與BJT特性比較的敘述，何者最為正確？　(106年度考題)　

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9. 若雙極性電晶體（BJT）的βI_B＝I_C時，則電晶體操作在：　(107年度考題)　

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10. 圖示截波電路（D為理想二極體）及其輸入信號v_i (t)＝10sin (ωt)伏特，已知輸出信號v_o的峰對峰電壓值為4伏特，則偏壓電源V_R應該是多少伏特？
　(110年度考題)　

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11. 如圖電路，已知輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF；若在電容器C旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為0.7V，則輸出電壓v_o會在什麼狀態？
　(110年度考題)　

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12. 圖示RC耦合串級放大電路的總電壓增益為60dB，將第1級放大電路的偏壓電阻值R₁與R₂均變為原來的2倍後，假設各級放大電路仍正常工作，總電壓增益約為多少？
　(108年度考題)　

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13. 如圖所示為一個具有偏壓電源V_R的施密特觸發電路（OPA視為理想），其輸入－輸出（v_I－v_O）轉移特性的上、下臨界輸入電壓分別為V_UT＝9伏特、V_LT＝－3伏特，則該偏壓電源V_R約為多少？
　(109年度考題)　

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14. 如圖所示之電路，二極體導通之壓降為0.7V，RC≫v_i之週期，求電路穩態時之V₃為何？
　(108年度考題)　

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15. 如圖振盪器電路中，若R₁＝R₂＝R₃＝1kΩ、R₄＝29kΩ且C₁＝C₂＝C₃＝0.1nF，則振盪頻率約為多少？
　(109年度考題)　

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16. 設計數位電路時，若採用N通道或P通道金氧半場效電晶體（MOSFET），一般情形不會使用到MOSFET的那一個工作區（Operation Region）？　(109年度考題)　

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17. 有一共汲極放大器（common-drain amplifier），其增益為A＝0.9，且C_gs＝50fF，C_gd＝10fF，則其輸入電容（input capacitance）應為多少fF？　(106年度考題)　

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18. 圖中所示的增強型MOSFET具有特性參數包括：臨界電壓V_th＝1V、μ_nC_ox（W/L）＝1mA/V²，如果MOSFET的輸入直流電壓V_GSQ需被設計為3V時，則圖中標示的電阻R值應約多少？
　(110年度考題)　

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19. 下圖中二極體之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，則V_o為何？
　(107年度考題)　

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20. 半波整流－電容濾波電路（二極體視為理想）之輸入信號v_i(t)＝18sin(754t)伏特，如果電容值C＝100μF與負載電阻R_L＝6kΩ之時間常數可形成類似鋸齒波之漣波波形輸出，該電路之漣波因素（r%）為何？　(109年度考題)　

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21. 下列何種電子電路常使用齊納（Zener）二極體？　(106年度考題)　

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22. 雙極性電晶體內部電容因米勒效應（Miller Effect）會影響放大器的何種特性？　(106年度考題)　

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23. 轉導（G_m）放大器之輸入與輸出阻抗特性之敘述，下列何者正確？　(108年度考題)　

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24. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V、R₁＝10kΩ、V_DC＝5V。若R₂＝20kΩ，當輸入電壓v_S為10V時，試求流經二極體D的電流值i_D約為多少？
　(107年度考題)　

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25. 電晶體的射－基極導通電壓視為定值且等於0.7V，如圖之電晶體放大電路中嘗試讓電晶體的輸出直流電壓V_ECQ工作在2.5V時，電阻R約為多少？
　(109年度考題)　

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26. 圖中電晶體M1之μ_nC_ox（W/L）＝1mA/V²，臨界電壓V_T＝0.8V，若忽略通道調變效應，V_I＝1V，V_o＝？
　(110年度考題)　

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27. 如圖電路，若輸入v_i(t)為方波電壓，則輸出v_o(t)是什麼波形？
　(108年度考題)　

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28. 關於金氧半場效電晶體（MOSFET）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
　(108年度考題)　

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29. 將一個n-通道增強型MOSFET操作在飽和區，源極接地，以理想電流源注入100μA的汲極電流。此電晶體μ_nC_ox＝20μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。若電晶體的爾利電壓（Early voltage）V_A＝20V，問小信號增益大小的絕對值為多少？　(108年度考題)　

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30. 一個n通道MOSFET，若其閘極－汲極電容C_gd＝10fF，閘極－源極電容C_gs＝50fF，轉導g_m＝1.2mA/V，則此MOSFET之單一增益頻率（unity-gain frequency）約為多少？（f＝10^－15）　(108年度考題)　

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31. 下列有關積體電路的設計原則，何者錯誤？　(107年度考題)　

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32. 如圖所示為一方波產生電路，如果此電路中所有的電阻值都變成原來的2倍，則輸出訊號的週期將變成原先的多少倍？
　(109年度考題)　

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33. 如圖所示之電路，設電晶體主動區之電流增益β為40，則使此電晶體進入飽和區之最小I_B值應為多少？
　(109年度考題)　

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34. 如圖之差動對電路，電晶體之β＝100，r_o→∞，R_C＝4kΩ，I＝2mA，V_CC＝－V_EE＝10V，取V_BE(on)＝0.7V，V_CE(sat)＝0.3V，V_T＝25mV，此差動對的差動電壓增益| Ad |約為多大？
　(106年度考題)　

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35. 圖中電晶體Q1之β＝100，V_BE(on)＝0.7V，試求V_o＝？
　(109年度考題)　

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36. 某場效電晶體工作在飽和區，其i_D－v_GS關係如圖所示，則此電晶體為：
　(109年度考題)　

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37. 一個NMOS電晶體，其臨界電壓V_t＝0.5V。當輸入端電壓V_GS＝1.5V時之汲極飽和電流I_D＝1mA，則當汲極飽和電流I_D增為4mA時，其V_GS值為多大？　(107年度考題)　

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38. 下列何者屬於理想運算放大器的特性？　(110年度考題)　

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39. 當理想運算放大器接成電壓隨耦器（voltage follower）應用時，下列敘述何者錯誤？　(106年度考題)　

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40. 圖示為變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路中部分電路，如果想要得到最大功率轉移，則圖式電路中電晶體的集極偏壓電流I_C應約為多少？其中R₁＝50Ω、β＝100、熱電壓V_T＝25mV。
　(107年度考題)　

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41. 下列那一種FET在閘極未加電壓時是沒有通道的？　(108年度考題)　

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42. 下圖中二極體D1之導通電壓為0.7V，導通電阻為10Ω，輸入信號為弦波，v_i(t)＝5sin10t V，R1與R2皆為5Ω，則v_o(t)的最小值為何？
　(107年度考題)　

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43. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_S(t)＝12sin（120πt）V、R＝10kΩ、C＝47μF。試求輸出電壓v_O的漣波電壓（ripple voltage）值約為多少？
　(108年度考題)　

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44. 如圖電路若電晶體操作於飽和區，下列何種方式可使電晶體進入主動區？
　(110年度考題)　

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45. 下圖中輸入信號為弦波v_i(t)＝5sin10t伏特，二極體D₁之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω。放大器（Amp）之增益為9V/V，輸入阻抗為無限大，輸出阻抗為0，則輸出v_o(t)之最大值為何？
　(108年度考題)　

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46. 在某個瞬間測得流過如圖所示波形產生電路中電容器C＝0.2μF的電流i(t)＝2mA，決定輸出v_O的頻率約為多少Hz？其中兩個理想放大器的直流電源電壓值均為±10伏特。
　(110年度考題)　

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47. 如圖變壓器交連電晶體放大器，若電晶體Q的電流增益為β＝100，Is＝10mA，熱電壓（thermal voltage）V_T＝25mV，圈數比n＝10；試求由負載端R_L側看入的輸出阻抗R_o約為多少？
　(106年度考題)　

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48. 如圖電路為具有電阻r_b＝500Ω的混合π等效電路。如果電晶體偏壓在集極電流I_CQ＝2mA時，其相關參數為β＝100、C₁＝2nF，且熱電壓V_T＝0.026V。則此電路之－3dB頻率約為多少？
　(107年度考題)　

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49. 共源極接面場效電晶體（JFET）放大器的輸入電阻很大，是因為輸入端為？　(108年度考題)　

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50. 已知某一雙極性接面電晶體的互導為g_m、輸入阻抗為r_π、電流增益為β，試問下列何者正確？　(108年度考題)　

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