單選題 每題2.5分

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1. 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為| V_th |＝0.5V。V_D1＝2V，V_D2＝－2V，V_D＝2V，V_E＝－2V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？
　

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2. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_o/v_i：
　

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3. CMOS場效電晶體是採用何種場效電晶體製作成的？　

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4. 在高頻電路上若需要獲得最大的頻寬與電壓增益，應選擇下列那一種放大器組態？　

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5. 一個正脈波（窄幅波）中，高、低電位各為6伏特與1伏特，對應之工作週期分別為20%與80%。問此正脈波的平均電壓為多少？　

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6. 有一JFET，其I_DSS＝12mA，V_GS(off)＝－4V，則在偏壓點V_GS＝－1.5V時，此JFET的g_m值為何？　

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7. 如圖所示為雙極性電晶體Q接成共射極組態，若逆向飽和電流為I_CBO且電流增益為β，試問電晶體Q的截止條件為何？
　

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8. 有一共汲極放大器（common-drain amplifier），其增益為A＝0.9，且C_gs＝50fF，C_gd＝10fF，則其輸入電容（input capacitance）應為多少fF？　

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9. 下列有關FET與BJT特性比較的敘述，何者最為正確？　

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10. 當理想運算放大器接成電壓隨耦器（voltage follower）應用時，下列敘述何者錯誤？　

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11. 有一放大器電路如圖所示，放大器U1為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在＋10V與－10V之間，二極體D1順向電壓V_D0＝0.7V。若電阻R1＝1kΩ，電源V_I＝－5V，試問節點B的電壓V_B應落在下列何範圍內？
　

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12. 如圖所示之電路，運算放大器為理想，求此電路之輸出電壓值為何？
　

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13. 如圖之箝位電路（D為理想二極體，RC時間常數為無限大），輸入矩形週期波v_i(t)後，得到直流準位為2伏特之輸出信號，則偏壓電源V_R應為多少？
　

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14. 如圖所示之電路，假設輸入電壓V_in為－5V，且所有的二極體皆為理想，輸出電壓V_out為何？
　

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15. 如圖所示為一箝位電路，若P_D(max)為稽納二極體可承受的最大消耗功率值，則稽納二極體最大容許電流I_Z(max)為何？
　

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16. 如圖所示之電路，若D為理想二極體，其輸出波形V_o為何？
　

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17. 圖中二極體D1之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，若輸入電壓v_s(t)＝3sin 5t伏特，R_s＝100Ω，則t＝（3π/10）時，i＝？
　

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18. 如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7V，則此電路之輸入電壓v_in－輸出電壓v_out之特性曲線最有可能為下列何者？
　

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19. 如圖所示之電路，若二極體之壓降為0.7V且RC時間常數很大，則其穩態輸出電壓之最低電壓值為何？
　

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20. 圖示理想運算放大器電路中，二極體導通的電壓降為0.7V，電壓v_O為若干？
　

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21. 下列何種電子電路常使用齊納（Zener）二極體？　

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22. 如圖所示電路，U1為理想運算放大器。假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電阻R1＝1kΩ、R2＝2kΩ。對於輸出與輸入電壓之間的轉移特性，下列何者正確？
　

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23. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝100，V_T＝26mV且V_BE(on)＝0.7V，求其小信號輸入電阻R_i之值為何？
　

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24. 關於共閘極（CG）與共源極放大器（CS）的特性比較，下列敘述何者正確？　

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25. CMOS場效電晶體的輸出端通常會連接由MOSFET所組成的邏輯電路，其中可能造成CMOS輸出響應的傳輸延遲（propagation delay）主要受到MOSFET內部那個因素影響？　

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26. 圖中電晶體M1操作在飽和區（saturation region），輸出阻抗r_o＝10kΩ，轉導值g_m＝10mA/V。電流源I的內阻為10kΩ，且負載電阻R_L亦為10kΩ。則| v_o/v_s |＝？
　

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27. 圖中電晶體操作在主動區（forward active region），β＝99。直流偏壓為V_B，交流輸入信號為v_s，輸出信號為v_o1及v_o2。下列敘述何者正確？
　

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28. 如圖所示之電晶體放大器電路中增強型MOSFET的相關參數為μ_nC_ox(W/L)＝2mA/V²和臨界電壓V_th＝1V，測得輸出直流偏壓電壓V_o＝V_DSQ＝6V，該偏壓下電晶體的小信號互導g_m約為多少？
　

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29. 固定偏壓電路中電晶體基－射極導通時所跨定壓降為V_BEQ＝0.7V，求該電晶體的輸出直流電壓V_CEQ約為多少？
　

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30. 下列差動放大器的共模拒斥比（CMRR）的敘述，何者正確？　

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31. 設場效電晶體之動態電阻定義為r_d＝△v_DS/△i_D（at △v_GS＝0），今有兩個完全相同的場效電晶體，其動態電阻原皆為r_d，今將其並聯連接後之動態電阻變成：　

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32. 如圖之差動對電路，電晶體之β＝100，r_o→∞，R_C＝4kΩ，I＝2mA，V_CC＝－V_EE＝10V，取V_BE(on)＝0.7V，V_CE(sat)＝0.3V，V_T＝25mV，此差動對的差動電壓增益| Ad |約為多大？
　

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33. 雙極性電晶體內部電容因米勒效應（Miller Effect）會影響放大器的何種特性？　

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34. 如圖所示由兩個理想OPA構成的波形產生電路，測得v_O1的頻率與振幅分別為f₁與V_m1，而v_O2的頻率與振幅則分別為f₂與V_m2，如果只有R₂的阻值變為原來的2倍，則下列敘述何者正確？
　

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35. CB-CE串級放大電路中電晶體之β₁＝β₂＝100，各級放大電路中的射極直流偏壓電流均為2.5mA，且第2級放大電路的輸入電阻R_i2＝20kΩ，決定該串級放大電路的總電壓增益大小約為多少？熱電壓V_T＝25mV。
　

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36. 如圖變壓器交連電晶體放大器，若電晶體Q的電流增益為β＝100，Is＝10mA，熱電壓（thermal voltage）V_T＝25mV，圈數比n＝10；試求由負載端R_L側看入的輸出阻抗R_o約為多少？
　

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37. 如圖直接耦合串級放大器電路中，已知電晶體Q₁和Q₂的電流增益分別為β₁＝50和β₂＝100，若Q₁和Q₂的V_BE都是0.7V且輸出阻抗r_o不計，試求電晶體Q₁的射極電流I_E1約為多少？
　

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38. 如圖所示為一施密特（Schmitt）觸發器。OP AMP輸出的上下限為±12V。若要使輸出由正轉負時，v_in應到達何值？
　

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39. 某二階帶通濾波器的中心頻率為10⁶rad/s，中心頻率的增益為10，3dB的頻寬為10³rad/s，求其品質因素值（Q-factor）為何？　

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40. 圖示放大器電路中的電容C_S主要功用為何？
　

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