台電新進雇員|☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性|試題|電子學|(收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題) -鼎文題庫網

1. 如圖所示，假設D₁與D₂為理想二極體，請求出電壓V₂為何？
　(107年12月考題)　

(A)1.5V　

(B)3V　

(D)6V。

2. 有一電源電路之輸出電壓V(t)＝10＋0.2sin (ωt)伏特，則其漣波因數百分比約為多少？　(106年度考題)　

(A)1.41%　

(B)2%　

(D)5.21%。

3. 有關光耦合器的敘述，下列何者有誤？　(104年度考題)

(A)具有將輸入與輸出信號隔離的作用

(B)輸出入共用接地端

(C)可應用在兩不同壓降的電路上

(D)為一電子式元件。

4. 如圖所示之全波整流電路，若欲產生平均值3.18V（伏特）之直流電壓輸出，試求二極體之峰值反向電壓（PIV）值最接近下列何者？
　(110年度考題)　

(A)5V　

(B)10V　

(D)20V。

5. 二極體接逆向偏壓時，其逆向飽和電流I_s之敘述，下列何者正確？　(109年度考題)　

(A)與逆向偏壓成反比　

(B)與逆向偏壓成正比　

(C)與溫度成反比　

(D)與溫度成正比。

6. 如圖所示，電晶體工作於作用區，β＝99，re＝30Ω。若此放大電路之電壓增益Av＝100，試求其R_C約為何？
　(111年度考題)　

(A)2.1 KΩ　

(B)4.3 KΩ　

(D)8.6 KΩ。

7. 如圖所示，若V_GS＝－2.5V，R_S＝2.5kΩ，則V_DS為何？
　(109年度考題)　

(A)8.5V　

(B)9.5V　

(D)11.5V。

8. 相對於單級放大器，有關串級放大器的增益與頻寬之描述，下列何者正確？　(109年度考題)　

(A)增益變大，頻寬變寬　

(B)增益變大，頻寬變窄　

(C)增益變小，頻寬變寬　

(D)增益變小，頻寬變窄。

9. 共射極（CE）放大器的高頻響應較差，其主要原因為何？　(112年度考題)　

(A)爾利效應（Early Effect）　

(B)通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）　

(C)溫度效應（Temperature Effect）　

(D)米勒效應（Miller Effect）。

10. 有關微分器、積分器之敘述，下列何者正確？　(109年度考題)　

(A)方波通過積分器後之輸出波形為三角波　

(B)三角波通過積分器後之輸出波形為方波　

(C)方波輸入微分器後之輸出波形為三角波　

(D)三角波輸入微分器後之輸出波形為正弦波。

11. 下列何種摻雜行為的改變，可增加BJT電晶體的電流增益？　(107年12月考題)　

(A)基極摻雜濃度降低與射極濃度增加　

(B)基極與射極摻雜濃度均增加　

(C)基極摻雜濃度增加與射極濃度降低　

(D)基極與射極摻雜濃度均降低。

12. 某功率電晶體電路輸出級為AB類放大器，有關導通角度之敘述，下列何者正確？　(110年度考題)　

(A)導通角度為360°　

(B)180°＜導通角度＜360°　

(D)導通角度＜90°。

13. 如圖所示，若BJT之β＝100，V_CE＝5V，V_BE＝0.7V，則R_B值約為何？
　(108年度考題)　

(A)23kΩ　

(B)41kΩ　

(D)87kΩ。

14. 有一N通道增強型MOSFET的臨界電壓V_T＝2V，當V_GS＝5V時，MOSFET工作於飽和區（夾止區），且ID＝3mA。若V_GS＝8V，則轉移電導g_m為何？　(106年度考題)　

(A)1mS　

(B)2mS　

(D)6mS。

15. 某矽二極體之PN接面於25°C時，其逆向飽和電流為5nA，當此PN接面溫度上升至65°C時，其逆向飽和電流為何？　(109年度考題)　

(A)80nA　

(B)40nA　

(D)10nA。

16. 如下圖所示，此電路之輸入電壓與輸出電壓轉換曲線為何？
　(107年12月考題)　

(A)

(B)

(C)

(D)

17. 有一40W功率輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器，若放大器的電壓增益為40dB且額定輸出時，求其輸入電壓為何？　(107年12月考題)　

(A)40mV　

(B)0.1V　

(D)0.4V。

18. 如圖所示之理想運算放大器電路，在不飽和情況下，電流I為多少？
　(104年度考題)

(A)0.5mA

(B)0.05mA

(D)0.02mA。

19. 有關JFET特性之敘述，下列何者有誤？　(109年度考題)　

(A)V_GS＝0時，I_D＝I_DSS　

(B)N通道的夾止（pinch-off）電壓V_P是負值　

(C)在歐姆區操作時，|V_DS|＞|V_GS－V_P|　

(D)閘極電流趨近於零。

20. 使一LED發亮至少應流過多少電流？　(107年5月考題)　

(A)10～15μA　

(B)500～600mA　

(D)10～15mA。

21. 有關場效電晶體（FET）之敘述，下列何者有誤？　(107年12月考題)　

(A)可分成N通道與P通道兩種　

(B)輸入阻抗較雙極性電晶體（BJT）為低　

(C)MOSFET又分成空乏型與增強型兩種　

(D)主要可分成JFET及MOSFET兩種。

22. 如圖所示，V_D＝15V，V_GS＝－3V，則R_s為何？
　(108年度考題)　

(A)1.5kΩ　

(B)2kΩ　

(D)4.5kΩ。

23. 一個工作在主動模式之BJT，其爾利電壓（Early Voltage）為25V，I_C＝2.5 mA，則其輸出電阻r₀值為何？　(112年度考題)　

(A)0.1 kΩ　

(B)1 kΩ　

(D)100 kΩ。

24. 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點（operating point）落在下列哪種區域內，可獲得較佳之放大倍率？　(106年度考題)　

(A)作用區（active region）內　

(B)反向作用區（reversed, active region）內　

(C)截止區（cut-off region）內　

(D)飽和區（saturation region）內。

25. 如圖所示之放大器，若R₁＝100kΩ，R₂＝10kΩ，R＝100kΩ，求由A端看入之輸入電阻R_i為何？
　(110年度考題)　

(A)1MΩ　

(B)－1MΩ　

(D)－2MΩ。

26. 如圖所示之方波振盪器電路，下列敘述何者有誤？
　(110年度考題)　

(A)對實際OPA而言，V_O之峰對峰值接近2V_CC　

(B)對實際OPA而言，V_O之工作週期（duty cycle）約為50%　

(C)隨C之數值增加，則振盪頻率會下降　

(D)隨R₂之數值增加，則振盪頻率會增加。

27. 下列何者為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的？　(106年度考題)　

(A)決定電晶體的α值　

(B)決定電晶體的工作溫度　

(C)決定電晶體的β值　

(D)決定電晶體的工作點（operating point）。

28. 理想放大器的輸入阻抗與輸出阻抗分別為多少歐姆？　(107年12月考題)　

(A)∞、0　

(B)0、0　

(C)∞、∞　

(D)0、∞。

29. 某一直流電源供應器未接任何負載時，輸出電壓為30V，接上滿負載後，輸出電壓為28.5V，則其V.R.%約為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)5.3%　

(B)2.5%　

(D)－2.5%。

30. 關於雙極性接面電晶體（BJT）射極基極介面為逆向偏壓，集極基極介面為逆向偏壓時，請問BJT處於何種區域模式？　(109年度考題)　

(A)主動模式　

(B)截止模式　

(C)飽和模式　

(D)反相主動模式。

31. 若NMOS場效電晶體之汲極與源極電壓V_DS＞閘極與源極電壓V_GS＞臨界電壓V_th，則下列敘述何者正確？　(110年度考題)　

(A)NMOS操作在非飽和區　

(B)NMOS操作在飽和區　

(C)NMOS操作在截止區　

(D)NMOS操作在飽和區及非飽和區交界處。

32. 已知一放大電路電壓增益A_v為10，電流增益A_i為10，則其功率增益A_P為多少分貝（dB）？　(109年度考題)　

(A)10　

(B)20　

(D)1000。

33. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振R₁盪器，若R₁＝R₂，C₁＝C₂，其電壓增益A_V應為下列何者？　(106年度考題)　

(A)3　　

(B)2　　

(D)－1。

34. 有關R-C濾波器之敘述，下列何者有誤？　(109年度考題)　

(A)對同一負載而言，R值越大，其輸出端漣波越小　

(B)電容量越大，輸出漣波越小　

(C)使用全波整流時，R-C濾波器之濾波效果較使用半波整流時為佳　

(D)對同一R-C濾波器而言，負載電流越大，輸出電壓越大。

35. 下列敘述，何者有誤？　(106年度考題)　

(A)MOSFET電晶體為單極性（unipolar）電晶體　

(B)BJT電晶體為雙極性（bipolar）電晶體　

(C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小　

(D)MOSFET電晶體為一種電流控制元件。

36. 關於濾波器的敘述，下列何者正確？　(108年度考題)　

(A)高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器　

(B)高通濾波器與低通濾波器並聯可組成帶通濾波器　

(C)RC低通濾波器的電容值與截止頻率成正比　

(D)RC高通濾波器的電容值與截止頻率成正比。

37. 帶電量1.6×10^－¹⁹庫倫的電子，通過1伏特的電位差，所需的能量為何？　(108年度考題)　

(A)1.6×10^－¹⁹電子伏特（eV）　

(B)1.6×10^－¹⁹焦耳　

(D)1瓦特。

38. 有關於MOSFET的敘述，下列何者有誤？　(104年度考題)

(A)MOSFET有空乏型及增強型兩種形式

(B)MOSFET有N通道及P通道兩種

(C)MOSFET是電流控制元件

(D)MOSFET之閘極與源極間直流電阻很大。

39. 下列敘述何者有誤？　(112年度考題)　

(A)固定式直流偏壓電路使用元件數最少　

(B)射極回授式直流偏壓電路RE電阻提供正回授穩定功能　

(C)直流工作點可決定小訊號放大為不失真的線性放大　

(D)集極回授式直流偏壓電路中電晶體一定不會飽和。

40. 某全波整流器，其濾波電容為40 μF，負載電流為40 mA，峰值濾波電壓為100 V，若電源頻率為60 Hz，試求其濾波器的直流電壓約為何？　(111年度考題)　

(A)50 V　

(B)75 V　

(D)100 V。

41. 有一脈波寬度為100μs，工作週期為50%，則此脈波之頻率為何？　(106年度考題)　

(A)0.2kHz　

(B)0.5kHz　

(D)5kHz。

42. 關於石英晶體及石英晶體振盪器之敘述，下列何者有誤？　(111年度考題)　

(A)石英晶體可設計為脈波振盪電路　

(B)振盪器的輸出頻率穩定　

(C)石英晶體具有壓電效應特性　

(D)石英晶體厚度愈薄，振動頻率愈低。

43. 有一增強P通道MOSFET，已知臨界電壓VT＝－2.5，若汲極電壓VD＝4V，源極電壓VS＝8 V，直流閘極電壓VG＝3 V，試問其MOSFET應處於何種工作區？　(111年度考題)　

(A)飽和區　

(B)歐姆區　

(C)截止區　

(D)逆向工作區。

44. 如圖所示電路，假設使用理想運算放大器，R₁＝R₄＝10kΩ，R₂＝20kΩ，C₁＝0.2μF，C₂＝0.1μF，試求在巴克豪森（Barkhausen）準則下，此電路產生振盪的R₃值為何？
　(108年度考題)　

(A)10kΩ　

(B)20kΩ　

(D)60kΩ。

45. 下列何種BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高？　(106年度考題)　

(A)共閘極組態　

(B)共集極組態　

(C)共基極組態　

(D)共射極組態。

46. 如下圖所示，若R₁＝3MΩ，R₂＝1MΩ，R_D＝4kΩ，r_d→∞，求輸入阻抗為何？
　(107年12月考題)　

(A)750kΩ　

(B)1MΩ　

(D)1.5MΩ。

47. 變容二極體（varactor）常作為電容使用，係應用下列何者改變其電容量？　(109年度考題)　

(A)頻率　

(B)溫度　

(C)電壓　

(D)電流。

48. 某N通道增強型MOSFET放大電路，MOSFET之臨限電壓（Threshold Voltage）V_t＝2V，參數K＝0.3（mA/V²），若MOSFET工作於夾止區（飽和區），且閘源極間電壓V_GS＝4V，則轉移電導g_m為何？　(108年度考題)　

(A)0.6mA/V　

(B)1.2mA/V　

(D)2.4mA/V。

49. 對於多級串接放大電路的敘述，下列何者正確？　(104年度考題)

(A)級數越多，頻寬愈寬

(B)級數越多，電壓增益愈高

(C)級數越多，輸入阻抗愈大

(D)級數越多，電路穩定性愈高。

50. 類比式交流電壓表所量測的交流電壓值為下列何者？　(106年度考題)　

(A)平均值　

(B)最大值　

(C)有效值　

(D)波形與頻率。

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