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台電新進雇員 » ☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性 » 試題 » 電子學 » (收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題)
單選題
每題2分
1. NPN電晶體工作於主動區,其射極流出的電子有0.125%在基極與電洞結合,其餘99.875%被集極收集,則此電晶體之β值為何? (109年度考題)
(A)199
(B)299
(C)399
(D)799。
2. 有一理想差動放大器,若電壓增益值A
d
=100,兩端輸入電壓V
1
=20mV,V
2
=-10mV,則輸出電壓V
O
為何? (110年度考題)
(A)3V
(B)2V
(C)1V
(D)-1V。
3. 關於橋式整流電路,下列敘述何者有誤? (112年度考題)
(A)為一全波整流電路
(B)輸出頻率為電源頻率之兩倍
(C)輸出直流電壓=2 V
m
/π
(D)二極體之PIV=2 V
m
。
4. 箝位電路又稱為下列何者? (112年度考題)
(A)交流恢復器
(B)直流恢復器
(C)剪截器
(D)振幅限制器。
5. 如圖所示,某RC相移振盪器,為一理想運算放大器,若R=650 Ω,C=0.01 μf,欲維持電路振盪,試求其電阻 Rf 最小值約為何?
(111年度考題)
(A)13 KΩ
(B)19 KΩ
(C)25 KΩ
(D)41 KΩ。
6. 有一脈波寬度為100μs,工作週期為50%,則此脈波之頻率為何? (106年度考題)
(A)0.2kHz
(B)0.5kHz
(C)2kHz
(D)5kHz。
7. 如圖所示電路,若二極體之導通電壓為0.7V,則輸出電壓值V
o
為何?
(106年度考題)
(A)3.7V
(B)4.7V
(C)6.7V
(D)10V。
8. 若量測電路中的PNP型雙極性接面電晶體,得知其射極接地,基極電壓為0.7V,集極電壓為-3V,請問電晶體操作在哪個區域? (107年12月考題)
(A)截止區
(B)順向主動區
(C)飽和區
(D)逆向主動區。
9. 二極體的I
CBO
逆向電流受環境溫度之影響,下列敘述何者正確? (112年度考題)
(A)溫度每下降1°C時,則增加1倍
(B)溫度每上升10°C時,則增加1倍
(C)溫度每下降10°C時,則增加1倍
(D)溫度每上升1°C時,則增加1倍。
10. 如圖所示電路,電晶體的β=100,集極電流為2mA,V
CE
=4V,R
C
兩端之電壓為4V,V
BE
=0.7V,則R
E
之電阻值約為多少?
(106年度考題)
(A)0.2kΩ
(B)2kΩ
(C)20kΩ
(D)200kΩ。
11. 在雙載子接面電晶體(BJT)放大器中,具有最大電壓增益與電流增益乘積的是何種組態? (104年度考題)
(A)共基極放大器
(B)共射極放大器
(C)共集極放大器
(D)共汲極放大器。
12. 以轉動率(slew rate)1V/μs之運算放大器當成隨耦電路,若輸入脈波(pulse)高度為0.2V,要使輸出電壓能達到最大值,則輸入脈波的寬度最小值為下列何者? (107年5月考題)
(A)50ns
(B)100ns
(C)200ns
(D)500ns。
13. 如圖所示矽質電晶體電路,若β=100,RC=2 KΩ,R1=10 KΩ,R2=15KΩ,VCC=15 V,VC=5 V時,試求其IB為何?
(111年度考題)
(A)25 μA
(B)50 Μa
(C)75 μA
(D)100 μA。
14. 某一電晶體經量測結果其β值為99,請問電晶體之α值為下列何者? (107年5月考題)
(A)0.6
(B)0.7
(C)0.8
(D)0.99。
15. 有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為V
i1
=55μV,V
i2
=45μV,共模拒斥比CMRR(dB)=40dB,差模增益A
d
=500,則下列何者正確? (106年度考題)
(A)共模增益A
c
=10
(B)差模輸入電壓V
d
=5μV
(C)共模輸入電壓V
C
=100μV
(D)輸出電壓V
o
=5.25mV。
16. 如圖所示為一理想運算放大器,若其飽和電壓為±10V,V
S
=1mV,則V
O
為何?
(110年度考題)
(A)10V
(B)-10V
(C)100mV
(D)-100mV。
17. 關於二極體的敘述,下列何者正確? (112年度考題)
(A)二極體的順向電阻,會隨順向電流增加而減少
(B)二極體的順向電阻,會隨順向電流增加而增加
(C)二極體的逆向電阻,會隨逆向電流增加而增加
(D)二極體的順向電阻,與逆向電阻均為固定值。
18. 一周期性脈波訊號其正峰值為+10V,負峰值為-2V。若此信號的平均值為+2.8V,則工作週期(duty cycle)為何? (109年度考題)
(A)80%
(B)70%
(C)50%
(D)40%。
19. 使用三用電表之電阻檔測量二極體時,二極體順向電阻假設為R
1
、逆向電阻假設為R
2
,則下列敘述何者正確? (111年度考題)
(A)R
1
的值非常小,R
2
的值非常大
(B)R
1
的值非常大,R
2
的值非常小
(C)R
1
及R
2
的值均非常小
(D)R
1
及R
2
的值均非常大。
20. BJT的摻雜濃度大小依序為何? (112年度考題)
(A)B>C>E
(B)B>E>C
(C)C>E>B
(D)E>B>C。
21. 發光二極體(LED)之所以能產生不同顏色,最主要受下列何者影響? (110年度考題)
(A)外加電壓
(B)外加電壓之頻率
(C)周遭溫度
(D)材料能帶間隙。
22. 如圖所示之理想運算放大器電路,其電壓增益
之值為何?
(108年度考題)
(A)10
(B)220
(C)440
(D)620。
23. 運算放大器輸出方波信號時,若信號在5 μs內由-5 V變動到+5 V,試求其轉動率為何? (111年度考題)
(A)2 V/ μ s
(B)4 V/ μ s
(C)5 V/ μ s
(D)10 V/ μ s。
24. 某矽二極體在溫度30°C時的逆向飽和電流為3nA,若溫度上升至90°C時,則逆向飽和電流為下列何者? (107年5月考題)
(A)125nA
(B)150nA
(C)192nA
(D)180nA。
25. 一個工作在主動模式之BJT,其爾利電壓(Early Voltage)為25V,I
C
=2.5 mA,則其輸出電阻r
0
值為何? (112年度考題)
(A)0.1 kΩ
(B)1 kΩ
(C)10 kΩ
(D)100 kΩ。
26. 如圖所示,兩BJT之β=80,V
BE
皆為0.7V,若不需考慮V
A
(Early Effect),且r
π
很小可忽略的情況下,則輸入阻抗Z
1
為何?
(108年度考題)
(A)4kΩ
(B)81kΩ
(C)162kΩ
(D)324kΩ。
27. 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(operating point)落在下列哪種區域內,可獲得較佳之放大倍率? (106年度考題)
(A)作用區(active region)內
(B)反向作用區(reversed, active region)內
(C)截止區(cut-off region)內
(D)飽和區(saturation region)內。
28. 平均值為110 V之正弦波、方波與三角波,在相同負載下,其產生之功率之大小次序,分別為何? (111年度考題)
(A)三角波>正弦波>方波
(B)正弦波>方波>三角波
(C)方波>正弦波>三角波
(D)三角波>方波>正弦波。
29. 有關PN接面二極體的敘述,下列何者有誤? (110年度考題)
(A)溫度上升時,障壁電壓上升
(B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄
(C)矽二極體的障壁電壓較鍺二極體高
(D)溫度上升時,漏電流上升。
30. 如圖所示之電路,二極體皆為鍺質二極體,則I約為多少?
(104年度考題)
(A)2mA
(B)1.8mA
(C)2.8mA
(D)3.8mA。
31. 若要將小信號電壓及電流都放大,可採用下列何種放大電路? (109年度考題)
(A)雙極性接面電晶體的共集極放大電路
(B)雙極性接面電晶體的共射極放大電路
(C)場效電晶體的共閘極放大電路
(D)場效電晶體的共汲極放大電路。
32. 下列關於BJT電晶體射極隨耦器之特性敘述,何者有誤? (104年度考題)
(A)輸出訊號與輸入訊號相位相同
(B)電流增益低於1
(C)電壓增益略小於1
(D)輸入阻抗甚高。
33. 積體電路內之串級放大器電路,大部分採用何種耦合方式? (110年度考題)
(A)電阻耦合
(B)電容耦合
(C)直接耦合
(D)變壓器耦合。
34. 已知全波整流中,輸出電壓有效值V
rms
,平均值為V
av
,則
為下列何者? (107年5月考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
。
35. 帶電量1.6×10
-
19
庫倫的電子,通過1伏特的電位差,所需的能量為何? (108年度考題)
(A)1.6×10
-
19
電子伏特(eV)
(B)1.6×10
-
19
焦耳
(C)1焦耳
(D)1瓦特。
36. 如圖所示之電路,假設雙極性接面電晶體的β=100,V
BE
=0.7V,則在工作點Q上所對應之電壓V
CE
值應為多少?
(104年度考題)
(A)7.56V
(B)8.84V
(C)9.2V
(D)10.69V。
37. 如圖所示,V
i
=20V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
z
=8V,R
1
=1kΩ,R
2
=2kΩ,則此稽納二極體(Zener Diode)所消耗之功率為多少?
(106年度考題)
(A)64mW
(B)24mW
(C)16mW
(D)趨近0W。
38. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體,其參數g
m
=1.5m℧,r
d
=10kΩ,已知電路中不存在源極電阻R
S
,而汲極電阻R
D
=10kΩ,請問該電路之電壓增益A
V
為何? (106年度考題)
(A)-30
(B)-18.75
(C)-7.5
(D)-5。
39. 有關負回授特性,下列何者正確? (112年度考題)
(A)使增益對任何變動更敏感
(B)增加雜訊效應
(C)縮減頻寬
(D)減少非線性失真。
40. 如圖所示,若V
i
為三角波,則輸出V
o
應為何種波形?
(104年度考題)
(A)方波
(B)正弦波
(C)鋸齒波
(D)三角波。
41. BJT三種放大工作組態中,B、C、E三個端點,下列何者可作為輸入端或輸出端? (112年度考題)
(A)B極
(B)C極
(C)E極
(D)視工作組態決定。
42. 如圖所示,若MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)為2V,閘源極間電壓V
GS
=4V時,其汲極電流I
D(on)
=20mA,則此電路之汲源極間電壓V
DS
及汲極電流I
D
分別約為何?
(108年度考題)
(A)3.4V、18.4mA
(B)4.3V、18.4mA
(C)5.4V、15.3mA
(D)4.5V、15.3mA。
43. 有一濾波器之電壓增益值為
,試問此為何種濾波器? (110年度考題)
(A)低通
(B)高通
(C)帶通
(D)帶拒。
44. 下列何者不是理想運算放大器的特性? (104年度考題)
(A)輸入阻抗無限大
(B)輸入電流不等於零
(C)輸出阻抗為零
(D)電壓增益無限大。
45. NPN電晶體工作於主動區,其射極流出的電子有0.25%在基極與電洞結合,其餘99.75%被集極收集,則此電晶體之β值為何? (107年12月考題)
(A)99
(B)199
(C)299
(D)399。
46. 使用信號產生器產生某一正弦波電壓,另使用三用電表的ACV檔測量時可得到1 V的電壓值,若改用示波器測量峰對峰值,試求其最接近下列何者電壓? (111年度考題)
(A)1 V
(B)2 V
(C)1.414 V
(D)2.828 V。
47. 下列何種電路不具備電流放大的功能? (106年度考題)
(A)共基極放大電路
(B)共射極放大電路
(C)共集極放大電路
(D)達靈頓電路。
48. 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓V
T
=-2V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為何? (106年度考題)
(A)7V
(B)5V
(C)3V
(D)2V。
49. 如圖所示之電路,若D屬理想二極體,則下列何種做法對改善其漣波因數(ripple factor)的效果最差?
(104年度考題)
(A)將電容值加大
(B)將輸入電壓變小
(C)將電阻值加大
(D)改用全波整流。
50. 在一RC串聯電路中,若由電阻兩端取出輸出訊號,則此電路為何? (112年度考題)
(A)高通濾波器
(B)低通濾波器
(C)帶通濾波器
(D)帶拒濾波器。