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台電新進雇員 » ☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性 » 試題 » 電子學 » (收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題)
單選題
每題2分
1. 有關FET與BJT特性比較,下列敘述何者正確? (112年度考題)
(A)BJT雜訊較低
(B)BJT高頻響應較差
(C)FET輸入阻抗較高
(D)FET增益頻寬的乘積較BJT為大。
2. 若NPN電晶體應用於工作區,則有關電晶體偏壓情形,下列敘述何者正確? (110年度考題)
(A)B-E極加順偏,B-C極加逆偏
(B)B-E極加順偏,B-C極加順偏
(C)B-E極加逆偏,B-C極加逆偏
(D)B-E極加逆偏,B-C極加順偏。
3. 如下圖所示,已知該電晶體截止電壓V
GS(off)
=-5V,直流閘源極電壓V
GS
=-4V時,I
D
=0.35mA,則R
1
/R
2
值為何?
(107年12月考題)
(A)2
(B)3
(C)4
(D)5。
4. 如圖所示電路,其中V
Z
=6V(忽略稽納二極體電阻),且15mA≤I
z
≤90mA時,稽納二極體(Zener Diode)才有穩壓作用,在下列R
s
電阻的範圍,何者可使稽納二極體產生穩壓作用?
(109年度考題)
(A)60Ω≤R
s
≤120Ω
(B)60Ω≤R
s
≤150Ω
(C)50Ω≤R
s
≤120Ω
(D)50Ω≤R
s
≤150Ω。
5. 下列何者為正弦波振盪器? (110年度考題)
(A)施密特振盪器
(B)考畢子振盪器
(C)單穩態多諧振盪器
(D)雙穩態多諧振盪器。
6. 如圖所示,若V
i
為三角波,則輸出V
o
應為何種波形?
(104年度考題)
(A)方波
(B)正弦波
(C)鋸齒波
(D)三角波。
7. 有關場效電晶體放大器之敘述,下列何者有誤? (108年度考題)
(A)共源極(CS)放大器輸入阻抗大,適合輸入電壓訊號
(B)共閘極(CG)放大器輸入阻抗小,適合輸入電流訊號
(C)共汲極(CD)放大器輸出與輸入電壓訊號同相,適合作電壓放大器
(D)共汲極(CD)放大器輸入阻抗大,適合輸入電壓訊號。
8. 一汽車用蓄電池,用5A電流充電時,端電壓為12.4V,用3A電流充電時,其端電壓為13V,則該蓄電池的內阻為多少? (104年度考題)
(A)0.6Ω
(B)0.5Ω
(C)0.4Ω
(D)0.3Ω。
9. 某N通道JFET,V
P
=-4V,當V
GS
=-1V時,欲使該JFET工作於飽和區,所需的V
DS
值範圍為何? (107年12月考題)
(A)V
DS
≥3V
(B)V
DS
≤3V
(C)V
DS
≥4V
(D)V
DS
≤1V。
10. 如圖所示,下列敘述何者有誤?
(110年度考題)
(A)為共集極放大器
(B)電壓增益值約為-5
(C)為射極隨耦器
(D)其交流等效電路在集極是接地。
11. 關於橋式整流電路,下列敘述何者有誤? (112年度考題)
(A)為一全波整流電路
(B)輸出頻率為電源頻率之兩倍
(C)輸出直流電壓=2 V
m
/π
(D)二極體之PIV=2 V
m
。
12. 下列敘述何者有誤? (112年度考題)
(A)BJT作為放大器使用時,應工作於順向主動區
(B)BJT作為放大器使用時,C極可當作輸入端
(C)NPN型BJT之多數載子為電子
(D)當BJT工作於飽和區時,電流Ic由外接電路決定。
13. 操作於飽和區之JFET放大電路,其IDSS=6mA,夾止電壓(pinch-off voltage)VP=-3V,若電 路工作點之VGS=-1.5 V,試求其電路之互導gm約為何? (111年度考題)
(A)2 mS
(B)2.5 mS
(C)3 mS
(D)4.5 mS。
14. 如圖所示JFET共源極放大電路,若JFET之轉移電導g
m
=2(mA/V),輸出電阻r
d
=40kΩ,則放大電路的電流增益
為何?
(108年度考題)
(A)-200
(B)-250
(C)-400
(D)-500。
15. 將雙載子電晶體當開關使用,若開關導通,則電晶體應工作於下列何區? (107年5月考題)
(A)截止區
(B)工作區
(C)飽和區
(D)線性區。
16. 串級放大電路作直流分析時,耦合電容及射極旁路電容可分別視為下列何者? (108年度考題)
(A)開路、開路
(B)短路、短路
(C)短路、開路
(D)開路、短路。
17. 下列有關各類二極體的敘述,何者有誤? (104年度考題)
(A)稽納二極體可作為產生參考電壓的元件
(B)發光二極體發光的波長與其偏壓的電壓值成正比
(C)一般發光二極體在使用時,是在順向偏壓下工作
(D)稽納二極體一般使用時,是在逆向偏壓下工作。
18. 一周期性脈波訊號其正峰值為+10V,負峰值為-2V。若此信號的平均值為+2.8V,則工作週期(duty cycle)為何? (109年度考題)
(A)80%
(B)70%
(C)50%
(D)40%。
19. 下列何者不是理想運算放大器的特性? (107年5月考題)
(A)輸入阻抗無限大
(B)頻寬無限大
(C)開回路增益無限大
(D)輸出阻抗無限大。
20. 某MOSFET輸出特性曲線如下圖所示,下列敘述何者正確?
(107年5月考題)
(A)V
GS
=-2V,代表元件工作於空乏模式
(B)元件有預設的P通道連接S、D兩極
(C)元件進入飽和區時I
D
=
(D)V
SG
=-8V,V
SD
=-1V →I
D
=2mA。
21. 已知一放大電路電壓增益A
V
為100,電流增益A
i
為10,則其功率增益A
P
(dB)為多少? (106年度考題)
(A)10dB
(B)30dB
(C)60dB
(D)1000dB。
22. 如圖所示電路,Vi=2 V,試求其輸出電壓Vo為何?
(111年度考題)
(A)-12 V
(B)-6 V
(C)6 V
(D)12 V。
23. 某一正回授放大器電路形成之振盪器,其回授增益β=0.01,欲輸出振幅穩定之正弦波,試求其放大器之電壓增益|Av|應調整為何? (111年度考題)
(A)50
(B)75
(C)100
(D)150。
24. 如圖所示,若V
GS
=-2.5V,R
S
=2.5kΩ,則V
DS
為何?
(109年度考題)
(A)8.5V
(B)9.5V
(C)10.5V
(D)11.5V。
25. 如圖所示,假設運算放大器飽和時之最大輸出電壓為±15V,求其遲滯電壓V
H
為何?
(107年12月考題)
(A)3V
(B)4V
(C)5V
(D)6V。
26. 對一具有源極旁路電容之共源極放大器,如將其旁路電容器移走時,則下列何者正確? (107年12月考題)
(A)輸入電阻變小
(B)輸入電阻變大
(C)電壓增益降低
(D)電壓增益增加。
27. 如下圖所示,此電路之輸入電壓與輸出電壓轉換曲線為何?
(107年12月考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
28. 如圖所示,若BJT之β=100,V
CE
=5V,V
BE
=0.7V,則R
B
值約為何?
(108年度考題)
(A)23kΩ
(B)41kΩ
(C)65kΩ
(D)87kΩ。
29. 如圖所示之電路,若V
CC
=20V,R
L
=50Ω,則此放大器最大交流輸出功率為何?
(104年度考題)
(A)1W
(B)2W
(C)3W
(D)4W。
30. 有關電子伏特(eV)之描述,下列何者正確? (109年度考題)
(A)能量單位
(B)電流單位
(C)電阻單位
(D)電壓單位。
31. 現場作業時,欲確認盤面(電路板)上某一點是否帶電,可使用三用電錶進行確認,請問此時三用電錶最合適選用的檔位為何? (108年度考題)
(A)電流檔
(B)歐姆檔
(C)電壓檔
(D)二極體檔。
32. 疊接放大電路為何種型態串級放大? (112年度考題)
(A)CB-CB
(B)CE-CB
(C)CE-CC
(D)CE-CE。
33. 如圖所示之電路,假設雙極性接面電晶體的β=100,V
BE
=0.7V,則在工作點Q上所對應之電壓V
CE
值應為多少?
(104年度考題)
(A)7.56V
(B)8.84V
(C)9.2V
(D)10.69V。
34. 如圖所示,若其頻率為4kHz,則其工作週期(duty cycle)為多少?
(104年度考題)
(A)10%
(B)20%
(C)30%
(D)40%。
35. 下列何者為電子電路中,設計正回授之目的? (107年12月考題)
(A)使電路特性更穩定
(B)減少雜訊
(C)供作振盪器使用
(D)增加頻寬。
36. 如圖所示之LED驅動電路,使LED發亮的電壓為2V,電流為15mA,假設飽和電晶體之V
CE(sat)
電壓降可忽略不計,V
BE(sat)
=0.8V,試求R
B
、R
C
的適當電阻值為何?
(106年度考題)
(A)15kΩ、100Ω
(B)15kΩ、200Ω
(C)25kΩ、100Ω
(D)25kΩ、200Ω。
37. 如圖所示之電路中,若二極體皆為理想型,R
s
=2kΩ,R
a
=3kΩ,R
L
=1kΩ,當V
s
=5V,試求解標示的電流I?
(112年度考題)
(A)1 mA
(B)1.5 mA
(C)2 mA
(D)4 mA。
38. 變容二極體(varactor)常作為電容使用,係應用下列何者改變其電容量? (109年度考題)
(A)頻率
(B)溫度
(C)電壓
(D)電流。
39. 理想放大器的輸入阻抗與輸出阻抗分別為多少歐姆? (107年12月考題)
(A)∞、0
(B)0、0
(C)∞、∞
(D)0、∞。
40. 如圖所示,該反相放大器之電壓增益V
o
/V
i
為多少分貝(dB)?
(109年度考題)
(A)+20
(B)+10
(C)-10
(D)-20。
41. 假設電晶體的α參數由0.99變化到0.98,則β參數之變化為何? (109年度考題)
(A)由49變化到88
(B)由49變化到99
(C)由88變化到49
(D)由99變化到49。
42. 如圖所示,V
D
=15V,V
GS
=-3V,則R
s
為何?
(108年度考題)
(A)1.5kΩ
(B)2kΩ
(C)3kΩ
(D)4.5kΩ。
43. 如圖所示,假設經由小訊號分析得知Z
1
=2MΩ,則其電流增益
約為何?
(108年度考題)
(A)1,000
(B)1,200
(C)3,200
(D)4,800。
44. 下列何種振盪器之頻率穩定性最高? (112年度考題)
(A)RC相移振盪器
(B)石英晶體振盪器
(C)考畢子振盪器
(D)韋恩電橋振盪器。
45. 下列敘述,何者有誤? (106年度考題)
(A)MOSFET電晶體為單極性(unipolar)電晶體
(B)BJT電晶體為雙極性(bipolar)電晶體
(C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小
(D)MOSFET電晶體為一種電流控制元件。
46. 下列關於BJT的敘述,何者有誤? (104年度考題)
(A)對NPN BJT而言,I
E
=I
B
+I
C
(B)對PNP BJT而言,I
E
=I
B
+I
C
(C)β為共射極放大器的電流增益
(D)α為共集極放大器的電流增益。
47. 如圖所示,若V
O
=8V,則V
i
應為何?
(107年12月考題)
(A)-4V
(B)-3V
(C)1V
(D)2V。
48. 相對於單級放大器,有關串級放大器的增益與頻寬之描述,下列何者正確? (109年度考題)
(A)增益變大,頻寬變寬
(B)增益變大,頻寬變窄
(C)增益變小,頻寬變寬
(D)增益變小,頻寬變窄。
49. 如圖所示之電路中,若二極體皆為理想型,R
s
=2kΩ,R
L
=1kΩ,當V
1
=V
2
=2V,則V
o
=?
(112年度考題)
(A)0.5 V
(B)1 V
(C)1.5 V
(D)2 V。
50. NPN電晶體工作於主動區,其射極流出的電子有0.25%在基極與電洞結合,其餘99.75%被集極收集,則此電晶體之β值為何? (107年12月考題)
(A)99
(B)199
(C)299
(D)399。