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臺灣菸酒 » 電子電機 » 歷屆題庫 » 108年 » 電子學
單選題
每題2分
1. 關於電容器,下列敘述何者正確?
(A)對交流訊號分析而言,可視為開路
(B)電容器無法阻隔直流成分
(C)電容器為儲存電荷的元件,以伏特(V)為單位
(D)電容器填充介質材料的不同,直接影響電容器的特性。
2. 關於電感器,下列敘述何者錯誤?
(A)電感器是儲存磁能的元件
(B)電感器有抑制瞬間電流之能力
(C)多個電感元件之間有耦合磁通量無法形成變壓器
(D)電感線圈與電容器並聯可組成LC調諧電路。
3. 有一脈波若其脈波寬度為2μs,工作週期為40%,則此脈波頻率為何?
(A)200kHz
(B)125kHz
(C)100kHz
(D)50kHz。
4. 峰值為
伏特之三角波電壓,其有效值為多少伏特?
(A)40
(B)60
(C)
(D)
。
5. 有一共射極之電晶體,其偏壓於工作區測得I
C
=1.47mA,I
E
=1.50mA,則該電晶體的α、β參數分別為何?
(A)α=0.49、β=0.05
(B)α=0.98、β=49
(C)α=0.98、β=55
(D)α=0.95、β=0.48。
6. 如圖所示稽納二極體V
z
=20V,請問其工作於什麼區?
(A)負電阻區
(B)順向區
(C)崩潰區
(D)截止區。
7. 假設運算放大器為理想特性圖所示,當V
i
=-5V時,則V
o
應為何?
(A)-25V
(B)-20V
(C)15V
(D)25V。
8. 如圖所示V
BE
=0.7V,當V
cc
=20.7V,β=49時,則基極電流I
B
為多少?
(A)0.1mA
(B)0.2mA
(C)0.08mA
(D)0.01mA。
9. 一般頻率計數器是利用下列哪一種電路,將待測訊號輸入轉換為脈波來計數?
(A)微分電路
(B)積分電路
(C)施密特觸發電路
(D)無穩態振盪電路。
10. 關於共模拒斥比(CMRR)的定義,下列敘述何者錯誤?
(A)差模增益與共模增益之比值
(B)CMRR值越小,表示排除雜訊能力越強
(C)理想的CMRR值是無限大
(D)CMRR值是衡量抑制兩端輸入訊號共模部分的一個參數。
11. 關於場效電晶體,下列敘述何者錯誤?
(A)傳導電流僅由多數載子負責
(B)傳導電流之大小由靜電場控制
(C)輸入阻抗一般較雙極性接面晶體BJT還高
(D)載子為電洞者稱為N通道。
12. 關於雙極性接面電晶體之共射極偏壓組態的特性,下列敘述何者錯誤?
(A)功率增益較共基極和共集極大
(B)基極輸入信號與集極輸出信號同相位
(C)較共基極和共集極輸出阻抗高
(D)可同時應用於電壓與電流放大。
13. 電晶體的三種組態放大電路,其輸出阻抗何者最大?
(A)共射極
(B)共基極
(C)共集極
(D)共振極。
14. 關於RC耦合放大器,下列敘述何者錯誤?
(A)低頻時,耦合電容抗會減少交流損失
(B)易隔離兩級間直流電壓的相互干擾
(C)頻率響應良好,適合工作在中頻範圍
(D)體積較小,不似變壓器的大體積。
15. 關於OPA的理想特性,下列敘述何者錯誤?
(A)CMRR無限大
(B)頻寬無限大
(C)輸出阻抗無限大
(D)開路增益無限大。
16. 若NPN電晶體在工作區,則下列何者條件成立?
(A)BE接面需順偏,BC接面需順偏
(B)BE接面需逆偏,BC接面需順偏
(C)BE接面需順偏,BC接面需逆偏
(D)BE接面需逆偏,BC接面需逆偏。
17. 如圖所示,為兩個稽納二極體所構成截波電路,其輸入信號為V
i
(t),稽納二極體之順向偏壓為1V,而其在反偏之崩潰電壓分別為V
Z1
=3V與V
Z2
=5V,則輸出信號V
o
(t)的平均值電壓應為多少?
(A)-0.4V
(B)0.3V
(C)0.4V
(D)0.5V。
18. 關於偏壓電路,下列敘述何者正確?
(A)分壓偏壓電路之工作點會因β值之差異而產生偏移,因此穩定性較差
(B)集極回授式偏壓電路之基極電阻須接至V
cc
(C)固定偏壓是溫度變化時最佳的偏壓方式
(D)射極回授式偏壓電路之射極電阻產生的負回授有自動調整基極電流的功能。
19. 如圖所示之電路,若電晶體β=100、V
BE
=0.7V,V
cc
=20V,則R
B
電阻應選用多少,才能使電晶體工作在飽和區?(提示:飽和區為V
CE
=0V且βI
B
>I
C
)
(A)150kΩ
(B)120kΩ
(C)100kΩ
(D)90kΩ。
20. 如圖所示,求V
o
=?
(A)0V
(B)-3V
(C)3V
(D)15V。
21. 圖所示之最大功率轉移變壓器匝數比值M:N為何?
(A)25/36
(B)5/36
(C)5/6
(D)6/5。
22. 如圖所示電路,當發生振盪時,V
o
的輸出波形為何?
(A)直流
(B)方波
(C)正弦波
(D)三角波。
23. 有一差動放大器,若輸入V
1
=150μV,V
2
=70μV,且此放大器之共模增益A
cm
=10,共模拒斥比CMRR=20dB,則其輸出電壓為多少?
(A)81.1mV
(B)11.8mV
(C)9.1mV
(D)5.1mV。
24. 如圖所示,R
i
=2kΩ、R
o
=5kΩ,轉導放大器之阻抗R
s
=2kΩ,轉導增益G
ms
=2mA/V,則V
o
/V
i
=?
(A)10
(B)5
(C)-10
(D)-5。
25. 如圖所示電路中,若二極體切入電壓為0.6V,則V
o
的電壓為何?
(A)3.9V
(B)4.25V
(C)6.1V
(D)6.4V。
26. 當n型半導體受熱後,所產生之新載子以何者較多?
(A)電洞
(B)電子
(C)電洞與電子一樣多
(D)不會產生新載子。
27. 關於外質半導體的敘述,下列何者錯誤?
(A)p型半導體中的多數載子是電子
(B)施體雜質又稱為n型雜質
(C)受體可提供額外電洞
(D)n型半導體可提供額外電子。
28. 關於稽納二極體(zener diode)的敘述,下列何者錯誤?
(A)可用於整流
(B)主要是操作於崩潰區
(C)可用於穩壓
(D)用於穩壓時,需操作在順向偏壓下。
29. 如圖所示電路,若稽納二極體的崩潰電壓V
Z
=6V,其電流限制在10mA,則電阻R應該選用以下何值?
(A)0.4kΩ
(B)4kΩ
(C)6kΩ
(D)8kΩ。
30. BJT操作在下列何種情形下,I
C
≅I
E
?
(A)飽和區
(B)作用區
(C)反向區
(D)截止區。
31. 下列何者為達靈頓電路之特點?
(A)輸入阻抗低
(B)輸出阻抗高
(C)電壓增益高
(D)電流增益高。
32. 若一npn的BJT在主動區操作,其α=0.98,則其β應為何?
(A)39
(B)49
(C)59
(D)69。
33. 最基本的電流鏡(current mirror)電路包括下列何者?
(A)2個電阻及1個BJT
(B)2個BJT及1個電阻
(C)2個BJT接成2個二極體
(D)1個電阻及1個BJT。
34. 某一放大器之電壓增益為100,頻寬為20kHz,若利用負回授將頻寬增加為50kHz,則此放大器之電壓增益變為多少?
(A)200
(B)140
(C)100
(D)40。
35. 如圖所示電路,若V
1
及V
2
皆為輸入(0V或5V),則此電路之功能相當於下列何種邏輯電路?
(A)NAND
(B)NOR
(C)AND
(D)OR。
36. 如圖所示電路,此放大器之輸入電阻約為何?
(A)13kΩ
(B)390kΩ
(C)26kΩ
(D)806kΩ。
37. 如圖所示電路,若輸入v
s
為方波,則此電路之輸出v
o
應為何種波形?
(A)方波
(B)突波
(C)弦波
(D)三角波。
38. 關於正回授電路的特性,下列何者正確?
(A)增加系統穩定度
(B)增加系統頻寬
(C)降低雜訊干擾
(D)產生週期性信號。
39. 下列何種電路會一直維持在不穩定的狀態?
(A)單穩態多諧振盪器
(B)雙穩態多諧振盪器
(C)三穩態多諧振盪器
(D)無穩態多諧振盪器。
40. 若振盪器中有RC相移電路,至少需要幾級RC相移電路才能產生振盪?
(A)四
(B)三
(C)二
(D)一。
41. 如圖,若D
1
、D
2
為理想二極體,在順向導通時之跨壓值皆為0V,試求流經電阻1kΩ之電流I為何?
(A)1mA
(B)2mA
(C)4mA
(D)8mA。
42. 如圖所示電路,若V
s
=4sinωt V,V
B
=2V,二極體可視為理想元件,則輸出電壓V
o
之最低值為何?
(A)1V
(B)2V
(C)3V
(D)4V。
43. 如圖所示電路,若V
s
=4sinωt V,V
B
=2V,二極體可視為理想元件,則輸出電壓V
o
之最高值為何?
(A)1V
(B)2V
(C)3V
(D)4V。
44. 圖之偏壓電路中,若電晶體操作在作用區,且其V
BE
=0.7V,β=150,試求I
C
=?
(A)3mA
(B)4mA
(C)5mA
(D)6mA。
45. 圖之二極體均具有理想特性,則V
AB
的最高電壓值約為多少?
(A)2.8V
(B)3.5V
(C)4.8V
(D)6V。
46.
第46-47題為題組題
如圖所示電路,若BJT之V
BE(on)
=0.5V,β=49,則I
B
約為何?
(A)20mA
(B)2mA
(C)0.2mA
(D)0.02mA。
47. 承上題,則V
CE
約為何?
(A)1.08V
(B)2.08V
(C)3.08V
(D)4.08V。
48. 如圖所示電路,若v
1
=5mV,v
2
=3mV,則v
o
為何值?
(A)60mV
(B)30mV
(C)-30mV
(D)-60mV。
49. 在圖的電路中,若V
1
=1V、V
2
=1V、V
3
=-1V,則V
o
=?
(A)-2V
(B)-3V
(C)-4V
(D)-5V。
50. 圖所示電路中,I
D
=20mA,則V
GS
=?
(A)3V
(B)4V
(C)5V
(D)6V。