經濟部國營事業聯合招考|專業科目|歷屆題庫|106年|1.電路學2.電子學 -鼎文題庫網

1. 求下圖電路中的V＝？
　

(A)－4V　

(B)－2V　

(C)2V　

(D)4V。

2. 求下圖電路中的I＝？
　

(A)0.5A　

(B)1A　

(C)1.5A　

(D)2A。

3. 有關重疊定理（Principle of Superposition）的應用，下列何者有誤？　

(A)獨立電壓源可以用短路代替　

(B)獨立電流源可以用開路代替　

(C)相依電源可以用開路或短路代替　

(D)可適用於線性系統。

4. 兩個磁耦合線圈的自感分別為L₁＝10mH，L₂＝16mH，設耦合係數為0.85，求互感量為？　

(A)10.75mH　

(B)11.66mH　

(C)12.65mH　

(D)14.88mH。

5. 求下圖所示電路，a、b兩端的等效電容？
　

(A)1nF　

(B)1.52nF　

(C)2nF　

(D)2.52nF。

6. 理想二極體組成之箝位器（Diode Clampers）電路，如下圖所示，若輸入為0～10V之方波，試求其輸出電壓範圍？
　

(A)－10～0V　

(B)－7～3V　

(C)－3～7V　

(D)3～10V。

7. 若一齊納二極體（Zener Diode）在25˚C時崩潰電壓為15V，溫度係數為0.02%/˚C，若崩潰電壓升為15.135V，求當時溫度為何？　

(A)35˚C　

(B)45˚C　

(C)60˚C　

(D)70˚C。

8. 關於蕭特基二極體（Schottky Diode）特性，下列敘述何者有誤？　

(A)並非一般二極體的pn接面，而是半導體與金屬接面　

(B)對於偏壓改變有快速反應能力，應用於高頻與高速切換　

(C)順向電壓降約為0.3V　

(D)靠多數載子操作，有大量逆向漏電流。

9. 經過全波整流器（Full-Wave Rectifier）之正弦波信號，輸出電壓平均值V_avg與輸入電壓峰值V_p的關係為？　

(A)V_avg＝

　

(B)V_avg＝

　

(C)V_avg＝

　

(D)V_avg＝

。

10. 有關於BJT電晶體（npn）之敘述，下列敘述何者有誤？　

(A)基極－射極、基極－集極接面皆施與順向偏壓，電晶體將工作於飽和區　

(B)當基極電流逐漸下降為0，電晶體將進入截止區　

(C)在飽和區工作之電晶體，I_C＝β_DCI_B　

(D)一般BJT之電壓增益參數β_DC會隨著接面溫度T_j上升而增加。

11. 求下圖電路中的V＝？
　

(A)50V　

(B)60V　

(C)70V　

(D)80V。

12. 求下圖電路中，5Ω所消耗的功率？
　

(A)2.4W　

(B)3.8W　

(C)7.2W　

(D)8.4W。

13. 有一個戴維寧等效電路是由一獨立電壓源V_Th串聯一電阻R_Th組成，請問轉換為諾頓等效電路後的獨立電流源I_N為？　

(A)

　

(B)V_ThR_Th　

(C)V_Th－R_Th　

(D)V_Th＋R_Th。

14. 有一負載的功率因數為1.0，請問此負載屬何種性質負載？　

(A)純電阻性負載　

(B)純電容性負載　

(C)純電感性負載　

(D)複合性負載。

15. 下圖所示電路是理想的運算放大器，求V_O＝？
　

(A)－11V　

(B)－5V　

(C)5V　

(D)11V。

16. 一BJT電晶體直流工作電路如下圖，若不希望電晶體進入飽和區，請問V_in在基極端所產生之電流最大允許增加量為何？
　

(A)100μA　

(B)150μA　

(C)175μA　

(D)200μA。

17. 若一BJT電晶體分壓器偏壓電路如下圖，若電晶體β_DC＝100，試求V_C？
　

(A)2V　

(B)4.3V　

(C)5V　

(D)8.5V。

18. 有一差動放大器，CMRR＝2000、共模增益A_CM＝0.2、輸入電壓分別為200μV、100μV，求輸出電壓？　

(A)39.97mV　

(B)40mV　

(C)40.03mV　

(D)40.06mV。

19. 對於電晶體組成共射極放大器（Common-Emitter Amplifier）電路特性，下列敘述何者有誤？　

(A)高電壓增益　

(B)加入射極旁路電容可提高電壓增益　

(C)高電流增益　

(D)輸出與輸入電壓同相。

20. 關於達靈頓對（Darlingt on Pair）組成之射極隨耦器，下列敘述何者正確？　

(A)輸入阻抗低　

(B)可作為低阻抗負載緩衝器　

(C)高電壓增益　

(D)輸出阻抗高。

21. 下圖所示電路為理想的運算放大器，求Rin＝？
　

(A)

　

(B)

　

(C)1Ω　

(D)

。

22. 一電感器兩端的電壓為V(t)＝40e^－^10tV，請問電感器的電壓變成10V時，t為何值？　

(A)128.629ms　

(B)138.629ms　

(C)148.371ms　

(D)158.371ms。

23. 一RLC並聯電路的電阻值、電感值以及電容值分別為2500Ω、2.5H、4nF，其電壓響應應屬於何種性質？　

(A)欠阻尼　

(B)無阻尼　

(C)臨界阻尼　

(D)過阻尼。

24. 有一個10Ω電阻器與一個5mH電感器並聯，然後再跟一個5Ω電阻，以及一個10μF的電容器串聯，求此電路在ω＝2000rad/s時的阻抗？　

(A)10－j45Ω　

(B)10＋j45Ω　

(C)12.5－j75Ω　

(D)12.5＋j75Ω。

25. 已知一弦波電壓為V＝10cos（1256t－53.13˚），求其週期為？　

(A)4ms　

(B)5ms　

(C)6ms　

(D)7ms。

26. 關於放大器之敘述，下列敘述何者有誤？　

(A)A類放大器效率最高約有79%　

(B)B類放大器偏壓在截止點　

(C)AB類放大器可改善交越失真現象（Crossover Distortion）　

(D)C類放大器偏壓在截止點以下。

27. 有一AB類放大器電路如下圖，試求其交流輸出功率為？
　

(A)0.5W　

(B)0.9W　

(C)1.25W　

(D)1.5W。

28. 如下圖之JFET共源極放大器電路，若V_GS＝20V時、反向漏電流I_GSS＝50nA，由信號源看入之輸入阻抗為何？
　

(A)19.05MΩ　

(B)20MΩ　

(C)20.95MΩ　

(D)23.33MΩ。

29. 對JFET自給偏壓（Self-Bias）電路，若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點，意即I_D＝，下列哪一種方式可達成？　

(A)V_GS＝V_GS(off)/2　

(B)V_GS＝V_GS(off)/3.4　

(C)V_D＝V_DD/2　

(D)V_D＝V_DD/3.4。

30. 有一增強型MOSFET，其臨界電壓V_GS₍_th₎＝2V，當V_GS＝8V時、對應之I_D₍_on₎＝200mA，求V_GS＝5V時之I_D值？　

(A)50mA　

(B)100mA　

(C)125mA　

(D)150mA。

31. 有關弦波穩態功率的敘述，下列何者有誤？　

(A)瞬間功率的頻率為電壓或電流頻率的二倍　

(B)平均功率等於瞬間功率經過一週期的平均值　

(C)複數功率等於實功率與無效功率的複數和　

(D)功率因數等於電壓與電流之間相角的正弦值。

32. 如下圖所示電路，轉移到負載阻抗Z_L的最大功率為何？
　

(A)6W　

(B)9W　

(C)18W　

(D)36W。

33. 有一平衡三相電路V_AN為120∠－30˚V，且為正相序，V_BC的值為？　

(A)207.85∠－120˚V　

(B)207.85∠120˚V　

(C)207.85∠－150˚V　

(D)207.85∠150˚V。

34. 有一個三相額定平均功率為20kW的負載，已知電源的三相線路的線電壓額定值為240V，線電流為50A，求負載所吸收的無效功率？　

(A)3.66kVAR　

(B)4.66kVAR　

(C)5.66kVAR　

(D)6.66kVAR

35. 有一函數F(s)＝，求f(t)？　

(A)e^－t＋2e^－2t＋3e^－3t　

(B)2e^－t＋4e^－2t＋6e^－3t　

(C)3e^－t＋6e^－2t＋9e^－3t　

(D)4e^－t＋8e^－2t＋12e^－3t。

36. 下列敘述何者有誤？　

(A)JFET共源極放大器相較於BJT共射極放大器，輸入阻抗較低　

(B)JFET共源極放大器，輸入V_GS與輸出V_DS電壓呈現180?反相　

(C)JFET源極隨耦器電壓增益A_V約略等於1　

(D)JFET共閘極放大器具有低輸入阻抗。

37. 如下圖之MOSFET電路架構，A、B為輸入，V_out為輸出，若希望輸出得到高電位（V_DD），試問A、B輸入應為何？
　

(A)0、0　

(B)0、V_DD　

(C)V_DD、0　

(D)V_DD、V_DD。

38. 下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大？　

(A)耦合電容　

(B)旁路電容　

(C)電晶體內部電容　

(D)反耦合電容。

39. 關於負回授與非負回授運算放大器比較，下列敘述何者有誤？　

(A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現180˚反相　

(B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益　

(C)負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入、輸出阻抗目的　

(D)負回授運算放大器可以得到較大頻寬。

40. 如下圖之理想運算放大器電路，具有100dB開迴路增益和4MHz的單位增益頻寬f_T，下列敘述何者有誤？
　

(A)屬於反相放大器　

(B)電壓增益為－5　

(C)輸入阻抗約為1kΩ　

(D)閉迴路頻寬約為80kHz。

41. 求下圖電路中，流經5Ω的電流i＝？
　

(A)0.5A　

(B)1A　

(C)1.5A　

(D)2A。

42. 利用一50mH的電感器設計一個截止頻率為1500Hz的RL低通濾波器，求電阻器R值？　

(A)118Ω　

(B)236Ω　

(C)314Ω　

(D)471Ω。

43. 下圖所示為一帶通濾波器求共振頻率W_O？
　

(A)10⁵rad/s　

(B)10⁶rad/s　

(C)10⁷rad/s　

(D)10⁸rad/s。

44. 有一個0.3mF的電容器，其端點電壓為40e^－¹⁵⁰^t sin300t V，求電容器上的電流i (0)？　

(A)1.2A　

(B)2.4A　

(C)3.6A　

(D)4.8A。

45. 一般家庭用戶所使用的110V為弦波電壓的均方根值，請問110V的最大值為？　

(A)63.51V　

(B)77.78V　

(C)155.56V　

(D)190.52V。

46. 若有一BJT電晶體在工作區時，其基極電流為0.2mA、射極電流為20mA，試求其直流增益β_DC為何？　

(A)49　

(B)50　

(C)99　

(D)100。

47. 試求如下圖中低通濾波器臨界頻率f_C為何？
　

(A)3.98kHz　

(B)7.96kHz　

(C)12.58kHz　

(D)15.92kHz。

48. 關於振盪器之敘述，下列敘述何者有誤？　

(A)回授信號相位移必須為180˚

(B)柯畢子振盪器（Colpitts Oscillator）使用LC回授電路　

(C)迴路增益必須為1　

(D)相移振盪器至少需使用三級RC相移電路。

49. 有一MOSFET，若I_DSS＝10mA、V_GS₍_off₎＝－4V，當V_GS＝－2V時，試求其轉換電導gm？　

(A)1mS　

(B)2.5mS　

(C)5mS　

(D)9mS。

50. 如下圖JFET共源極放大器電路，試求電壓增益A_V為何？
　

(A)－5　

(B)－4　

(C)－1.6　

(D)－1.2。

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