單選題 每題2分

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1. 有一脈波寬度為100μs，工作週期為50%，則此脈波之頻率為何？　

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2. 如圖所示電路，若二極體之導通電壓為0.7V，則輸出電壓值V_o為何？
　

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3. 有一電源電路之輸出電壓V(t)＝10＋0.2sin(ωt)伏特，則其漣波因數百分比約為多少？　

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4. 有一直流電源之電動勢為30V，內阻為2Ω，滿載時所提供之電流為2.5A，則此電源之電壓調整率為何？　

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5. 如圖所示電路，假設射極電壓V_E＝－0.7V，β＝50，V_CC＝10V，則V_C約為多少？
　

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6. 下列何者為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的？　

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7. 如圖所示電路，Q₁與Q₂為匹配之電晶體（β₁＝β₂＝β），且皆操作於作用區（active region），請問為下列哪個選項？
　

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8. 當一輸出額定值為40W的放大器被接到一個10Ω的揚聲器上，若放大器之功率增益為20dB，試求在全功率輸出時，輸入功率應為多少？　

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9. 有一N通道增強型MOSFET的臨界電壓V_T＝2V，當V_GS＝5V時，MOSFET工作於飽和區（夾止區），且I_D＝3mA。若V_GS＝8V，則轉移電導g_m為何？　

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10. 如圖所示電路，已知g_m＝5mS，r_d＝20kΩ，則V_o為何？
　

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11. 如圖所示電路，若Q₁與Q₂完全相同，則V_o的週期約為多少？
　

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12. 如圖所示電路，為＿＿濾波電路，其截止頻率為＿＿，請問空格處應填入下列哪組選項？
　

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13. 運算放大器若利用R_C相移電路產生振盪，則此R_C電路必須提供的相位移為何？　

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14. 有一只PN矽質二極體之溫度為25˚C時，其順向電壓為0.7V，則當溫度上升到多少˚C時，其順向電壓為0.5V？　

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15. 如圖所示電路，其I-V特性曲線為下列何者？　

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16. 若有一共射極組態電晶體之α值由0.98變至0.99，則β值變化為何？　

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17. 有關電晶體的結構與特性，下列敘述何者有誤？　

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18. 如右圖所示之LED驅動電路，使LED發亮的電壓為2V，電流為15mA，假設飽和電晶體之V_CE(sat)電壓降可忽略不計，V _BE(sat)＝0.8V，試求R_B、R_C的適當電阻值為何？
　

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19. 如右圖所示之放大電路，已知電晶體的β值為109，此電路的r _π為1.1kΩ，則此放大電路的輸出阻抗Z_o約為多少？
　

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20. 有一電路之電流增益A_i＝49，輸入阻抗為2kΩ，輸出阻抗為18kΩ，則此電路之電壓增益為何？　

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21. 有一個N通道JFET，若I_DSS＝12mA，V_GS(OFF)＝V_P＝－4V，則V_GS＝－2V時的I_D電流值為何？　

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22. 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓V_T＝－2V，假設其閘極（gate）接地而源極（source）接至＋5V，欲使此元件操作在飽和區（saturation region），則汲極（drain）之最高電壓為何？　

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23. 下列由理想運算放大器（OPA）所製作的應用電路中，哪一種電路中之OPA的輸入端不可看成虛短路？　

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24. 有一差動放大器，其兩輸入電壓分別為V _i1＝55μV，V _i2＝45μV，共模拒斥比CMRR（dB）＝40dB，差模增益A _d＝500，則下列何者正確？　

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25. 有關理想運算放大器的特性，下列敘述何者有誤？　

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26. 類比式交流電壓表所量測的交流電壓值為下列何者？　

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27. 下列何者不是二極體常見的功用？　

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28. 稽納二極體（Zener Diode）常應用於下列何種電路？　

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29. 如圖所示，V_i＝20V，稽納二極體（Zener Diode）的崩潰電壓V_z＝10V，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，則輸出電壓值V_o為何？
　

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30. 如圖所示，V_i＝20V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_z＝8V，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，則此稽納二極體（Zener Diode）所消耗之功率為多少？
　

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31. 如圖所示，V_i＝10V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_z＝8V，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，則此稽納二極體（Zener Diode）所消耗之功率為多少？
　

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32. 有一電晶體，適當偏壓於作用區，測得I_B＝0.05mA，I_E＝5mA，則此電晶體的α值為多少？　

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33. 下列何種電路不具備電流放大的功能？　

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34. 下列何種BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高？　

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35. 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點（operating point）落在下列哪種區域內，可獲得較佳之放大倍率？　

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36. 如圖所示電路，電晶體的β＝100，集極電流為2mA，V_CE＝4V，R_C兩端之電壓為4V，V_BE＝0.7V，則R_E之電阻值約為多少？
　

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37. 如右圖所示電路，電晶體的β＝120，V_CE(sat)＝0.2V，V_BE(act)＝V_BE(sat)＝0.7V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_Z＝5.6V，當V_i＝2V，V_o約為多少？
　

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38. 如圖所示電路，電晶體的β＝120，V_CE(sat)＝0.2V，V_BE(act)＝V_BE(sat)＝0.7V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_Z＝5.6V，當V_i＝3V，V_o約為多少？
　

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39. 如圖所示電路，電晶體的β＝120，V_CE(sat)＝0.2V，V_BE(act)＝V_BE(sat)＝0.7V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_Z＝5.6V，當V_i＝3V時，電流I約為多少？
　

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40. 對於達靈頓（Darlington）電路特徵的敘述，下列何者有誤？　

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41. 已知一放大電路電壓增益A_V為100，電流增益A_i為10，則其功率增益A_P (dB)為多少？　

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42. 下圖所示CMOS反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示(a)之弦波，則輸出之信號V_o應為下列何者？
　

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43. 下圖所示CMOS反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示(b)之方波，則輸出之信號V_o應為下列何者？
　

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44. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數g_m＝1.5m℧，r_d＝10kΩ，已知電路中不存在源極電阻R_S，而汲極電阻R_D＝10kΩ，請問該電路之電壓增益A_V為何？　

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45. 下列敘述，何者有誤？　

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46. 如圖所示電路，此電路功能為下列何種濾波器？
　

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47. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振R₁盪器，若R₁＝R₂，C₁＝C₂，其電壓增益A_V應為下列何者？　

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48. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振盪器，若R₁＝4kΩ，R₂＝1kΩ，R₄＝10kΩ，C₁＝0.1μF，C₂＝0.4μF，請問R₃之電阻值應為多少？
　

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49. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振盪器，若R₁＝4kΩ，R₂＝1kΩ，R₄＝10kΩ，C₁＝0.1μF，C₂＝0.4μF，該電路之電壓增益A_V應為多少？
　

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50. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振盪器，若R₁＝4kΩ，R₂＝1kΩ，R₄＝10kΩ，C₁＝0.1μF，C₂＝0.4μF，該電路之回授量β應為多少？
　

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