單選題 每題2分

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1. 電流i(t)＝〔5cos（ωt＋36.87°）＋10cos（ωt－53.13°）〕A，如改用相量表示為何？

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2. 有一弦波電壓V(t)＝300cos（120πt＋30°）V，當t＝2.778ms時，電壓值為何？

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3. 有一電壓源V(t)＝100＋20cos（3t－20°）＋10cos（5t＋10°）＋10cos（7t－30°）V串聯1Ω電阻，則1Ω電阻所吸收之平均功率為何？

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4. 有一RLC並聯電路，其自然響應V(t)＝sinωt，A為常數，α＞0，ω≠0。有關V(t)敘述，下列何者有誤？

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5. 有一弦波電壓源連接RLC串聯電路，R＝50Ω，L＝50mH，C＝80μF。欲使電路出現最大電流振幅，則電源角頻率ω值為何？

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6. 有一電容器C＝0.5F，其電流i(t)＝6t A。已知t＝0s時，電容器上之電壓為2V，求t＝1s時，儲存於電容器之能量為何？

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7. 有一電壓V(t)＝（ωt－10(）V，連接阻抗Z＝Ω，則其複數功率大小為何？

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8. 關於RLC串聯諧振之敘述，下列何者有誤？

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9. 有一元件之電壓及電流分別為v(t)＝3cos（3t＋20°）V，i(t)＝－2sin（3t＋30°）A，則電壓和電流之相位關係為何？

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10. 一個25μF之電容器兩端加上電壓V(t)＝10sin200t V，則電容阻抗值為何？

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11. 有一電阻R＝2Ω，將其通過i(t)＝4sin（ωt＋30°）A之電流時，電阻消耗之功率為何？

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12. 有一RLC串聯電路，連接一個60Hz，100V之電源。電路之R＝10Ω，X_L＝50Ω，X_C＝－0.5Ω，則此電路之諧振頻率為何？

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13. 有兩條銅線，銅線A的直徑及長度皆為銅線B的2倍。若在兩條銅線加上相同電壓，則銅線A所消耗功率為銅線B的幾倍？

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14. 有一電源所提供之電壓及電流分別為V(t)＝20sin（ωt）V，i(t)＝40sin（ωt－30°）A，則電源所提供之平均功率為何？

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15. 有一電感L＝100mH，當t＜0，其兩端電壓為0V。當t＞0，其兩端電壓V(t)＝。假設t≤0時，i_L＝0A。求t＝0.2s時，i_L值＝？

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16. 有一RLC串聯電路，R＝560Ω，L＝100mH，C＝0.1μF，其電流之自然響應特性為何？

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17. 如右圖之電路，t＝0s時，S₁閉合，t＝5s時，S₂閉合。當0≤t≤5時，求電路之i(t)＝？

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18. 如下圖之電路，t＜0時已達穩態。當t＝0s時，瞬間將開關斷路，則t＝48s時，求V₁＝？

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19. 如右圖之電路，t＜0時已達穩態。當t＝0s時，瞬間將開關斷路，則t＞0時，V_C(t)＝？

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20. 如右圖之電路，電感在t＝0s時，i_L(0)＝2A。求t＞0時，i_L(t)＝？

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21. 如右圖之電路，t＝0s時，開關瞬間閉合。則t＝1ms時，電壓V_L＝？

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22. 如右圖之電路，t＝0s時，開關瞬間閉合。求t＞0時，V_C(t)＝？

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23. 如右圖之電路，從V_OC兩端點看入之戴維寧等效阻抗為何？

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24. 求右圖電路之i_x＝？

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25. 右圖電路之V_O＝aV₁＋bi₂＋cV₃，求a＋b＋c＝？

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26. 如右圖之電路，在下列哪種條件下，其電壓增益值V_O/V_I與頻率無關？（OP：理想運算放大器）

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27. 如右圖之電路，流經R_f的電流值I_f為多少？（OP：理想運算放大器；D₁為二極體，其導通電壓＝0.7V；V_Z：稽納二極體的逆向崩潰電壓）

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28. 如右圖之電路，要確保此電路可以開始振盪，其條件為何？（OP：理想運算放大器）

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29. 轉導放大器（Transconductance Amplifier）的理想特性為何？（R_i：輸入阻抗；R_o：輸出阻抗）

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30. 一理想矽質PN介面的二極體，在T＝300K時（V_T＝26mV），其逆向偏壓的飽和電流為I_S＝2×10^－14A且n＝1，請問在順向偏壓＋0.65V時的電流值為多少？

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31. 如右圖之電路，假設I_REF＝I_O＝100μA，所有的MOSFET（Q₁～Q₄）的爾利電壓（Early Voltage）|V_A|＝50V，且g_m＝0.5mA/V，忽略基體效應（Body Effect），請問輸出電阻R_o的值為多少？

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32. 如下圖之電路，假設MOSFET Q₁、Q₂、Q₃之工作點均在飽和區且忽略爾利效應（Early Effect），g_m1＝0.5mA/V，Q₃與Q₂的通道寬度比W₃/W₂＝1.2，試求此電路的小信號電壓放大倍數v_o/v_i等於多少？

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33. 如右圖之電路，假設I_o＝10μA，BJT Q₁、Q₂、Q₃的電流增益β均為80，V_T＝25mV，且爾利電壓（Early Voltage）|V_A|＝100V，求R_o的電阻值為多少？

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34. 對一MOSFET以一固定的v_GS電壓操作在飽和區，在v_DS＝4V時，i_D＝2mA，且v_DS＝8V時，i_D＝2.1mA，請問其爾利電壓（Early Voltage）|V_A|為多少？

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35. 對一增強型的PMOS電晶體，其＝90μA/V²，V_t＝－1.5V，爾利電壓（Early Voltage）|V_A|＝50V，將閘極(G)端接地，源極(S)端接＋5V，當汲極(D)端電壓v_D＝＋4V時，求其汲極電流值i_D為多少？

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36. 在積體電路中，NMOS的基體(B)端應如何接？

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37. 使一個npn型電晶體操作在v_BE＝670mV，I_C＝2mA，其i_C對v_CE的特性有一斜率為2×10^－5℧，當電晶體操作在I_C＝10mA時，其輸出阻抗值為多少？

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38. 對一BJT電晶體操作在I_B＝5mA時，在I_C＝10mA下，其對應的V_CEsat＝140mV，且I_C＝20mA時，其對應的V_CEsat＝180mV，求其飽和區的R_CEsat電阻值為多少？

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39. 如右圖之電路，已知此CMOS反向器電路的V_TN＝0.8V，V_TP＝－0.8V且K_n＝K_p，假設v_O1＝0.5V時，請問v_I的電壓值為多少？

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40. 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A_o＝100dB，當頻率f＝10⁴Hz時，其開路增益的大小為40dB，請問此放大器之單位增益頻寬（unit gain bandwidth）值約為多少？

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41. 如右圖的一組並聯－串聯式（Shunt-Series）負回授放大電路，電晶體參數g_m1＝g_m2＝6mA/V，忽略爾利效應（Early Effect）及基體效應（Body Effect），電阻R_S＝R_D＝10kΩ及R_F＝90kΩ，求電流放大倍數A_f＝I_O/I_S為多少？

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42. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值V_T，下列敘述何者正確？

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43. 對一npn型的BJT所組成的共基極（Common Base）放大器，下列敘述何者有誤？

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44. 對一PN二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流I_S的敘述何者有誤？

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45. 下列有關MOS電流鏡和BJT電流鏡的比較何者有誤？

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46. 如右圖的電晶體放大電路，g_m＝2mA/V，r_O＝100kΩ，R_D＝6kΩ，R_L＝100kΩ，求小信號電壓放大增益值v_o/v_i為多少？（C₁、C₂及C_S可視為短路）

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47. 如右圖的數位邏輯電路，A、B為邏輯輸入，請問Y輸出為何？

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48. 開路放大器的增益函數A_o(s)＝，當回授因子β值為多少時，會使閉回路放大器成為臨界阻尼響應。

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49. 如右圖之電路，假設所有電晶體完全相同，V_BE(on)＝0.7V，V_CE(sat)＝0.2V且爾利電壓（Early Voltage）|V_A|＝∞，並忽略電流I_B，請問要使此電路操作在線性區域內[v_omin, v_omax]，其輸入電壓值v_I要在哪種範圍？

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50. 如右圖之電路，一個MOSFET放大器的小信號高頻等效電路，假設R_sig＝100kΩ，g_m＝4mA/V，＝5kΩ，且C_gs＝C_gd＝1pF，R_S＝100Ω，請問高頻－3dB的值為多少？

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