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單選題
每題2分
1. 一汽車用蓄電池,用5A電流充電時,端電壓為12.4V,用3A電流充電時,其端電壓為13V,則該蓄電池的內阻為多少?
(A)0.6Ω
(B)0.5Ω
(C)0.4Ω
(D)0.3Ω。
2. 關於橋式整流電路,下列敘述何者有誤?
(A)為一全波整流電路
(B)二極體之PIV=2V
m
(C)輸出頻率為電源頻率之兩倍
(D)輸出直流電壓=2V
m
/π。
3. 家用的交流電源110V、60Hz,經半波整流,但未濾波,則此整流後電壓平均值約為多少?
(A)70V
(B)60V
(C)50V
(D)40V。
4. 如右圖所示之電路,若D屬理想二極體,則下列何種做法對改善其漣波因數(ripple factor)的效果最差?
(A)將電容值加大
(B)將輸入電壓變小
(C)將電阻值加大
(D)改用全波整流。
5. 如右圖所示之橋式整流電路,假設二極體均為理想二極體,當輸入交流電壓V
in
(t)大於0伏特時,請問二極體的狀態,下列何者正確?
(A)D1、D3導通,D2、D4不導通
(B)D2、D4導通,D1、D3不導通
(C)D1、D4導通,D2、D3不導通
(D)D2、D3導通,D1、D4不導通。
6. 如右圖所示之某倍壓電路,其輸出直流電壓約為幾伏特?
(A)141V
(B)100V
(C)200V
(D)75V。
7. 有一電壓源v(t)=-3+
,其平均值電壓與有效值電壓比約為多少?
(A)-1
(B)0
(C)0.75
(D)-0.6。
8. 如右圖所示,若其頻率為4kHz,則其工作週期(duty cycle)為多少?
(A)10%
(B)20%
(C)30%
(D)40%。
9. 如右圖所示之電路,二極體皆為鍺質二極體,則I約為多少?
(A)2mA
(B)1.8mA
(C)2.8mA
(D)3.8mA。
10. 如下圖所示之電路,流過稽納(Zener)二極體之電流約為多少?
(A)3.7mA
(B)3.1mA
(C)1.6mA
(D)0.63mA。
11. 下列有關PN接面二極體的敘述,何者有誤?
(A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高
(B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄
(C)溫度上升時,障壁電壓上升
(D)溫度上升時,漏電流上升。
12. 下列何者二極體一般不是工作於逆向偏壓?
(A)光二極體(photo diode)
(B)稽納二極體(Zener diode)
(C)變容二極體(varactor)
(D)蕭基二極體(Schottky diode)。
13. 在雙載子接面電晶體(BJT)放大器中,具有最大電壓增益與電流增益乘積的是何種組態?
(A)共基極放大器
(B)共射極放大器
(C)共集極放大器
(D)共汲極放大器。
14. 如右圖所示電路,若h
re
=h
oe
=0,h
ie
=1kΩ,h
fe
=100,則V
i
點與接地間的輸入阻抗為多少?
(A)150kΩ
(B)180kΩ
(C)190kΩ
(D)205kΩ。
15. 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述,何者有誤?
(A)共射極組態放大電路又稱為射極隨耦器
(B)共射極組態之輸入與輸出信號位差180度
(C)共基極組態放大電路的高頻響應最佳
(D)共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用。
16. 如下圖共射極放大電路的交流等效電路中,電流增益i
o
/i
i
為何?
(A)β
(B)-β
(C)
(D)
17. 如右圖所示之電路,假設雙極性接面電晶體的β=100,V
BE
=0.7V,則在工作點Q上所對應之電壓V
CE
值應為多少?
(A)7.56V
(B)8.84V
(C)9.2V
(D)10.69V。
18. 電晶體做為開關電路,負載為電感性時的保護措施為何?
(A)將電阻器與負載並聯
(B)將電阻器與負載串聯
(C)將電容器與負載串聯
(D)將二極體與負載並聯。
19. 如右圖所示之電路,若V
CC
=20V,R
L
=50Ω,則此放大器最大交流輸出功率為何?
(A)1W
(B)2W
(C)3W
(D)4W。
20. 如右下圖所示之電路,若電晶體的β值為100,則使電晶體處於飽和狀態的最小I
B
約為多少?
(A)1mA
(B)0.1mA
(C)0.05mA
(D)0.5mA。
21. 有40W輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器,若放大器的電壓增益為40dB,且為額定輸出時,求其輸入電壓為何?
(A)40mV
(B)0.1V
(C)0.2V
(D)0.4V。
22. 如右圖所示之達靈頓電路,則Z
i
的值為多少?
(A)5MΩ
(B)2.5MΩ
(C)1.67MΩ
(D)0.5MΩ。
23. 假設一功率電晶體之接面最高允許溫度T
J(MAX)
=175℃,於外殼溫度T
C
=25℃下,若熱阻θ
JC
=1℃/W,則其最高散逸功率P
D(MAX)
為多少?
(A)300W
(B)250W
(C)200W
(D)150W。
24. 對於多級串接放大電路的敘述,下列何者正確?
(A)級數越多,頻寬愈寬
(B)級數越多,電壓增益愈高
(C)級數越多,輸入阻抗愈大
(D)級數越多,電路穩定性愈高。
25. 有關光耦合器的敘述,下列何者有誤?
(A)具有將輸入與輸出信號隔離的作用
(B)輸出入共用接地端
(C)可應用在兩不同壓降的電路上
(D)為一電子式元件。
26. 如右圖所示,V
DS
=8V,則V
GS
為多少?
(A)+3.5V
(B)-3.5V
(C)-4.0V
(D)+4.0V。
27. N通道加強型MOSFET的閘-源電壓V
GS
應如何才能使汲極電流I
D
導通?(V
T
為臨界電壓)
(A)V
GS
>0,V
GS
<V
T
(B)V
GS
<0,V
GS
>V
T
(C)V
GS
<0,V
GS
<V
T
(D)V
GS
>0,V
GS
>V
T
。
28. 有關於MOSFET的敘述,下列何者有誤?
(A)MOSFET有空乏型及增強型兩種形式
(B)MOSFET有N通道及P通道兩種
(C)MOSFET是電流控制元件
(D)MOSFET之閘極與源極間直流電阻很大。
29. 如右圖所示之MOSFET放大電路,若I
D
=0.2(V
GS
-1.0)
2
mA,求直流電壓V
DS
值為多少?
(A)1V
(B)2V
(C)3V
(D)4V。
30. 如右圖所示之電路,是屬於下列何種型態之電路,且可形成何種濾波器?
(A)積分器,低通濾波器
(B)積分器,高通濾波器
(C)微分器,低通濾波器
(D)微分器,高通濾波器。
31. 差動放大器中之CMRR愈大愈好,若要提高CMRR值,則其射極直流阻抗(R
E
)及射極交流阻抗(r
e
)應如何選擇?
(A)R
E
、r
e
皆為高阻抗
(B)R
E
為高阻抗,r
e
為低阻抗
(C)R
E
、r
e
皆為低阻抗
(D)R
E
為低阻抗,r
e
為高阻抗。
32. 如下圖為理想運算放大器之電路,其電壓增益V
O
/V
S
為多少?
(A)12
(B)-12
(C)16
(D)-16。
33. 下列何者不是理想運算放大器的特性?
(A)輸入阻抗無限大
(B)輸入電流不等於零
(C)輸出阻抗為零
(D)電壓增益無限大。
34. 如下圖所示,一個三級串接的放大器,若輸入電壓V
in
為4μV,試求輸出電壓V
out
為多少?
(A)0.8mV
(B)8mV
(C)0.4mV
(D)4mV。
35. 如右圖所示之電路,輸出電壓V
o
為多少?
(A)10.8V
(B)5.4V
(C)15V
(D)7.5V。
36. 如右圖所示之理想運算放大器電路,在不飽和情況下,輸出電壓V
o
為多少?
(A)V
o
=V
i
(B)V
o
=-V
i
(C)V
o
=V
i
+2
(D)V
o
=2V
i
+4。
37. 如右圖所示之理想運算放大器電路,在不飽和情況下,電流I為多少?
(A)0.5mA
(B)0.05mA
(C)0.15mA
(D)0.02mA。
38. 下列有關振盪電路之敘述,何者有誤?
(A)RC相移振盪器是屬於電路低頻振盪器
(B)石英晶體振盪是利用晶體本身具有壓電效應而產生振盪
(C)射頻振盪器一般使用韋恩振盪電路
(D)振盪器是一種將直流電變為交流電的裝置。
39. 如右圖所示之施密特觸發器,假設運算放大器飽和時之最大輸出電壓為±15V,求其遲滯電壓V
H
為多少?
(A)3V
(B)4V
(C)5V
(D)6V。
40. 下列關於BJT電晶體射極隨耦器之特性敘述,何者有誤?
(A)輸出訊號與輸入訊號相位相同
(B)電流增益低於1
(C)電壓增益略小於1
(D)輸入阻抗甚高。
41. 如右圖所示,若V
i
為三角波,則輸出V
o
應為何種波形?
(A)方波
(B)正弦波
(C)鋸齒波
(D)三角波。
42. 如下圖所示為理想二極體之電路,其穩態最大輸出電壓範圍為何?
(A)-6V~+6V
(B)-6V~+5V
(C)-5V~+6V
(D)-5V~+5V。
43. 如下圖所示之電路,運算放大器的飽和電壓為±12V;若V
1
=-2V,V
2
=3V,則V
o
為多少?
(A)-14V
(B)-12V
(C)14V
(D)12V。
44. 下列那一種方法不能使已經導通的SCR截止?
(A)陽極電流降至維持電流以下
(B)切斷陽極電流
(C)使SCR的陽極陰極電壓反相
(D)切斷閘極電流。
45. 熱電偶(thermocouple)適合用於測量下列何種物理量?
(A)溫度
(B)壓力
(C)電流
(D)電壓。
46. 下列有關各類二極體的敘述,何者有誤?
(A)稽納二極體可作為產生參考電壓的元件
(B)發光二極體發光的波長與其偏壓的電壓值成正比
(C)一般發光二極體在使用時,是在順向偏壓下工作
(D)稽納二極體一般使用時,是在逆向偏壓下工作。
47. P通道場效電晶體(FET)之電荷載子為何?
(A)電子
(B)主載子為電洞,副載子為電子
(C)主載子為電子,副載子為電洞
(D)電洞。
48. 下列多級放大器耦合類別中,低頻響應最佳的為何者?
(A)電阻電容耦合
(B)變壓器耦合
(C)直接耦合
(D)電感耦合。
49. 如右圖所示為理想變壓器電路,D為理想二極體,V
i
=156sin(377t)V,R
L
=30Ω,則V
o
平均值約為多少?
(A)5V
(B)10V
(C)15V
(D)20V。
50. 下列關於BJT的敘述,何者有誤?
(A)對NPN BJT而言,I
E
=I
B
+I
C
(B)對PNP BJT而言,I
E
=I
B
+I
C
(C)β為共射極放大器的電流增益
(D)α為共集極放大器的電流增益。