單選題 每題2分

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1. 右圖運算放大器電路圖中接於腳位1及腳位5間之可變電阻VR的主要功能為何？

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2. 如圖中具有負載電阻R的箝位電路中，電容值對於輸出波形的影響為何？

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3. 如圖所示電路，A與B為輸入，Y為輸出，於正邏輯系統中，其功能為何？

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4. 如圖之電路，振盪發生時，R₂/R為何？

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5. 有關於光檢測用之光二極體，下列描述何者錯誤？

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6. 圖示差動放大器，若電晶體Q₁與Q₂的特性相同，Q₃與Q₄的特性相同，且其轉導（Transconductance）g_m皆為2mA/V、輸出電阻r_o皆為20kΩ，則差模電壓增益A_d＝v_o/v_id＝？

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7. 如圖所示電路，請問Q₁與Q₂所構成之放大器的組態分別為何？

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8. 下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？

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9. 如圖所示之電路，其運算放大器之飽和電壓為±15V，則此電路之遲滯（hysteresis）電壓範圍為何？

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10. 如圖所示為一BJT差動對（Differential-Pair）電路。Q₁＝Q₂，並設工作於主動模式（active-mode）。則呈現在兩基極端的差動輸入電阻（Differential Input Resistance）R_id以熱電壓（Thermal Voltage）V_T表示為：

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11. 圖示電路，若電晶體β＝100，V_BE(on)＝0.7V，電流I_C約為若干mA？

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12. 如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點（Operating Point）閘源極電壓V_GS為－2.6V，汲極電流I_D為2.6mA，I_DSS為8mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）V_P為－6V，則此放大器的輸入阻抗Z_i約為多少？

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13. 今有一電路如圖所示，其中V_P1＝V_P2＝6V、R₁＝10kΩ、R₂＝5kΩ，啟動二極體導通的端電壓須達0.7V以上，則電路中兩顆二極體導通的情形為何？

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14. 有一電路的轉移函數T(s)＝，則下列何者正確？

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15. 如右圖電路所示，若電晶體參數β＝100，＝2pF，＝6pF，則其高頻－3dB頻率約為多少kHz？

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16. 有一放大器電路的頻率響應轉移函數（Transfer function）F（s）＝V_O（s）/V_I（s）如下所示，其中s＝jω＝j2πf：F（s）＝，在製作絕對值| F（s）|的波德曲線圖（Bode plot）時，欲估計在頻率f＝3kHz時的線段斜率，下列敘述何者最為正確？

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17. 在串聯－串聯之負回授電路，若與其未加上回授時比較，則此回授電路之輸入阻抗及輸出阻抗會有何變化趨勢？

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18. 圖示理想二極體電路中，試求輸入電壓v_I的範圍，在此範圍內，輸出電壓v_O的值將會隨輸入v_I之變化而變化，其範圍為：

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19. 一般二極體在固定電流順偏導通狀況下的壓降，其溫度係數（Temperature Coefficient）為：

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20. 當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？

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21. 雙極性接面電晶體的各種組態放大器，何者最適合作輸出端的阻抗匹配？

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22. 有一BJT，其β＝100，已知在室溫下熱電壓V_T＝25mV，若I_C＝1mA，則該BJT之轉導g_m值為：

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23. 關於理想轉導放大器（Transconductance Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？

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24. 一般MOSFET單級放大器架構中，小訊號特性輸出阻抗較低的是那一種？

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25. 圖示放大器電路中的電阻R_e主要功用為何？

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26. 有一電路的轉移函數T(s)＝，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency）時，頻率與|?T(s)?| 的變化關係，下列何者正確？

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27. 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0，若Vi＝Asinωt，下列敘述何者正確？

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28. 如圖所示電路，A與B為輸入，v_o為輸出，於正邏輯系統中，其功能為何？

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29. 分析如圖之電路，若MOSFET之轉導值g_m＝1mA/V且操作於飽和區，元件之輸出阻抗r_o＝10kΩ，R_D＝10kΩ，R_G＝10kΩ，試求V_o/I_i＝？

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30. 如圖所示之理想運算放大器電路，電源為±15V，則此電路之遲滯（Hysteresis）電壓範圍約為何？

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31. 如圖所示之放大器，若電晶體操作於飽和區，且其高頻3dB頻率ω_H遠高於低頻3dB頻率ω_L，忽略元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？

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32. 在一全波整流電路中，使用中心抽頭變壓器，其輸出電壓振幅為V_S，二極體正向壓降為V_D，請問二極體的峰值反向電壓為何？

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33. 如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數g_m、r_e、r_π及輸出電阻r_o均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻R_out（不含R_L）為：

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34. 分析以下之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g_m為1mA/V，元件之輸出阻抗r_o皆為10kΩ，試求V_o/V_i約為多少？

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35. 一般電流計可以利用並聯電阻加大電流計的量測範圍，細部電路如下圖所示。若電流計本身的電阻Rm＝1kΩ，最大可容許通過的滿載電流Im_max＝100μA。已知加入的並聯電阻值分別為Ra＝9.09Ω、Rb＝0.909Ω、Rc＝0.101Ω，今將切換開關接到B接點，試研判這樣的組態在電表正負端接點之間最大的電流量測範圍？

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36. P通道空乏型MOSFET，在閘極上施加正電壓時，其通道導通程度會：

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37. 如圖電路，設電晶體的β＝100，V_BE＝0.7V，則I_C電流約為：

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38. 如圖所示運算放大器電路，下列敘述何者錯誤？

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39. 如圖的共集（CC）放大器（其偏壓未示）。若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o，則此放大器的電壓增益約為何？

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40. 有一p通道增強型（p-channel enhance mode）之MOSFET元件，不考慮輸出電阻效應，已知其i_D-v_DS電流電壓特性曲線如下圖所示，其中電壓v_DS、電流i_D均採用絕對值。若考慮v_GS的極性，試研判其飽和電流| i_D |與v_GS的關係以下列那一曲線最為正確？

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41. 由電阻R₁、R₂和運算放大器組成的非反相放大器（Non-Inverting Amplifier），如圖所示。其中R₁＝1kΩ，R₂＝1MΩ。運算放大器的輸出飽和電壓為±10V，輸入偏移電壓（Input Offset Voltage, Vos）為5mV。若輸入V_IN為正弦訊號，則其最大輸入振幅大約為多少才不會造成輸出訊號失真？

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42. 如圖所示電路，請問輸出電壓V_o＝？

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43. P通道空乏型MOSFET閘極加上正電壓時，其通道導通程度會：

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44. 如圖所示的電路，則“D₁”的主要功能為何？

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45. 一個差動放大器，若V_＋＝＋10mV而V_－＝－10mV，那差動輸入電壓（differential-mode input voltage）為：

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46. 分析右圖之電路，若BJT操作在順向主動區（forward active region）且轉導值g_m為10mA/V，β＝10，R_E＝1kΩ，R_C＝10kΩ，忽略元件之輸出電阻r_o，試求v_o/v_i約為多少？

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47. 圖示電路中場效電晶體之臨限電壓V_T＝1V、μ_nC_ox（W/L）＝100μA/V²，電壓V_D＝0.2V，則電阻R_D約為若干kΩ？

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48. 如圖所示電路，若V_DD＝3V，I_REF＝0.1mA，Q₁、Q₂及Q₃之轉導g_m＝20mA/V，輸出電阻r_o＝20kΩ，請問電壓增益約等於多少？

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49. 相較於共射極放大器（CE），下列有關共基極放大器（CB）之敘述，何者正確？

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50. 如圖所示之電晶體係下列那一種電晶體？

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