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1. 雙極性接面電晶體的各種組態放大器，何者最適合作輸出端的阻抗匹配？

2. 若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為β，下列何項敘述正確？

3. 如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2和CS，MOSFET的寄生電容為Cgs和Cgd。有關此放大器電路的高頻響應，下列敘述何者正確？

4. 有一N通道空乏型MOSFET的汲極飽和電流IDSS＝8mA，截止電壓VGS（off）＝－4V，則在VGS＝0V的情況下，請問汲極電流ID＝？

5. 圖示放大器電路中的電阻Re主要功用為何？

6. P通道空乏型MOSFET閘極加上正電壓時，其通道導通程度會：

7. 如圖電路，設二極體為理想二極體。I＝1mA，E＝10V，R＝10kΩ，則流經二極體之電流ID為多大？

8. 有一差動放大器，假設其差動增益為1000，共模增益為1，請問此差動放大器之共模拒斥比（CMRR）約等於多少？

9. PN二極體之內建電位障（built-in potential barrier），乃是其空乏區域（depletion region）內甚麼所造成？

10. 若增加差動放大器中之射極電阻，則：

11. 如右圖所示之電路，其邏輯函數為下列何者？

12. 如圖示電路，電晶體電流放大率β＝100，若RC＝5kΩ，Re＝200Ω，I＝1mA，則差模輸入阻抗Rid約為多少？

13. 如圖所示為一BJT差動對（Differential-Pair）電路。Q1＝Q2，並設工作於主動模式（active-mode）。則呈現在兩基極端的差動輸入電阻（Differential Input Resistance）Rid以熱電壓（Thermal Voltage）VT表示為：

14. 關於P-N接面二極體崩潰電壓之敘述，下列何者錯誤？

15. 如圖所示一放大器，外接電容為CC1、CC2和CS，MOSFET的寄生電容為Cgs和Cgd。有關此放大器電路在中頻的增益（Mid-band gain），下列敘述何者正確？

16. 有一放大器輸入部分的小信號等效電路如下所示，今定義電容C的端電壓為輸出電壓，試分析的轉移函數可能的頻率響應特性：

17. 在BJT的小訊號參數中，下列那一個關係式錯誤？

18. 如右圖電路所示，若電晶體參數β＝100，＝2pF，＝6pF，則其高頻－3dB頻率約為多少kHz？

19. 如圖所示電路，若要消除運算放大器輸入偏壓電流（input bias current）的效應，則R3之電阻值應為：

20. 關於MOSFET電晶體之敘述，下列何者錯誤？

21. 當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？

22. 如圖所示電路，請問Q1與Q2所構成之放大器的組態分別為何？

23. 兩個共集極放大器串接之電壓增益為何？

24. 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0，若Vi＝Asinωt，下列敘述何者正確？

25. 今有一二極體電路如下左圖所示，已知二極體的特性函數為ID＝IS(a)，其中Is＝1×10－12(a)、VT＝25mV，VD、ID分別為流經二極體的電壓降，實際的電流－電壓（I-V）特性曲線如下右圖所示。已知VDD＝2V、R＝500Ω。試研判此電路通過二極體的電流ID：

26. 有關於光檢測用之光二極體，下列描述何者錯誤？

27. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓VD0＝0.7V，已知電壓vS(t)＝12sin（120πt）V、C＝47μF、VDC＝3V、R為無窮大，在穩態時，電容C兩端的電壓約為多少？

28. 齊納（Zener）二極體主要常應用於何種電路？

29. 圖示理想二極體電路中，試求輸入電壓vI的範圍，在此範圍內，輸出電壓vO的值將會隨輸入vI之變化而變化，其範圍為：

30. 如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數gm、re、rπ及輸出電阻ro均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻Rout（不含RL）為：

31. 如圖所示之理想運算放大器電路，電源為±15V，則此電路之遲滯（Hysteresis）電壓範圍約為何？

32. 如圖所示之電路，其運算放大器之飽和電壓為±15V，則此電路之遲滯（hysteresis）電壓範圍為何？

33. 有關BJT雙極性接面電晶體與FET場效電晶體的一般特性比較，下列何者錯誤？

34. 如圖所示電路，其功能為何？

35. 分析如圖之電路，若MOSFET之轉導值gm＝1mA/V且操作於飽和區，臨界電壓Vth＝1V，VGS＝1.2V，求RD＝？

36. 下列何種記憶體IC不屬於非揮發性記憶體（Non Volatile Memory）？

37. 如圖所示之電路，輸入電壓vi為一交流弦波，有效值為100V，頻率為60Hz，二極體導通之壓降皆為0.7V，求二極體之峰值反向電壓約為何？

38. 下列何者為全通（All Pass）被動濾波器的主要功用之一？

39. 關於MOSFET電晶體之輸出阻抗，下列敘述何者錯誤？

40. 圖示電路，若電晶體β＝100，VBE(on)＝0.7V，電流IC約為若干mA？

41. 右圖運算放大器電路圖中接於腳位1及腳位5間之可變電阻VR的主要功能為何？

42. 分析右圖之電路，若BJT操作在順向主動區（forward active region）且轉導值gm為10mA/V，β＝10，RE＝1kΩ，RC＝10kΩ，忽略元件之輸出電阻ro，試求vo/vi約為多少？

43. 有一商用BJT電晶體元件其三支接腳分別標記為A、B、C，又僅有一具電阻計可利用。試利用此電阻計研判此電晶體之型態與接腳。設此電阻計的（＋）端輸出相對於（－）端＋1.5V的直流電壓，內有電阻限制最大電流，避免燒毀元件，由通過（＋）（－）端兩端點接腳之電流換算求得電阻。今試取任意兩接腳進行導通測試，測量裝置圖與測量結果如下所示。有關此電晶體之型式與接腳之敘述，下列敘述何者最為正確？　

44. 今有一單級放大器的電路如下所示，其中定電流源I0部分具有一有限之輸出電阻RO。在進行小信號等效電路分析時，設信號由輸入端vG輸入，vS為輸出信號。試研判此電路為何種組態（Configuration）？

45. 今有一階Op Amp-RC電路所製作的主動式濾波器（Active filter）如下圖所示。設放大器U1為理想的電壓放大器，且R1＝R2。此電路屬於那一種濾波器類型？

46. 關於下列之放大器，若電晶體操作於飽和區，且電流源為理想，下列敘述何者錯誤？

47. 關於韋恩（Wien）振盪器，下列敘述何者正確？

48. 有一個N通道增強型MOSFET，Vth＝1.2V，VGS＝2V，下列工作區域何者錯誤？

49. 在一般MOSFET元件中，為何閘極電流幾乎為零？

50. 下列何者可產生方波？