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1. 下列由理想運算放大器所組成的應用電路中，何種電路中的運算放大器輸入端，不可視為虛短路？

2. 如圖所示之電晶體係下列那一種電晶體？

3. 如圖所示運算放大器電路，下列敘述何者錯誤？

4. 有一BJT，其β＝100，已知在室溫下熱電壓VT＝25mV，若IC＝1mA，則該BJT之轉導gm值為：

5. PN二極體之內建電位障（built-in potential barrier），乃是其空乏區域（depletion region）內甚麼所造成？

6. 在室溫時，N型或P型半導體的導電特性與溫度的關係是：

7. 圖示理想二極體電路中，試求輸入電壓vI的範圍，在此範圍內，輸出電壓vO的值將會隨輸入vI之變化而變化，其範圍為：

8. 如圖所示之電路，其共振頻率約為何？

9. 圖示全波整流電路，若交流電vS之有效值電壓為10Vrms，二極體導通時的壓降VD為0.7V，則此電路中使用的二極體崩潰電壓應至少為：

10. 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0，若Vi＝Asinωt，下列敘述何者正確？

11. 如圖所示的電路，則“D1”的主要功能為何？

12. 今有一電路如圖所示，其中VP1＝VP2＝6V、R1＝10kΩ、R2＝5kΩ，啟動二極體導通的端電壓須達0.7V以上，則電路中兩顆二極體導通的情形為何？

13. 下列對於場效電晶體放大器的敘述，何者錯誤？

14. 如圖中具有負載電阻R的箝位電路中，電容值對於輸出波形的影響為何？

15. 如圖所示電路，齊納二極體的VZ＝5V，電源V＝15V，RL＝1kΩ，若齊納二極體容許的最大IZ電流IZmax為20mA，則R的最小值Rmin應為多大？

16. 如圖的共集（CC）放大器（其偏壓未示）。若電晶體的轉導參數為gm，輸出電阻為ro，則此放大器的電壓增益約為何？

17. 分析如圖之電路，若MOSFET之轉導值gm＝1mA/V且操作於飽和區，元件之輸出阻抗ro＝10kΩ，RD＝10kΩ，RG＝10kΩ，試求Vo/Ii＝？

18. 如圖所示電路中電晶體的β＝100且爾利電壓（Early Voltage）為無窮大，請問電路的頻寬約為多少？

19. 如圖所示之放大器，若電晶體操作於飽和區，且其高頻3dB頻率ωH遠高於低頻3dB頻率ωL，忽略元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？

20. 關於MOSFET電晶體之敘述，下列何者錯誤？

21. 如圖所示電路主要作用為：

22. 如圖所示電路中場效電晶體（FET）之Vt＝－1V、μpCox（W/L）＝2mA/V2，若FET工作在飽和區，且電流ID＝1mA、VDD＝5V，則電壓VG應為若干伏特？

23. 有一個N通道增強型MOSFET，Vth＝1.2V，VGS＝2V，下列工作區域何者錯誤？

24. 如圖所示電路，假設MOS電晶體操作在飽和區，且其λ值皆大於零，忽略元件內極間電容效應，Vb為直流電壓，求此電路之轉折（corner）頻率為何？

25. 空乏型nMOSFET，下列中那一項偏壓將使元件不導通？

26. 有一放大器電路的高頻響應轉移函數（Transfer Function）FH（s）如下所示，其中s＝jω＝j2πf： FH（s）＝ 若繪製|?FH（s）?|的波德圖（Bode Plot），試問在頻率f＝600kHz時的線段斜率應落在下列何範圍內？

27. 請問右圖高通濾波器電路之3分貝（或截止）頻率約為多少？

28. 如圖所示為一BJT差動對（Differential-Pair）電路。Q1＝Q2，並設工作於主動模式（active-mode）。則呈現在兩基極端的差動輸入電阻（Differential Input Resistance）Rid以熱電壓（Thermal Voltage）VT表示為：

29. 金氧半電晶體內部電容影響電路的頻率響應，下列的描述何者錯誤？

30. 如圖示電路，電晶體電流放大率β＝100，若RC＝5kΩ，Re＝200Ω，I＝1mA，則差模輸入阻抗Rid約為多少？

31. 一個差動放大器，若V＋＝＋10mV而V－＝－10mV，那差動輸入電壓（differential-mode input voltage）為：

32. 如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2和CS，MOSFET的寄生電容為Cgs和Cgd。有關此放大器電路的高頻響應，下列敘述何者正確？

33. 由電阻R1、R2和運算放大器組成的非反相放大器（Non-Inverting Amplifier），如圖所示。其中R1＝1kΩ，R2＝1MΩ。運算放大器的輸出飽和電壓為±10V，輸入偏移電壓（Input Offset Voltage, Vos）為5mV。若輸入VIN為正弦訊號，則其最大輸入振幅大約為多少才不會造成輸出訊號失真？

34. 如圖所示之電路，其運算放大器之飽和電壓為±15V，則此電路之遲滯（hysteresis）電壓範圍為何？

35. 分析如圖之電路，若MOSFET之轉導值gm＝1mA/V且操作於飽和區，臨界電壓Vth＝1V，VGS＝1.2V，求RD＝？

36. 如圖之電路，運算放大器之飽和電壓為±15V，若Vo之週期為3ms，則R2/R1為何？

37. 分析以下之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值gm為1mA/V，元件之輸出阻抗ro皆為10kΩ，試求Vo/Vi約為多少？

38. 如圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1mA/V。若忽略元件之輸出阻抗（ro），則輸出（Vo）對輸入（Vi）之共模增益（Common Mode Gain）Acm＝？

39. 相較於單級共射極（CE）放大器，圖示CC-CE串接電路之主要優點在於提高：

40. 一個理想二極體，在順向偏壓時：