單選題 每題2.56分

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1. 圖電路中理想運算放大器其開迴路差模電壓增益A_od＝10⁴，若輸出電壓v_O＝－4V，則輸入電壓v_I約為多少V？

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2. 下圖為一理想運算放大器電路，求其輸出電壓V_O＝？

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3. 右圖運算放大器電路圖中接於腳位1及腳位5間之可變電阻VR的主要功能為何？

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4. 右圖示為理想運算放大器之電路，R₁＝1kΩ、R₂＝25kΩ、R＝10kΩ，則其輸入阻抗R_i為若干Ω？

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5. 在邏輯電路中，輸出高至低的傳輸延遲（propagation delay）時間的定義為何？

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6. 下列何種記憶體IC不屬於非揮發性記憶體（Non Volatile Memory）？

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7. P通道空乏型MOSFET，在閘極上施加正電壓時，其通道導通程度會：

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8. 當一雙極接面電晶體（BJT）操作於主動模式，其轉導值（transconductance）g_m與集極電流I_C的關係為：

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9. 圖中的LCR振盪器，當電容C值增加2%時，其振盪頻率ω₀改變多少？

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10. 在P型半導體材料中，電流傳導的主要載子為：

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11. 在一全波整流電路中，使用中心抽頭變壓器，其輸出電壓振幅為V_S，二極體正向壓降為V_D，請問二極體的峰值反向電壓為何？

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12. 有關於光檢測用之光二極體，下列描述何者錯誤？

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13. 圖示理想二極體電壓，變壓器次級圈交流電壓有效值為10V_rms，試問在穩定狀態時v_O的電壓約為若干？

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14. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V，已知電壓v_S(t)＝12sin（120πt）V、C＝47μF、V_DC＝3V、R為無窮大，在穩態時，電容C兩端的電壓約為多少？

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15. 如圖電路中，D₁與D₂均為理想二極體。當V_I＝＋5V時，Vo的值為：

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16. 齊納（Zener）二極體主要常應用於何種電路？

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17. 如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數g_m、r_e、r_π及輸出電阻r_o均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻R_out（不含R_L）為：

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18. 圖示放大器電路若電流源I為1mA、R_B＝100kΩ，R_C＝R_L＝2kΩ，R_e＝100Ω，電晶體電流放大率β＝100，則電壓增益約為若干？

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19. 圖中電晶體的V_T＝25mV，β＝100，V_BE＝0.7V，其電流增益（i_o/i_i）約為：

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20. 在雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容C_c進入基極，該電容C_c之主要功能為何？

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21. 圖示電路中場效電晶體FET之V_T＝－0.5V、μ_pC_ox（W/L）＝2mA/V²，欲此電晶體工作在飽和區（Saturation Region），電壓v_G應如何？

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22. 如圖電路對於小訊號電壓增益，下列敘述何者錯誤？

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23. 有一n通道MOSFET工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源（CS）放大器，該MOSFET之臨界電壓V_t＝0.5V。當V_GS＝1.5V時，其I_D＝1mA，則當V_GS增為2.5V時，其I_D為：

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24. 關於理想轉導放大器（Transconductance Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？

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25. 圖示電路中場效電晶體之臨限電壓V_T＝1V、μ_nC_ox（W/L）＝100μA/V²，電壓V_D＝0.2V，則電阻R_D約為若干kΩ？

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26. 如圖為一共汲（CD）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o→∞，則此放大器的輸入電阻R_i為何？

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27. 以下之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），對於小訊號電壓增益，下列敘述何者無法降低放大器之低頻3dB頻率ω_L？

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28. 如圖之電路，振盪發生時，R₂/R為何？

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29. 下列那一種振盪器是屬於較低頻的正弦波振盪器？

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30. 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與所有其他電容，假使此電路之功率消耗為2mW且低頻增益值為2.45，V_T＝26mV，則其－3dB頻寬為何？

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31. 如圖之電路，振盪發生時其振盪頻率為何？

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32. 如圖所示之理想運算放大器電路，電源為±15V，則此電路之遲滯（Hysteresis）電壓範圍約為何？

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33. 下圖振盪器電路中，V_o輸出是屬於下列那一種波形？

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34. 下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？

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35. 圖中振盪器L₁＝，L₂＝，C＝。其振盪頻率約為：

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36. 一個放大器在中段頻率範圍內，輸出電壓峰值為10V，則在高3分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）時輸出電壓峰值約為多少？

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37. 分析以下之電路，若BJT操作在順向主動區（forward active region）且轉導值g_m為10mA/V，I_bias為理想直流偏壓電流，電晶體之β＝10。忽略元件之輸出阻抗r_o，試求V_o/I_i約為多少？

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38. 分析以下之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g_m為1mA/V，忽略元件之輸出阻抗r_o，試求其輸入端等效之偏移電壓（offset voltage）|?V_os?|＝？

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39. 分析下圖之電路，若MOSFET之轉導值g_m＝1mA/V且操作於飽和區，元件之輸出阻抗r_o＝10kΩ，R_b＝10kΩ，R_D＝10kΩ，R_S＝1kΩ，試求V_o/V_i約為多少？

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