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單選題
每題2分
1. 一晶片上有8000個元件,依積體電路之分類,該晶片應屬哪一類?
(A)小型積體電路SSI
(B)中型積體電路MSI
(C)大型積體電路LSI
(D)超大型積體電路VLSI。
2. 負回授放大器的優點中,下列何者有誤?
(A)輸出電阻可增大
(B)輸出電阻可增大
(C)頻率響應可改善
(D)線性度可改善。
3. 在共射極組態的BJT放大器中,於射極電阻旁並接一電容的主要目的為:
(A)增加穩態操作點的穩定性
(B)增加直流增益
(C)增加交流增益
(D)增加輸入阻抗。
4. 下列有關濾波器的敘述,何者正確?
(A)高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器
(B)高通濾波器與低通濾波器並聯可組成帶通濾波器
(C)RC低通濾波器的電容值與截止頻率成正比
(D)RC高通濾波器的電容值與截止頻率成正比。
5. 若npn電晶體工作於截止區時,下列接面偏壓敘述何者正確?
(A)基-射接面順向偏壓,基-集接面順向偏壓
(B)基-射接面順向偏壓,基-集接面逆向偏壓
(C)基-射接面逆向偏壓,基-集接面順向偏壓
(D)基-射接面逆向偏壓,基-集接面逆向偏壓。
6. 串聯饋送式A類放大器在理論上最高效率ηmax為何?
(A)25%
(B)25%
(C)35%
(D)60%。
7. 一共射極組態的BJT電路操作於飽和區域(saturation region),若共射極電流增益b為100、基極電流IB為10mA,則集極電流IC可能為下列何者?
(A)0.7mA
(B)1mA
(C)1.5mA
(D)2mA。
8. 有關達寧頓電路特性的敘述,下列何者錯誤?
(A)高輸入阻抗
(B)低輸出阻抗
(C)高電壓增益
(D)高電流增益。
9. 有關材料基本性質之敘述,下列何者錯誤?
(A)原子核最外層的電子稱為價電子
(B)自由電子存在於物質的傳導帶中
(C)導體材料的傳導帶與價電帶重疊
(D)溫度越高矽半導體的導電性越差。
10. 若某一個電晶體之I
CBO
=40nA、I
CEO
=10μA,則此電晶體之β值為何?
(A)249
(B)249
(C)49
(D)349。
11. 本質半導體中,若在平衡的狀態下,則自由電子濃度(n)、電洞濃度(p)與本質濃度(n
i
)三者關係為何?
(A)n=p=n
i
(B)n=p=n
i
(C)n>p>n
i
(D)n<p<n
i
。
12. 有關二極體的敘述,下列何者正確?
(A)可利用其順向電壓進行穩壓
(B)可利用其順向電壓進行穩壓
(C)在攝氏0度到125度的溫度之間,順向電流具有負的溫度係數
(D)在攝氏0度到125度的溫度之間,若順向電流固定,則溫度增加其順向電壓亦將增加。
13. 有關BJT射極隨耦器特性之敘述,下列何者正確?
(A)輸出阻抗極高
(B)輸入阻抗極低
(C)電流增益約為1
(D)電壓增益約為1。
14. 由DC電源變換成AC電源,最常用的裝置為:
(A)變流器
(B)整流器
(C)倍壓器
(D)濾波器。
15. 如圖所示電路,其功能為何?
(A)弦波產生器
(B)方波產生器
(C)鋸齒波產生器
(D)三角波產生器。
16. 有關理想運算放大器(operational amplifier,OPA)的說明,下列何者錯誤?
(A)輸入阻抗為無窮大
(B)輸入電流為零
(C)輸出阻抗為無窮大
(D)差動增益(differential gain)為無窮大。
17. 當P型及N型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而P型半導體之空乏層內應有:
(A)電洞
(B)電子
(C)負離子
(D)正離子。
18. 有關光二極體(photodiode)與發光二極體(light-emitting diode,LED)之敘述,下列何者錯誤?
(A)光二極體係將光能轉換為電能
(B)在沒有光線照射時,光二極體亦會有極小的反向電流流通
(C)LED係將電能轉換為光能
(D)LED的逆向崩潰電壓較一般二極體為高。
19. 若A類功率放大器的負載為電阻性負載,請問其最高效率約等於多少?
(A)25%
(B)50%
(C)78.5%
(D)100%。
20. 下列BJT放大器中,何者輸出阻抗最低?
(A)串級共基極放大器
(B)共基極放大器
(C)共射極放大器
(D)共集極放大器。
21. 如【圖24】所示之疊接電路,求電壓增益A
v
約為多少?
(A)-75
(B)75
(C)-150
(D)150。
22. 下列條件何者符合巴克豪生準則?
(A)A=-5∠-30°、β=-0.5∠30°
(B)A=-10∠-30°、β=0.1∠-60°
(C)A=10∠60°、β=-0.1∠120°
(D)A=20∠60°、β=0.2∠-60°
23. 二極體不具下列何種功能?
(A)整流
(B)截波
(C)檢波
(D)放大。
24. BJT電晶體放大器組態中,下列何者最適合做為阻抗匹配器?
(A)共集極
(B)共基極
(C)共射集
(D)共閘極。
25. 如圖所示電路,基極電壓為0.7V,集極電壓為2V,若熱電壓V
T
=25mV,請問基極交流電阻r
π
等於多少?
(A)200Ω
(B)250Ω
(C)400Ω
(D)450Ω。
26. 在BJT電晶體中,有關Early效應(Early effect)的敘述,下列何者正確?
(A)在固定基極射極間輸入電壓時,提高集極射極間電壓將使有效的基極寬度縮減
(B)在固定基極射極間輸入電壓時,提高集極射極間電壓將使有效的基極寬度縮減
(C)在固定基極射極間輸入電壓時,提高集極射極間電壓將使基極電流太早進入飽和區
(D)在固定集極射極間輸入電壓時,提高基極射極間電壓將使集極電流增加。
27. 試求全波整流電路之輸出波形(未濾波前)的漣波百分率為何?
(A)48%
(B)48%
(C)32%
(D)63%。
28. ECL(Emitter-Coupled Logic)電晶體邏輯閘的優缺點中,下列何者敘述有誤?
(A)雜訊邊界大
(B)可以有互補輸出
(C)輸出可直接連結Wired-OR
(D)Fan-out數有限。
29. 在一二極體橋式全波整流電路中,若輸入電壓為弦波,則下列敘述何者正確?
(A)經濾波後的最高輸出電壓值與輸入電壓之頻率成正比
(B)輸出電壓若經適當濾波,最高可達未濾波前電壓的直流份量VDC
(C)輸出電壓若經適當濾波,最高可達輸入電壓的峰值VP
(D)輸出電壓若經適當濾波,最高可達輸入電壓的均方根(RMS)值VRMS。
30. 對歐利效應(Early effect)及其影響,下列敘述何者正確?
(A)α值隨著|V
CB
|的增加而變大
(B)若有效的基極寬度W'
B
降為零則導致電晶體中的電壓崩潰
(C)少數載體的濃度梯度Pn會在基極內增加
(D)以上皆是。
31. 將10個理想電壓源串聯,若每個電壓源為15V,請算出此串聯電源所能提供之最大電壓為何?
(A)1.5V
(B)120V
(C)90V
(D)150V。
32. 欲使場效電晶體做線性放大時,電晶體需工作在何處?
(A)夾止飽和區
(B)三極體區
(C)截止區
(D)歐姆區。
33. 某負載兩端之電壓為V(t)=60sin(t+30∘)+80sin(3t+60∘)V,流經之電流i(T)=3sin(t-30∘)+4sin(3t+30∘)A,此負載之功率因數(PF)為何?
(A)0.73
(B)0.83
(C)0.85
(D)0.92。
34. 對BJT電晶體信號放大採自偏電壓(self-biasing)之設計及增加Re電阻,下列敘述何者為正確?
(A)提高電壓放大率
(B)提高電流放大率
(C)增加熱穩定度
(D)增加串級電壓放大率。
35. 由CMOS FET組成傳輸閘(Transmission Gate)時,組成元件為下列何者?
(A)只有NMOS
(B)只有PMOS
(C)NMOS+PMOS
(D)JFET。
36. 有關共汲極MOSFET放大器的敘述,下列何者錯誤?
(A)等效輸入電阻很高
(B)電流增益很高
(C)電壓增益小於1
(D)等效輸出電阻很高。
37. 以NMOS電晶體作線性放大器,下列敘述何者正確?
(A)直流偏壓點(dc bias point或quiescent point)越接近洩極電源電壓VDD越好
(B)負載線(load line)為一斜率為正的直線
(C)負載線必過(vDS=V
DD
,i
D
=0)之點
(D)在共源極(common source)的電路中,輸入電壓v
GS
越大,則v
DS
也越大。
38. 下列關於JFET共汲極放大電路之敘述,何者正確?
(A)又稱源極隨耦器
(B)電壓增益甚高
(C)電流增益低於1
(D)輸入與輸出訊號相反。
39. 使用一交直流電壓錶測得一濾波電路的輸出電壓,獲得25V直流電壓及峰值4V之交流電壓,則其漣波百分比為:
(A)11.3%
(B)11.3%
(C)5%
(D)9.5%。
40. 如【圖16】之箝位電路,若輸入電壓V
i
為2.5V峰值,頻率為1KHz之方波,則輸出電壓V
o
上下限為何?
(A)-2.5V~2.5V
(B)0V~5V
(C)2.5V~5V
(D)2.5V~7.5V。
41. 有關運算放大器(OPA)在負回授成立時,反向輸入端與非反向輸入端之間所形成的虛短路特性,下列敘述何者錯誤?
(A)兩輸入端之間電阻等於零
(B)兩輸入端之間電位相等
(C)兩輸入端之間電流等於零
(D)兩輸入端之間可視為短路也可視為斷路。
42. 有關數位邏輯電路(digital logic circuit)的敘述中,下列何者正確?
(A)傳播延遲(propagation delay)越短,可工作頻率越高
(B)傳播延遲(propagation delay)越短,可工作頻率越高
(C)雜訊邊限(noise margin)越大,所需提供的電源電壓越高
(D)TTL邏輯電路的主要缺點為輸入阻抗太大因此速度比CMOS的慢。
43. FET場效電晶體相較於BJT電晶體的特性敘述,下列何者有誤?
(A)FET具有高電流驅動能力
(B)FET具有高電流驅動能力
(C)FET可作為對稱性的雙向開關
(D)FET較無雜訊產生。
44. 下列何種放大器不適合用在聲頻放大器作為放大音樂、語言等?
(A)A類
(B)B類
(C)AB類
(D)C類。
45. 對於電晶體的三種基本組態而言,下列哪項敘述不正確?
(A)共射極組態功率增益最大
(B)共集極組態常作為阻抗匹配之用
(C)共基極組態中輸出與輸入信號相位差180°
(D)共集極組態電壓增益約為1。
46. 某A類放大器工作電壓20V、消耗電流1A,則該放大器輸出最大交流功率為多少?
(A)5W
(B)10W
(C)15.7W
(D)20W。
47. 在不考慮漏電流之關係下,下列有關電晶體的描述何者有誤?
(A)β=α/(1+α)
(B)β=α/(1+α)
(C)IE=IC+IB
(D)IC=α×IE。
48. 60Hz之電源經橋式整流後所得之漣波頻率為:
(A)30Hz
(B)60Hz
(C)120Hz
(D)240Hz。
49. 與雙極性接面電晶體相比,下列何者不是場效應電晶體(FET)的主要優點?
(A)操作速度比較快
(B)操作速度比較快
(C)輸入阻抗高
(D)熱穩定度較佳。
50. 如【圖9】所示之穩壓電路,稽納二極體最大工作電流為15mA,在電路正常工作的條件下,求輸入電壓的範圍為多少?
(A)10V~25V
(B)10V~30V
(C)15V~25V
(D)15V~30V。